富满微电子集团股份有限公司
FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD.
TC3608H.(文件编号:S&CIC2178)
高效率 1.2MHz DC-DC 升压器 IC
概述
TC3608H.是一款固定 1.2MHZ 开关频率的电流模式升压型 DC-DC 转换器。内置 80mΩ功率场效应管使这个
调节器具有高达 96%的效率。内部补偿网络也减少了多达 6 个外部元件。误差信号放大器的同相输入端连接到 0.6V
精密基准电压,内部软启动功能可以减小瞬间突增电流。
TC3608H.轻载时可自动进入脉冲频率调制模式,减小功耗;TC3608H.有欠压锁定,过电流保护,过载保护,
以及过热保护等功能。
TC3608H.封装为 SOT23-6,在应用中节省了 PCB 空间。
特点
可调输出电压高达 24V
内部固定的脉宽调制频率:1.2MHZ
精准反馈参考电压:0.6V(±2.5%)
内部集成 80mΩ功率 MOSFET
宽输入电压:2.3V to 15V
效率高达 96%
封装:SOT23-6
机顶盒
手持设备
便携式产品
应用
LED 显示屏
数码相机
典型应用
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引脚示意图及说明
引脚序号
引脚名称
引脚说明
1
SW
开关节点,连接内部 MOS 管的漏极
2
GND
GND
3
FB
反馈输入,内部参考电压 0.6V
4
EN
使能引脚
5
IN
电源
6
NC
--
最大额定值
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源电压
VIN
--
0
--
26
V
SW 电压
SW
--
0
--
30
V
EN 电压
--
--
0
--
26
V
FB 电压
--
--
0
6
V
功耗
Pd
SOT23-6@Ta=25℃
--
--
455
mW
热阻
θJA
SOT23-6
--
--
+220
℃/W
结温
Tj
--
--
--
+150
℃
工作温度
Top
--
-40
--
+85
℃
储存温度
Tst
--
-55
--
+150
℃
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直流电气特性
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
15
V
2.28
V
系统输入
输入电压范围
欠压锁定
VIN
2.3
Vuvlo
0.1
低压关断滞后
V
静态电流
lcc1
VFB=0.7V, 没有开关
0.1
0.2
mA
供电电流
lcc2
VFB=0.5V, 有开关
1.6
2.2
mA
关断电流
lcc3
Ven=GND
0.1
uA
1.2
MHz
振荡器
工作频率
Fosc
最大占空比
Tduty
90
Vref
0.585
使能电压
Ven
1.5
关断电压
Ven
%
参考电压
参考电压
0.6
0.615
V
使能控制
V
0.4
V
MOS 场效应管
驱动器开启电阻
Rds(on)
开关管最大电流
SW 漏电流
Isw
80
mΩ
4
A
Vsw=20V
1
uA
保护
保护温度
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Totp
+155
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℃
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典型工作特性
Efficiency Cure
Efficiency Cure
Line Regulation
Load Regulation
Freq VS Vin
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Efficiency VS Vin
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功能描述
操作
TC3608H.是电流模式升压转换器。恒定的开关频率为 1.2MHz。内置 80mΩ功率 MOSFET,可实现高电压高
效率输出。控制回路是峰值电流模式控制结构,因此,斜率补偿电路可以被添加到电流感应放大器,以实现占空比
大于 50%时可以稳定运行。
软启动功能
软启动电路集成到 TC3608H.,以避免上电时的浪涌电流。集成电路启动后,误差放大器的输出是通过内部软
启动功能钳位,使 PWM 脉冲宽度缓慢增加,从而降低输入浪涌电流。
过温保护(OTP)
TC3608H.内部结温超过 155℃时将自动关闭功率 MOSFET。
应用信息
电感选择
根据不同的条件决定电感值,一般应用电路建议用 2.2~22uH 的电感。小型化和更高效率是便携式设备的发展
方向;另外有三个重要的电感规格:直流电阻、饱和电流和磁芯损耗。电感器应在 1.2MHz 时具有较低的磁芯损耗
和较低的直流电阻,以获得更好的效率。为避免电感饱和,应使额定电流不超过电感的饱和电流。
电容选择
输出电容保持稳定的直流电压,低 ESR 电容是首选,以减少输出电压纹波。推荐陶瓷电容 X5R 和 X7R,具有
低的等效串联电阻(ESR)和更宽的操作温度范围。
二极管选择
推荐使用肖特基二极管,具有快速恢复时间和低正向电压,确保二极管的电流额定值超过峰值电流的均方根值。
此外,二极管的反射击穿电压必须远大于输出电压。
输出电压设置
输出电压由输出电压到 FB 脚的电阻分压器设定,输出电压是:
布局注意事项
1、电源走线包括 GND、SW 和 IN,走线必须保证宽和短。
2、SW、L 和 D 开关的节点,布线要宽和短,以减少电磁干扰。
3、输入和输出电容尽量贴近芯片放置。
4、R1 和 R2 和 FB 脚连线必须尽可能保证短。
5、FB 脚反应灵敏,应远离 SW。
6、芯片 GND、CIN 和 Cout 应连接较近,直接到地线层。
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