SM7055-12 AC/DC PWM 功率开关 v1.6
SM7055-12
BUCK-BOOST 等方案
采用 730V 单芯片集成工艺
85Vac~265Vac 宽电压输入
待机功耗小于 120mW@220Vac
集成高压启动电路
集成高压功率开关
60KHz 固定开关频率
内置抖频技术,提升 EMC 性能
电流模式 PWM 控制方式
内置过温、过流、过压、欠压
压启动电路和高压功率管,可实现低成本、高性价比开关电源系统解决
方案。
芯片应用于 BUCK、BUCK-BOOST 系统方案,支持 12V 输出电压,很
方便的应用于小家电产品领域。并提供了过温、过流、过压、欠压等完
善的保护功能,保证了系统的可靠性。
管脚图
1 GND
等保护功能
内置软启动
内 置 智 能 软驱 动 技 术( 提 高
EMC 性能)
2
NC
3
NC
GND
DRAIN 8
SM7055-12
SM7055-12 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片,集成高
SM7055-12
DRAIN 7
DRAIN 6
DRAIN
GND
HVDD
3
拓扑结构支持:低成本 BUCK、
2
概述
1
特点
DRAIN 5
4 HVDD
DIP8
TO252-2
输出功率表
输入电压
封装形式:TO252-2、DIP8
最大电流
85Vac~265Vac
180Vac~265Vac
DIP8
200mA
250 mA
TO252
250mA
300 mA
典型示意电路图
应用领域
GND
电饭煲、电压力锅等小家电产
2
AC
GND
+
SM7055-12
SM7055-12
U1
品电源
+
DRAIN
HVDD
1
3
+
Vout
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芯片标示
芯片名称
12:12V 输出
SM7055-12
生产 Lot 号
XX·XX@XXX
★★★★****
**** 表示周号
★★★★表示批号
管脚说明
名称
管脚序列
管脚说明
TO252
DIP8
GND
2
1
芯片地
HVDD
3
4
芯片电源端
DRAIN
1
5,6,7,8
NC
2,3
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内置高压 MOS 管的 DRAIN,同时芯片启动时,也做芯片的启
动脚
悬空脚
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极限参数
极限参数(TA= 25℃)
符号
说明
范围
单位
VDS(max)
芯片 DRAIN 脚最高耐压
-0.3~730
V
VDS(ST)
芯片启动时,DRAIN 脚最高耐压
-0.3~730
V
HVDD
芯片电源电压
-0.3~20
V
IHVDD
嵌位电流
10
VESD
ESD 电压
2000
V
TJ
结温
-40~150
℃
TSTG
存储温度
-55~150
℃
mA
热阻参数
符号
说明
范围
单位
RthJA
热阻(1)
45
℃/W
注(1)
:芯片要焊接在有 200mm2 铜箔散热的 PCB 板,铜箔厚度 35um,铜箔连接到所有的 GND 脚。
电气工作参数
(除非特殊说明,下列条件均为 TA=25℃
符号
说明
范围
条件
最小
BVDS
漏源击穿电压
IDSS
DRAIN 端关断态漏电流
RDS(on)
源漏端导通电阻
HVDDON
典型
单位
最大
730
V
0.1
22
Ohm
HVDD 开启电压
11.5
V
HVDDOFF
HVDD 关闭电压
8
V
HVDDHYS
HVDD 迟滞阈值电压
3.5
V
IDD2
HVDD 工作电流
HVDD=11V
0.5
mA
IDDCH
芯片充电电流
VDS=100V; HVDD=5V
-500
uA
FOSC
芯片振荡频率
60
KHz
△Fosc
抖频范围
4
%
TOVT
过温保护温度
150
℃
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ID=0.2A
mA
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功能表述
R1
D1
GND
L1
D3
2
GND
+
RV1
+
C1
SM7055-12
C4
L2
C2
DRAIN
HVDD
1
3
+
AC
C3
+
+12V
D2
R2
电路图说明
上图为典型的 BUCK-BOOST 电路,其中 C1、C2、L1 组成π型滤波,有益于改善 EMI 特性;R1 电阻为浪涌
抑制元件;D1 为整流二极管,构成半波整流电路。
输出部分 L2 为储能电感,D2 为 HVDD 供电二极管;D3 为续流二极管,在芯片关断期间提供输出电流通路。
VOUT HVDD 0.7V (0.7V 为二极管 D2 的导通压降)
HVDD 电压
当开关电源启动后,C2 电容上的电压会通过芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 HVDD 电容 C3 充电,当
C3 电容电压达到 11.5V,内部高压启动 MOS 管关闭,同时 PWM 开启,系统开始工作。
当 C3 电容电压下降到 9V 以下,关闭 PWM 信号,同时芯片将会产生复位信号,使系统重新启动,这就是
欠压保护。
H VD D
H V D D ON
H V D D OFF
欠压保护
t
V OUT
t
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控制部分
D R A IN
ID
PW M
c o n tro l
H V D D -1 2 V
Ifb 采 样 电 流
检测电路
-
IS
0 .2 3 V
+
IF B
R1
R2
GND
通过高压 MOS 的电流 ID 分成两个部分,其中一部分为 IS,这部分电流为芯片采样电流。IS 与 ID 成比例关系:
I D = G ID • I S
通过上图可知: ( I S I FB ) R 2 0.23V ,由此可以得到:
IS =
0.23V
-I
R2 FB
以上公式合并,可得到:
I D = G ID • (
0.23V
- IFB )
R2
从上式可以看出,IFB 电流大,ID 的电流就小;IFB 电流小,ID 的电流就大。当 IFB 的电流大于(0.23V / R2)
时,芯片会关闭 PWM,同时芯片会自动进入突发模式。
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PCB layout 注意事项
开槽
开槽
铺铜
TO252
DIP8
简要说明:
TO252
IC 的 2 脚 GND 需要铺铜散热,铺铜面积需要大于 8*8mm,以降低芯片的温度及提高系统的性能。
IC 的 1 脚 DRAIN 脚与 2 脚 GND 及 3 脚 HVDD 之间需要开槽,以满足安规要求。
初级环路与测试环路的走线距离尽量粗而短,以便更容易通过 EMC 测试。
IC 的 DRAIN 脚与 GND 及 HVDD 之间需要开槽,以满足安规要求。
初级环路与测试环路的走线距离尽量粗而短,以便更容易通过 EMC 测试。
DIP8
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典型应用方案
电饭煲电源应用方案
原理图:
F1
L1
R1 D1
D2
2
GND
GND
RV1
+
C2
SM7055-12
L2
DRAIN
HVDD
1
3
+
+
C1
+
CX1
AC
C3
C4
+12V
U1
D3
R2
BOM 清单:
位号
参数
位号
参数
位号
参数
位号
参数
C1
4.7uF/400V
D1
IN4007
R2
10R
CX1
0.1uF
C2
4.7uF/400V
D2
BYV26C
L1
1mH
RV1
10D471
C3
4.7uF/50V
D3
UF4007
L2
560uH
U1
SM7055-12
C4
470uF/25V
R1
22R
F1
1A 保险丝
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封装形式
TO252-2:
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