3520DEPA

自适应镇流器控制芯片 3520D 产品规格书 产品概述 主要特性 3520D 集成 600V 半桥驱动的自适应镇流器控制芯 片，是一款应用于紧凑型荧光灯的芯片。  此芯片包含自适应零电压开关，峰值因子过流保护 功能，同时还集成了自举二极管。  该芯片最核心的部分是一个最小频率外部可调的压 控振荡器。  所有的镇流器控制芯片需要的特性全部集成到 8 个 引脚的 PDIP/SOIC 的封装体内。     600V 半桥驱动   集成自举二极管   自适应零电压开关(ZVS)   内部峰值因子检测过流保护   0~6.3V 直流电压控制压控振荡器   最小频率外部可调   微功耗启动(80μA)   VCC 内部 16.1V 齐纳钳位   DIP8/SOIC8 封装、无铅封装  典型应用 RSUPPLY DCP2 MHS VCC 1 + L1 R1 CVCC 8 COM CBUS 7 3520D FMIN 3 C1 RFMIN BR LRES HO 2 AC CFL VB VS CBS CDC 6 CSNUB CRES LO VCO 4 5 MLS CVCO DCP1 图  1：3520D 的典型应用示意图 引脚分布及功能 1 VCC VB 8 1 VCC VB 8 2 COM HO 7 2 COM HO 7 3 FMIN VS 6 3 FMIN VS 6 4 VCO LO 5 4 VCO LO 5 图  2：引脚分布图  引脚  符号  描述  1  VCC  芯片电源电压  2  COM  芯片功率地和信号地  3  FMIN  最小频率设置端口  4  VCO  压控振荡器输入端  5  LO  低压侧栅驱动输出端  6  VS  高压侧浮动地  7  HO  高压侧栅驱动输出端  8  VB  高压侧浮动电源  表  1：引脚功能描述  Ver.1.0  1 / 12   自适应镇流器控制芯片 3520D 产品规格书 目录 产品概述 ...................................................................... 1  功能描述 ...................................................................... 6  主要特性 ...................................................................... 1  1)  欠压锁定模式 .............................................. 6  典型应用 ...................................................................... 1  2)  频率扫描模式 .............................................. 7  引脚分布及功能 .......................................................... 1  3)  运行模式 ...................................................... 8  目录 .............................................................................. 2  4)  非零电压开关保护(ZVS).............................. 9  表格目录 ...................................................................... 2  5)  波峰因子过流保护 .................................... 10  图形目录 ...................................................................... 2  6)  错误模式 .................................................... 10  芯片轮廓 ...................................................................... 3  典型性能特性 ............................................................ 11  极限工作范围 .............................................................. 3  封装信息（DIP‐8） .................................................... 11  推荐工作条件 .............................................................. 4  封装信息（SOIC‐8） .................................................. 11  内部结构框图 .............................................................. 4  标识信息 .................................................................... 12  电气特性 ...................................................................... 5  订购信息 .................................................................... 12  电气特性（续） .......................................................... 6  版本 ............................................................................ 12    表格目录 表  1：引脚功能描述 .................................................. 1  表  8：保护特性 .......................................................... 5  表  2：芯片轮廓参数 .................................................. 3  表  9：栅极驱动输出电气参数 ................................... 6  表  3：极限工作参数 .................................................. 3  表  10：最小频率设置 ................................................ 6  表  4：推荐工作参数 .................................................. 4  表  11：自举二极管电气参数 ..................................... 6  表  5：电源电气参数 .................................................. 5  表  12：8‐Lead PDIP 的封装参数 .............................. 11  表  6：浮动电源特性 .................................................. 5  表  13：8‐Lead SOIC 的封装参数 .............................. 11  表  7：振荡器 I/O 特性 ............................................... 5  表  14：3520D 的订购信息 ....................................... 12    图形目录 图  1：3520D 的典型应用示意图 ............................... 1  图  11：3250D 非零电压开关保护时序图 ................. 9  图  2：引脚分布图 ...................................................... 1  图  12：无灯或灯丝开路错误条件下的时序图 ......... 9  图  3：3520D 的芯片轮廓示意图 ............................... 3  图  13：峰值因子保护时序图 ................................... 10  图  4：3520D 的内部结构框图 ................................... 4  图  14：频率——温度曲线 ....................................... 11  图  5：功能描述框图 .................................................. 6  图  15：CSCF vs VSOFFSET ......................................... 11  图  6：启动电流示意图 .............................................. 7  图  16：8‐Lead PDIP 的封装示意图 .......................... 11  图  7：频率扫描模式电路示意图............................... 7  图  17：8‐Lead SOIC 的封装示意图 .......................... 11  图  8：频率扫描模式时序图 ...................................... 7  图  18：3520DEPA 的产品标识信息 ......................... 12  图  9：包含灯工作点的谐振腔波特 ........................... 8  图  19：3520DESA 的产品标识信息 ......................... 12  图  10：3520D 运行模式电路示意图 ......................... 8  Ver.1.0  2 / 12 产品规格书 自适应镇流器控制芯片 3520D 芯片轮廓 序号  符号  X 轴坐标  Y 轴坐标  1  VCC  ‐1048  ‐747.5  2  COM‐1  ‐702  ‐756.5  3  COM‐2  ‐464  ‐756.5  4  FMIN  328.6  ‐734.5  5  VCO  955  ‐734.4  6  LO  669.6  739.2  7  VS  ‐499.2  614.5  8  HO  ‐730.1  614.5  9  VB  ‐947  619.5  LO VB VCC HO VS COM-1 COM-2 FMIN VCO    图  3：3520D 的芯片轮廓示意图  表  2：芯片轮廓参数  注  1：芯片尺寸为 2390×1740μm。  注  4：此坐标原点为不含划片槽的版图中心点位置。  注  2：项目划片槽为 X=80μ,Y=80μ。  注  5：此芯片焊盘尺寸为 100×100μm。 注  3：此芯片轮廓尺寸中不包含划片槽。  极限工作范围 符号  件下是不推荐使用的。表 3 参数  描述  最小值  最大值  单位 中的所有极限电压参数全 部是对地的电压，所有的电 VB  高压侧浮动电源电压  ‐0.3  625  VS  高压侧浮动偏置电压  VB‐25  VB+0.3  VHO  高压侧浮动输出电压  VS‐0.3  VB+0.3  VLO  低压侧输出电压  ‐0.3  VCC+0.3 IVCO  压控振荡器输入电流（注 6）  ‐5  +5  mA  地之间有一个齐纳二极管 电源电流（注 7）  ‐25  25  mA  钳位结构，在通常状态下它 dVS/dt  偏置电压的压摆率  ‐50  50  V/ns 的击穿电压是 6.3V。  ICC  PD  RthJA  V  封装功耗@TA≤+25°C  PDIP  ‐  1  PD=(TJMAX‐TA)RthJA  SOIC  ‐  0.625  PDIP  ‐  125  结到环境热阻  流是从管脚流进去的电流。   请不要用大于 6.3V 的低阻 200  TJ  结温度  ‐55  150  TS  存储温度  ‐55  150  TL  引脚温度（锡焊，10 秒）  ‐  300  抗直流电源连接到这个管 脚上。  °C/W ‐  能会影响器件的可靠性。  注  6：此芯片在 VCO 脚和 W  SOIC  另外，超出推荐工作状态可   注  7： 此芯片在 VCC 和地之 间有一个齐纳二极管钳位 结构，在通常状态下它的击 °C  穿电压是 16.1V。  请不要用大于 VCLAMP 的 低阻抗直流电源连接到这 表  3：极限工作参数  如果强度超过表 3 中的极限工作状态很可能会损坏器件。超过这些状态器 件可能不运行，而在推荐的工作条件下器件是能正常运行的，这些极限工作条 Ver.1.0  3 / 12 个管脚上。  自适应镇流器控制芯片 3520D 产品规格书 推荐工作条件 为了保证器件正常工作，芯片必须工作在表 4 所列的工作条件中。  符号  参数  描述  最小值  最大值  单位  VBS  高压侧浮动电源绝对电压  VCC ‐ 0.7  VCLAMP  VS  高压侧浮动电源偏置电压  ‐1  600  VCC  低压电源电压  VCCUV+  VCLAMP  ICC  低压电压工作电流  注 8  10  mA  RFMIN  最小频率设置电阻  20  140  kΩ  VVCO  VCO 引脚电压  0  5  V  ‐25  125  °C  结温度  TJ  V  表  4：推荐工作参数  注 8：为了保持芯片内部的 16.1V 齐纳钳位二极管保持正常钳位电压，请提供足够的电流提供给 VCC 管脚上。   内部结构框图 VCC 1 16.1V COM 2 IVCO 欠压 检测 自举二极管控制 VB 欠压 检测 IQS 逻辑 控制 HO VS VCO 4 非零电压开关保护 8 7 6 传感 电路 300ns PGEN 6.3V 压控 振荡器 峰值因子检测过流保护 VCC 0.8V + LO + 4.8V - IFMIN= FMIN 3 COM 5.3V RRFMIN 图  4：3520D 的内部结构框图    Ver.1.0  4 / 12 5 产品规格书 自适应镇流器控制芯片 3520D 电气特性 VCC=VBS=VBIAS=14V±0.25V，CLO=CHO=1000pF，RFMIN=82kΩ，除非特别说明，否则 TA=25°C。  符号  参数  描述  最小值  典型值  最大值  VCCUV+  VCC 欠压锁定正向开启电压  11.4  12.5  13.8  VCCUV‐  VCC 欠压锁定负向关断电压  9.0  9.7  11.0  VUVHYS  VCC 欠压锁定迟滞  ‐  2.7  ‐  IQCCUV  欠压锁定模式静态电流  ‐  40  80  IQCCFLT  错误模式静态电流  ‐  100  ‐  ICCHF  VCC 电源电流，f=85KHz  ‐  4.2  ‐  ICCLF  VCC 电源电流，f=35KHz  ‐  2.3  ‐  15.1  16.1  ‐  VCC 齐纳钳位电压  VCLAMP  单位  测试条件  VCC 从 0V 往上升  ‐  V  ‐  VCC=10V  μA  ‐  VVCO=0V  mA  VVCO=6V  V  ICC=10mA  表  5：电源电气参数  符号  描述  IQBS0  参数  单位  测试条件  最小值  典型值  最大值  VBS 电源静态电流  ‐  75  150  IQBSUV  欠压模式下 VBS 电源静态电流  ‐  18  40  VBSUV+  VBS 欠压锁定正向开启电压  7.7  9.4  10.3  V  ‐  VBSUV‐  VBS 欠压锁定负向关断电压  7.3  8.8  9.7  V  ‐  ‐  ‐  50  μA  VB = VS = 600V  偏置电源漏电流  ILK  VCC=10V, VBS=14V  μA  VCC=10V, VBS=7V  表  6：浮动电源特性  符号  描述  f(min)  f(max)  参数  最小值  典型值  最大值  最小振荡频率（注 9）  29.6  34  38.2  最大振荡频率（注 9）  67  86  96  振荡器占空比  ‐  50  ‐  DTLO  LO 输出死区时间  ‐  2.0  ‐  DTHO  HO 输出死区时间  ‐  2.0  ‐  IVCOQS  快速启动时，VCO 引脚电流  ‐  75  ‐  IVCOFS  频率扫描时，VCO 引脚电流  0.8  1.2  2.0  当 VCO 引脚电压达到 5V 时，VCO 引脚电流  ‐  1.2  ‐  VCO 引脚最大电压  ‐  6.3  ‐  D  IVCO_5V  VVCO_max  单位  kHz  测试条件  VVCO = 6V  VVCO = 0V  %  ‐  ‐  μS  ‐  VVCO = 0V  μA  VVCO = 2V  ‐  V  ‐  表  7：振荡器 I/O 特性  注  9：此频率是在 RFMIN=82kΩ 的情况下的值。可通过改变 RFMIN 来调高或者调低频率值。  符号  VVCO_RUN  CSCF  VS_OFFSET_MAX  VVCOSD  表  8：保护特性  参数  描述  进入运行模式时，VCO 引脚电压  错误模式的峰值因子比（峰值比平均值）  VS 最大偏置电压  VCO 关断电压    Ver.1.0  5 / 12 单位  测试条件  ‐  V  ‐  5.0  ‐  N/A  ‐  3.0  ‐  V  ‐  0.68  0.84  0.96  V  ‐  最小值 典型值 最大值  ‐  4.8  ‐  VS offset = 0.5V  产品规格书 自适应镇流器控制芯片 3520D 电气特性（续） VCC=VBS=VBIAS=14V±0.25V，CLO=CHO=1000pF，RFMIN=82kΩ，除非特别说明，否则 TA=25°C。  符号  参数  描述  最小值  典型值  最大值  测试  单位  条件  VLO=LOW  当 LO 为低时，LO 输出电压  ‐  COM  ‐  VHO=LOW  当 HO 为低时，HO 输出电压  ‐  COM  ‐  VLO=HIGH  当 LO 为高时，LO 输出电压  ‐  VCC  ‐  VHO=HIGH  当 HO 为高时，HO 输出电压  ‐  VCC  ‐  TRISE  开通时的上升时间  ‐  170  230  TFALL  关断时的下降时间  ‐  85  120  IO+  输出到电源短路时的脉冲电流  ‐  140  ‐  mA  ‐  IO‐  输出到地短路时的脉冲电流  ‐  230  ‐  mA  ‐  ‐  ‐  mV  ‐  ‐  ‐  ns  ‐  表  9：栅极驱动输出电气参数  符号  参数  描述  最小值  典型值  最大值  单位  测试条件  VFMIN  正常运行时，FMIN 电压  4.8  5.3  5.4  V  ‐  VFMINFLT  错误模式时，FMIN 电压  ‐  0  ‐  V  ‐  表  10：最小频率设置  符号  描述  IBS1  IBS2  参数  最小值 典型值 最大值 VB 电流  30  75  ‐  VB 电流  10  25  ‐  单位  mA  测试条件  CBS=0.1uF, VS=0V  VBS = 10V  表  11：自举二极管电气参数  1) 功能描述 欠压锁定模式 欠压锁定模式是指当 VCC 电压 低于芯片的启动电压阈值时 3520D 开启电源 所处的状态。在欠压锁定模式下 VCC < 10.7V (VCCUV-) 错误模式 关断半桥 VVCO=0V IQCCFLT ≅ 120µA VFMIN=0V 峰值因子 > 5.0 (CSCF) or VVCO4.8V (VVCO_RUN) 运行模式 VVCO = 6.3V, Frequency = fmin 有检测峰值因子功能 有自适应零电压开关功能 如果检测到非零电压开关， VVCO 降低， 频率上升以保持零电压开关状态 RSUPPLY 的前提是要保证从 VDC 上能 够提供足够的电流给 3520D。VCC 的 电压，也就是 CVCC 的电压逐渐升高， 当 VCC 的 电 压 升 高 到 启 动 阈 值 VCCUV+的时候， 3520D 打开 HO 和 LO 开始震荡。电容 CVCC 要足够大以保 图  5：功能描述框图  Ver.1.0  6 / 12 自适应镇流器控制芯片 3520D 产品规格书 证在开始的半个周期内维持 VCC 的 电压大于 VCCUV+，直到有外部的 DCBUS(+) 供电装置来保证芯片的电源电压 和电流需求。 内部集成在 VCC 和 VB RSUPPLY DCP2 之间的自举 MOSFET 将决定高压侧 驱动电路的电源电压。由电容 CSNUB 和二极管 DCP1、DCP2 组成 MHS VCC 的外部电荷泵电路将给低压侧驱 1 动电路提供一个额外的电源。  COM 为了保证在第一个脉冲到达 8 自举 二极管 控制 CVCC 7 2 逻辑 控制 & 驱动 16.1V CLAMP HO 之前高压侧的电源已被充电到 FMIN 了高电平，开始时的输出脉冲都是 3 RFMIN 有 LO 脚输出的。可能 LO 震荡了好 VCO VCC HO 负载 CBS 6 VS CSNUB 欠压检测 5 4 LO MLS CVCO 几个周期后，VB‐VS 的电压才能超 VB 过 高压侧的 欠压钳位 阈值 DCP1 VBSUV+(9V)，这时高压侧才能有输 出。在整个欠压检测模式期间，高 负载回路 DCBUS(-) 压侧和低压侧的输出 HO、LO 都是 低电平，VCO 引脚也是被拉到 GND 电平将启动频率设置成最大值。  2) 图  6：启动电流示意图  频率扫描模式 当 VCC 超过阈值 VCCUV+，3520D 进入频率扫描模式。图 7 所示的一个内部的电流源给 VCO 引脚的外部电容 CVCO 充电，使得 VCO 引脚的电压开始线性上升。一个额外的快速启动电流 IVCOQS 也和 VCO 引脚相连，将 VCO 引脚的电压从初始值充到 0.85V。当 VCO 的电压超过 0.85V，这个快速启动电流在内部断开，VCO 的电压随着正 常频率扫描电流源 IVCOFS 的充电而继续被抬升（图 8）。这个快速启动将 VCO 电压快速带到 VCO 内部的范围。 DCBUS(+)   VVCO RSUPPLY DCP2 6.3V 4.8V VCC MHS 1 8 自举 二极管 控制 CVCC COM FMIN 2 3 16.1V CLAM P VCO 逻辑 控制 & 驱动 7 VB 0.85V HO 负载 CBS 6 频率扫描模式 VS CSNUB RFMIN Freq VCO 4 CVCO 5 LO fmax MLS DCP1 fmin 负载回路 DCBUS(-)     图  7：频率扫描模式电路示意图  图  8：频率扫描模式时序图 Ver.1.0  7 / 12 运行模式 自适应镇流器控制芯片 3520D 产品规格书 频率朝着高 Q 值镇流器输出级的谐振频率 处斜坡下降，导致灯电压和负载电流增大。VCO Vout Vin Ignition High Q 引脚的电压继续增大，并且频率保持下降直到灯 被点亮。  如灯被成功点亮，VCO 引脚的电压继续增大 直到达到内部限制值 6.3V（VVCO_MAX）。频率停 止下降并停止在由 FMIN 引脚处的外部电阻 Run RFMIN 设定的最小频率。  Start 最小频率应当被设定在低于高 Q 值镇流器 输出级的谐振频率，以便该频率斜坡通过为使灯 Low Q fmin 点亮的谐振频率处（图 9） 。  Frequency fmax 所要求的预热时间能够通过调节 CVCO 电容   处的 VCO 点的斜坡斜率。 图  9：包含灯工作点的谐振腔波特  3) 运行模式 当 VCO 引脚的电压超过 4.8V(VVCO_RUN)，3520D 进入运行模式。灯已经被点亮，同时镇流器的输出级变成 一个低 Q 值、串联电感 L、并联 RC 线路。并且，VS 检测和错误逻辑模块（图 10）都开始具有对非零电压转换和 过流错误情况下的保护功能。VCO 引脚上的电压继续增加，频率进一步下降，直到 VCO 引脚的电压限在 6.3V （VVCO_MAX），这样最小频率就达到了。谐振电感、谐振电容、总线电压和最小工作频率决定灯工作的功率。芯 片维持在这个最小频率除非非零电压转换在 VS 引脚发生或波峰因子过流情况在 VS 端被检测，或者 VCC 的电压 减小到低于 UVLO 的阈值。  DCBUS(+) RSUPPLY DCP2 MHS VCC 1 8 CVCC 自举二极管 控制 COM 2 FMIN 3 HO 控制 & 逻辑 驱动 15.6V CLAMP VB VCO 7 负载 CBS VS 6 CSNUB RFMIN LO VCO 5 4 MLS CVCO VS 检测 DCP1 负载回路 DCBUS(-) 图  10：3520D 运行模式电路示意图    Ver.1.0  8 / 12   产品规格书 4) 自适应镇流器控制芯片 3520D 非零电压开关保护(ZVS) 在运行模式中，如 VS 引脚的电压， VLO 在死区时间内没有减小到 GND，这样， VHO 当 LO 开启时，在低边半桥 MOSFET 的 源和漏极之间就会有个电压，从而系统 VVS 工作在太接近或者在谐振点的容性侧。 ！ 结果是非零电压容性模式开关导致足 够破坏半桥的 MOSFET 的高尖峰电流流 过它们（图 11）。这个能够在灯丝错误、 IL 灯移除（开路）、在灯熄灭、直流总线的 下跌或中断、灯随时间的变化、以及元 件变化。为避免这些，一个内置的高压 ！ IMLS MOSFET 在 HO 端关断时被打开，这个 VS 的检测电路在 LO 的每个上升沿检测 VS 的电压。当 VS 电压不是零时，一个 IMHS 脉冲电流从 VCO 引脚处抽取电流来使 外部电容 CVCO 缓慢放电，导致频率缓 VVCO 慢上升。在此周期余下的时间内，VCO 太靠近谐振 硬开关和高的MOSFET 峰值电流 电容被内部的电流源缓慢充电。  频率变高以维持ZVS   图  11：3250D 非零电压开关保护时序图    通过给 VCO 电容充电，频率减小向谐 振频率点靠近。LO 开启时， “非零电压开 关”情况将被检测，每次检测到“非零电 VLO 压开关”的时候，自适应零电压开关电路 VHO 将频率轻推到稍高于谐振频率点。 在 LO 关 断时，内部的用于检测异常状态的高压 MOSFET 也关断了。并在 VS 缓慢上升到总 ！ VVS 线电势时承受高电压。由于线路情况改变、 元件容差变化、灯或负载变化，但都能工 作并保持零电压开关，线路保持在闭环自 适应的零电压开关模式。在灯被移除或灯 ！ IMLS 丝错误时，灯谐振状态将被中断导致半桥 输出变成开路（图 12） 。这将会导致容性 IMHS 开关（硬开关），导致可损坏 MOSFET 的高 尖峰的电流产生。3520D 将增加频率以便 满足零电压开关条件，直到 VCO 引脚的电 压低于 0.84V(VVCOSD)。芯片将进入错误模 式，并将 LO 和 HO 栅驱动输出锁在“低” ， 以便在损坏 MOSFET 之前将半桥电路安全 VVCO 容性开关 硬开关和高的MOSFET 峰值电流 频率变高直到 VCO < 0.84V 在损坏MOSFET前将LO 和HO都锁定在低电平 地关断。    图  12：无灯或灯丝开路错误条件下的时序图  Ver.1.0  9 / 12 自适应镇流器控制芯片 3520D 产品规格书 5) 波峰因子过流保护 入错误模式，LO 和 HO 输出都被锁为“低”。半桥将在 在正常的灯点亮过程中，频率扫描过谐振点，通过 镇流器元件发生任何损坏之前关断。  谐振电容和灯的输出电压增加直到灯被点亮。如果灯点 波峰因子“峰值比平均值错误因子”作为内部平均 亮失败，谐振电容的电压、电感电压和电感电流将会继 续增大至电感饱和或者输出电压超过谐振电容和电感 的作用而变化（图 15）。最大的内部平均应当小于 3V。 的额定最大值；镇流器必须在损坏之前关断。  如平均超过该值，平均电压被乘后将超过 VS 检测电路 的最大限，这样 VS 检测电路将不能检测波峰因子错误。 为避免在灯点亮失败的错误情况下发生损害， 3520D 利用 VS 检测线路（图 10）来测量低边半桥 当选用作半桥 MOSFET 的导通电阻对应用来说太大，这 MOSFET 的电流，从而实现检测过流错误。通过利用低 种情况可能发生，导致内部平均超过了最大限。  边 MOSFET 的导通电阻进行电流检测和 VS 检测线路，   3520D 避免了需要额外的电流检测电阻，滤波器和电流 LO 检测引脚。  为消除温度和 MOSFET 变化对导通电阻的影响， AVG*5 3520D 采用波峰因子检测方式，用来测量当尖峰电流超 电感饱和 IMLS 过平均电流的 5 倍的情况（CSCF） 。当频率扫过谐振频 率点而灯没有点亮，由于额外的电流在谐振回路中产生 而导致电感饱和，此时检测测量波峰因子是理想可行的。   谐振的感性侧 当 VCO 的电压初次从零开始斜坡上升，谐振回路 电流和电压随着频率朝着谐振点减小而增大（图 13）。 谐振的容性侧 IL 如灯没有点亮，电感电流将最终饱和但波峰因子错误保 护没起作用直到 VCO 电压初次超过 4.8V(VVCO_RUN)。 频率将继续减小到容性谐振边朝着最小频率设定值减 小，谐振回路的电流和电压将进一步减小。  当 VCO 的电压超过 4.8V(VVCO_RUN)，芯片进入运 行模式，非零电压开关保护和波峰因子保护都被激活。 非零电压开关保护将频率从容性侧每周期向谐振处增 VVCO 加。当频率在谐振点附近时，谐振回路的电流将再次增 4.6V 加，直到电感再次饱和。  在 LO 为“高”并且在 LO 上升沿 1us 的空白时间之 后，波峰因子保护是生效的，此时测量 VS 端的瞬态电 压。空白时间是必要的以避免波峰因子保护线路因非零 频率扫描模式 电压开关情况做出反应。一个内部的平均电路将 LO 端 运行 模式 错误模式 10 到 20 个开关周期的瞬态电压进行平均。在运行模式 中，当 LO 为“高” （1us 空白时间之后）和峰值电流超 图  13：峰值因子保护时序图  过平均的 5 倍（CSCF）使电感初次饱和时，3520D 将进   6) 错误模式 在运行模式，如果 VCO 的电压减小到 0.84V 以下（VVCOSD）或者波峰因子错误发生，3520D 将进入错误模 式。LO 和 HO 栅驱动输出都锁为“低”，从而整个半桥关断。VCO 引脚被拉到 GND，FMIN 引脚被从 5.3V 拉到 GND。 VCC 抽取微小电流（ICCFLT） ，从而 VCC 停留在钳位电压，芯片保持在错误模式而无需电荷泵辅助供电。为离开错 误模式并回到频率扫描模式，VCC 必须轮转到低于 UVLO‐阈值后回到 UVLO+阈值之上。  Ver.1.0  10 / 12   产品规格书 自适应镇流器控制芯片 3520D 典型性能特性 10 (Khz) 9 100 8 90 7 70 6 CSCF 80 频率 60 50 5 4 40 3 30 2 20 1 10 0 -40 -20 0 20 40 60 80 100 0 0.2 120 0.4 0.6   温度°C 0.8 1 VS OFFSET (V) 图  15：CSCF vs VSOFFSET 图  14：频率——温度曲线 RFMIN=68KVVCO=5V    封装信息（DIP-8） E1 符号  L B1 尺寸（英寸）  最小值 最大值  最小值  最大值  A  3.710  4.310  0.146  0.170  A1  0.510    0.020    A2  3.200  3.600  0.126  0.142  B  0.380  0.570  0.015  0.022  C A1 A A2 e 尺寸（毫米）  B E2 D E B1  0.060(BSC)  C  0.204  0.360  0.008  0.014  D  9.000  9.400  0.354  0.370  E  6.200  6.600  0.244  0.260  E1  7.320  7.920  0.288  0.312  e  图  16：8‐Lead PDIP 的封装示意图  1.524(BSC)  2.540(BSC)  0.100(BSC)  L  3.000  3.600  0.118  0.142  E2  8.400  9.000  0.331  0.354  表  12：8‐Lead PDIP 的封装参数 封装信息（SOIC-8） A  1.350  1.750  0.053  0.069  A1  0.100  0.250  0.004  0.010  A2  1.350  1.550  0.053  0.061  b  0.330  0.510  0.013  0.020  c  0.170  0.250  0.006  0.010  D  4.700  5.100  0.185  0.200  E  3.800  4.000  0.150  0.157  E1  5.800  6.200  0.228  0.244  e b 0.050(BSC)  L  0.400  1.270  0.016  0.050  θ  0°  8°  0°  8°  表  133：8‐Lead SOIC 的封装参数  θ A 0.127(BSC)  L 最大值 A1 最小值  c E 最大值  E1 最小值  e  D 尺寸（英寸）  A2 符号  尺寸（毫米）  图  17：8‐Lead SOIC 的封装示意图 Ver.1.0  11 / 12 自适应镇流器控制芯片 3520D 产品规格书 标识信息   公司标识 公司标识 产品型号 产品型号 日期编码 批次编码 日期编码 批次编码 管脚1的位置 8-Lead PDIP   图  18：3520DEPA 的产品标识信息  管脚1的位置 图  19：3520DESA 的产品标识信息   订购信息 产品型号  封装类型  3520DEPA  8‐Lead PDIP  3520DESA  8‐Lead SOIC  8-Lead SOIC 表  144：3520D 的订购信息  版本 2018‐11‐23  版次 1.0：初版  Ver.1.0  12 / 12