ME8200M6G-N

ME8200-N 高性能电流模式 PWM 控制器 特点 概述  超低启动电流  降噪功能  轻载进入绿色模式  频率抖动功能  过功率补偿  前沿消隐 ME8200-N 拥有完善的保护功能，包括过流保护  斜坡补偿 （OCP） ，过载保护（OLP），欠压锁定（UVLO），过压  完善的保护：OCP，OLP，UVLO，OVP ME8200-N 是一个高性能电流模式 PWM 控制器，为 中小功率电源设计提供了最佳选择，该芯片能使系统设计 轻易实现超低的待机功耗、优良的 EMI 性能、无 Y 电容、 无异音的低成本方案，相对于同领域的其它芯片， ME8200-N 具有极高的性价比。 保护（OVP）等，以确保系统可靠的工作。 应用场合 封装形式  适配器 ● 6-pin SOT23-6  机顶盒 ● 8-pin DIP8、SOP8  开放式电源 V02 www.microne.com.cn Page 1 of 11 ME8200-N 典型应用图 C9 VOUT R13 LF1 ACIN D3 DB105 R4 C1 R2 C2 C3 E1 R3 C4 R9 D1 Q1 R10 R11 C5 GND GATE FB VDD RI SENSE C7 D2 R6 ME8200-N PC817 R4 TL431 R8 选型指南 ME 82 00 X G N 新版本 环保标识 封装形式 M6-SOT23 D8-DIP8 S-SOP8 产品品种 产品类别 公司标识 产品型号 V03 产品说明 ME8200M6G-N 封装形式：SOT23-6 ME8200D8G-N 封装形式：DIP8 ME8200SG-N 封装形式：SOP8 www.microne.com.cn Page 2 of 11 ME8200-N 产品脚位图 GATE VDD SENSE GATE 6 5 4 VDD 1 2 3 SENSE NC GND FB RI SOT23-6 8 7 6 5 1 2 3 4 GATE NC GND GND VDD FB FB NC NC RI RI SENSE DIP8 SOP8 脚位功能说明 符号名 脚位名 SOT23-6 脚位名 DIP8 脚位名 SOP8 作用 说明 GND 1 7 8 接地脚 地 FB 2 6 7 输入脚 反馈 RI 3 5 5 输入脚 频率设置 SENSE 4 3 4 输入脚 电流检测 VDD 5 2 2 供电脚 电源 GATE 6 1 1 输出脚 驱动 4，8 3，6 空脚 空脚 NC V03 www.microne.com.cn Page 3 of 11 ME8200-N 芯片功能示意图 RI Voltage/Current Reference GATE S VDD UVLO PRO R OVP VDD clamping SET CLR Soft Driver Q Q Burst mode control OSC VDD Frequency Shuffling Control SENSE Regulator Internal supply ʄ Voc_ref ʄ OC Line Compensati on LEB Slope Compensati on GND FB OLP 极限参数 参数 极限值 单位 VDD、GATE 电压 -0.3~30 V VDD 电流 0~10 mA FB、SENSE、RI 电压 -0.3~7 V 工作温度范围 -20～150 ºC 储存温度范围 -55～150 ºC 焊接温度和时间 +260（10秒） ºC 参数 极限值 单位 电源电压 10~30 V 工作温度 -20~85 °C 推荐工作条件 V03 www.microne.com.cn Page 4 of 11 ME8200-N 电气参数 (除非特殊说明，测试条件为：TA = 25°C,VDD=16V,RI=100K) 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源(VDD) IStartup 启动电流 VDD= UVLOOFF -1V，流入 VDD 的电流 - 5 20 μA IOperation 工作电流 VFB=3V - 1 2 mA UVLOON VDD 欠压锁定电压 8 9 10 V UVLOOFF VDD 欠压锁定解锁电压 13 14 15.5 V VDD_Clamp VDD 嵌位电压 32 35 37 V OVPON VDD 过压保护电压 26 28 30 V OVPOFF VDD 过压保护释放电压 21 23 25 V - 2 - V/V 75 80 85 % 4.5 5 5.5 V - 0.8 - mA IVDD = 10 mA 反馈 (FB) AVSENSE PWM 输入增益 ΔVFB /ΔVSENSE Maximum duty cycle 最大占空比 VFB_Open FB 开路电压 IFB_Short FB 短路电流 VREF_GREEN 进入绿色模式时的 FB 电压 - 1.8 - V VREF_BURST_H 解除突发模式时的 FB 电压 - 1.1 - V VREF_BURST_L 进入突发模式时的 FB 电压 - 1 - V VTH_PL 过功率保护 FB 电压 - 3.5 - V TD_PL 过功率保护反跳时间 30 38 46 mS VDD=16V ， VFB=3V ， VCS=0V FB 对 GND 短路时流出 FB 的电流 电流检测 (Sense) T_blanking 前沿消隐时间 - 220 - nS TD_OC 检测到控制的延迟时间 - 120 - nS VTH_OC 最大电流限制比较电压 - 0.75 - V 60 65 70 KHz FB=3.3V 振荡器 FOSC 工作频率 VDD=16V,FB=3V,CS=0V ∆f_Temp 频率随温度的变化 VDD = 16V, 5 % 5 % TA -20°C to 140 °C ∆f_VDD 频率随 VDD 的变化 VDD = 9-25V, ∆f_OSC 频率抖动幅度 - ±4 - % F_shuffling 频率抖动周期 - 32 - Hz F_Burst 突发模式基础频率 - 25 - KHz V_RI RI 开路电压 1.95 2 2.05 V 驱动(GATE) V03 www.microne.com.cn Page 5 of 11 ME8200-N VOL 低电位 VDD = 16V, Io = -20 mA 0.8 VOH 高电位 VDD = 16V, Io = 20 mA T_ r 输出上升时间 VDD = 16V, CL = 1nf 220 nS T_ f 输出下降时间 VDD = 16V, CL = 1nf 70 nS V_GATE_Clamp 输出嵌位 18 V 10 V 典型性能参数 V03 www.microne.com.cn V Page 6 of 11 ME8200-N 功能描述 ME8200-N 是一个高性能电流模式 PWM 控制器，为 关闭。为避免功率管开启时产生的尖峰造成误触发，有必 中小功率电源设计提供了最佳选择，该芯片能使系统设计 要做一个前沿消隐时间，这里是 220nS。在这个时间里， 轻易实现超低的待机功耗、优良的 EMI 性能、无 Y 电容、 开关不能被关闭。 无异音的低成本方案，相对于同领域的其它芯片， 绿色模式和突发模式 ME8200-N 具有极高的性价比。 在空载或者轻载时，大部分能量损耗在功率开关管， 启动过程 而这损耗是和开关频率成正比的，因此低的开关频率可以 启动过程中，因为芯片设计的超低启动电流，VDD 有效降低损耗。 通过一大阻值电阻充电，使损耗降到最低。当 VDD 升到 ME8200-N 设计开关频率在空载和轻载时调整，在空 14V 时，芯片内部模块逻辑开始工作，驱动高压 MOS 开 载和轻载时 FB 电压会降低，降到 1.4V 时进入绿色模式， 关。正常工作状态，辅助绕组上的电压会随着输出电压的 芯片频率随着 FB 电压降低而降低，当 FB 电压进一步降 升高而升高，到一定程度后开始给芯片供电。如果 VDD 低到 0.57V 时，芯片进入突发模式，及芯片驱动关断，直 电压低于 9V，芯片将自动关闭，重新进入启动过程。 到 FB 升到 0.67V 时恢复开关。因此可以有效降低系统待 频率设置 机功耗。另外绿色模式的最低频率在 22KHz，以保证在 ME8200-N 的 RI 脚外接一电阻连接到地，决定芯片 的工作频率。F=6500/RI。 任何负载情况下没有音频噪声。 保护功能 ME8200-N 拥有完善的保护功能，以确保系统可靠的 频率抖动 ME8200-N 集成频率抖动功能，正常工作状态，芯片 工作频率围绕中心频率在±4%的范围内随机变化，有效 工作。包括逐周期过流保护（OCP） ，过载保护（OLP）， VDD 欠压锁定（UVLO） ，VDD 过压保护（OVP）等。 改善系统的 EMI 特性，简化系统的设计。 当 ME8200-N 工作在超负载状态时，输出电压无法 电流检测以及前沿消隐 到达额定电压，FB 电压超过内部设置的功率限制阈值电 ME8200-N 进行逐周期电流检测，开关电流经过一个 压达到 30mS 时控制电路关闭开关管，辅助绕组无法继续 检测电阻被 SENSE 脚检测到，到达一定阈值时控制开关 供电，VDD 开始下降，直到降低到 9V，芯片重新启动。 V03 www.microne.com.cn Page 7 of 11 ME8200-N 封装信息 ● 封装类型：SOT23-6 尺寸 (mm) 尺寸 (Inch) 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 A 0.9 1.45 0.0354 0.0570 A1 0 0.15 0 0.0059 A2 0.9 1.3 0.0354 0.0511 B 0.2 0.5 0.0078 0.0196 C 0.09 0.26 0.0035 0.0102 D 2.7 3.10 0.1062 0.1220 E 2.2 3.2 0.0866 0.1181 E1 1.30 1.80 0.0511 0.0708 e 0.95REF 0.0374REF e1 1.90REF 0.0748REF L 0.10 0.60 0.0039 0.0236 a0 00 300 00 300 V03 www.microne.com.cn Page 8 of 11 ME8200-N ● 封装类型：DIP8 尺寸 (mm) 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 A 6.200 6.600 0.244 0.260 B 9.000 9.400 0.354 0.370 C 7.620(Typ.) 0.300(Typ.) D 3.200 3.600 0.126 0.142 E 3.000 3.600 0.118 0.142 a 0.360 0.560 0.014 0.022 b 1.524(Typ.) 0.060(Typ.) c 2.54(Typ.) 0.100(Typ.) c1 0.204 e  V03 尺寸 (Inch) 0.360 0.008 0.510(Min) 00 0.014 0.020(Min) 150 www.microne.com.cn 00 150 Page 9 of 11 ME8200-N ● 封装类型：SOP8 参数 A A1 A2 A3 b c D E E1 e h L L1 θ c1 V03 尺寸（mm） 最小值 1.3 0.05 1.25 0.5 0.33 0.17 4.7 5.8 3.8 尺寸（Inch） 最大值 1.75 0.25 1.65 0.7 0.51 0.25 5.1 6.2 4 最小值 0.0512 0.002 0.0492 0.0197 0.013 0.0067 0.185 0.2283 0.1496 1.27(TYP) 0.25 0.4 0.05(TYP) 0.5 1.27 0.0098 0.0157 1.04(TYP) 0 最大值 0.0689 0.0098 0.065 0.0276 0.0201 0.0098 0.2008 0.2441 0.1575 0.0197 0.05 0.0409(TYP) 8° 0.25(TYP) 0 8° 0.0098(TYP) www.microne.com.cn Page 10 of 11 ME8200-N  本资料内容，随产品的改进，可能会有未经预告之更改。  本资料所记载设计图等因第三者的工业所有权而引发之诸问题，本公司不承担其责任。 另外，应用电路示例为产品之代表性应用说明，非保证批量生产之设计。  本资料内容未经本公司许可，严禁以其他目的加以转载或复制等。  本资料所记载之产品，未经本公司书面许可，不得作为健康器械、医疗器械、防灾器械、 瓦斯关联器械、车辆器械、航空器械及车载器械等对人体产生影响的器械或装置部件使 用。  尽管本公司一向致力于提高质量与可靠性，但是半导体产品有可能按照某种概率发生故 障或错误工作。为防止因故障或错误动作而产生人身事故、火灾事故、社会性损害等， 请充分留心冗余设计、火势蔓延对策设计、防止错误动作设计等安全设计。 V03 www.microne.com.cn Page 11 of 11