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2SB649(A) Rev.F Mar.-2016 描述 / DATA SHEET Descriptions TO-126 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a TO-126 Plastic Package.  特征 / Features 与 2SD669(A)互补。 Complementary pair with 2SD669(A). 用途 / Applications 用于低频功率放大。 Low frequency power amplifier. 内部等效电路 引脚排列 12 / Equivalent Circuit / Pinning 3 PIN1：Emitter 放大及印章代码 PIN 2：Collector PIN 3：Base / hFE Classifications & Marking hFE Classifications Symbol hFE Range http://www.fsbrec.com B C D 60～120 100～200 160～320 1/6 2SB649(A) Rev.F Mar.-2016 极限参数 / DATA SHEET Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数 Parameter Collector to Base Voltage Collector to Emitter Voltage 符号 Symbol 数值 Rating 单位 Unit VCBO -180 V VCEO Emitter to Base Voltage 2SB649 -120 2SB649A -160 V VEBO -5.0 V Collector Current - Continuous IC -1.5 A Peak Collector Current ICP -3.0 A Collector Power Dissipation PC 1.0 W Collector Power Dissipation PC(Tc=25℃) 20 W Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ Junction Temperature Storage Temperature Range 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃) 参数 Parameter Collector to Base Breakdown Voltage Collector to Emitter Breakdown Voltage Emitter to Base Breakdown Voltage Collector Cut-Off Current DC Current Gain Collector to Emitter Saturation Voltage Base to Emitter Saturation Voltage Transition Frequency Collector Output Capacitance http://www.fsbrec.com 符号 Symbol 测试条件 Test Conditions 最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit IC=-1.0mA IE=0 IC=-10mA RBE=∞ VEBO IE=-1.0mA IC=0 ICBO VCB=-160V IE=0 hFE(1) VCE=-5.0V IC=-150mA 60 hFE(2) VCE=-5.0V IC=-500mA 30 VCE(sat) IC=-500mA IB=-50mA -1.0 V VBE(sat) VCE=-5.0V IC=-150mA -1.5 V fT VCE=-5.0V IC=-150mA Cob VCB=-10V f=1.0MHz IE=0 VCBO VCEO 2SB649 2SB649A -180 V -120 V -160 -5.0 V -10 μA 320 140 MHz 27 pF 2/6 2SB649(A) Rev.F Mar.-2016 电参数曲线图 DATA SHEET / Electrical Characteristic Curve http://www.fsbrec.com 3/6 2SB649(A) Rev.F Mar.-2016 外形尺寸图 DATA SHEET / Package Dimensions http://www.fsbrec.com 4/6 2SB649(A) Rev.F Mar.-2016 印章说明 / DATA SHEET Marking Instructions BR B649 B **** 说明： BR：   为公司代码 B649：  为型号代码 B:    为 hFE 分档代码 ****：  为生产批号代码，随生产批号变化。 BR:    Company Code B649:   Product Type. B:  hFE Classifications Symbol ****:  Lot No. Code, code change with Lot No. Note: http://www.fsbrec.com 5/6 2SB649(A) Rev.F Mar.-2016 DATA SHEET 波峰焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for Dip Soldering(Pb-Free) 说明： Note: 1、预热温度 25～150℃，时间 60～90sec; 1.Preheating:25~150℃, Time:60~90sec. 2、峰值温度 255±5℃，时间持续为 5±0.5sec; 2.Peak Temp.:255±5℃, Duration:5±0.5sec. 3、焊接制程冷却速度为 2～10℃/sec. 3. Cooling Speed: 2~10℃/sec. 耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions 温度：270±5℃ 包装规格 Package Type 封装形式 TO-126/F 套管包装 Package Type 封装形式 使用说明 Temp.:270±5℃ Time:10±1 sec / Packaging SPEC. 散件包装 TO-126/F 时间：10±1 sec. / BULK Units 包装数量 Dimension 包装尺寸 3 (unit：mm ) Units/Tube 只/套管 Tubes/Inner Box 套管/盒 Units/Inner Box 只/盒 Inner Boxes/Outer Box 盒/箱 Units/Outer Box 只/箱 Tube 套管 Inner Box 盒 Outer Box 箱 500 6 3,000 5 15,000 135×190 237×172×102 560×245×195 Units/Tube 只/套管 Tubes/Inner Box 套管/盒 Units/Inner Box 只/盒 Inner Boxes/Outer Box 盒/箱 Units/Outer Box 只/箱 65 26 1,690 5 8,450 / TUBE Units 包装数量 Dimension 包装尺寸 3 (unit：mm ) Tube 套管 Inner Box 盒 Outer Box 箱 532×31×5.6 555×164×50 575×290×180 / Notices http://www.fsbrec.com 6/6