JCS2N60MFB-126F

N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R JCS2N60M（F）B 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson（Vgs=10V） Qg 封装 Package 2.0 A 600 V 5.0Ω 6.0 nC 用途 APPLICATIONS z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 z High efficiency switch 产品特性 FEATURES z Low gate charge z Low Crss (typical 2.1pF ) z Fast switching z 100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z RoHS product z 低栅极电荷 z 低Crss (典型值 2.1pF) z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z 高抗 dv/dt 能力 z RoHS 产品 mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 印 记 Order codes Marking 封 装 Package 无 卤 素 Halogen Free 包 装 Packaging JCS2N60MB-O-F-N-B JCS2N60MB TO-126 否 NO 条管 Tube JCS2N60MFB-O-F-N-B JCS2N60MFB TO-126F 否 NO 条管 Tube 版本：201304A 1/14 JCS2N60M（MF）B R 绝对最大额定值 项 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 JCS2N60MB/MFB Unit 最高漏极－源极直流电 压 Drain-Source Voltage VDSS 600 V 连续漏极电流 Drain Current-continuous ID T=25℃ T=100℃ 1.9 A 1.1 A 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current – pulse IDM （note 1） 6.0 A 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ±30 V 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） EAS 120 mJ 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） IAR 1.9 A 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Current （note 1） EAR 4.4 mJ 二极管反向恢复最大电 压变化速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt （note 3） dv/dt 4.5 V/ns 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃ 44 W 0.35 W/ ℃ 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range TJ，T STG -55～+150 ℃ 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 300 ℃ B B *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 版本：201304A 2/10 JCS2N60M（MF）B R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 符 Parameter 号 Symbol 测试条件 最大 典型 最 大 单 位 Tests conditions Min Typ Max Units 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS I D =250μA, V GS =0V 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS/ΔTJ 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current 600 - - V I D =1mA, referenced to 25℃ - 0.6 - V/℃ V DS =600V,V GS =0V, T C =25℃ - - 10 μA V DS =480V, - - 100 μA nA B B B B B B IDSS B B B B B B B T C =125℃ B B B 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGSSF V DS =0V, V GS =30V - - 100 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGSSR VDS=0V, VGS =-30V - - -100 nA 2.0 - B B B B 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = V GS , ID=250μA 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =10V , ID=1A 正向跨导 Forward Transconductance gfs VDS = 40V , ID=1.0A（note 4） - B B - 4.0 V 3.9 5.0 Ω 2.05 S - 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Ciss 输出电容 Output capacitance Coss 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss 版本：201304A VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MH Z B B - 190 230 pF - 15 20 pF - 1.8 2.1 pF 3/10 JCS2N60M（MF）B R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time td(on) 上升时间 Turn-On rise time tr 延迟时间 Turn-Off delay time VDD=300V,ID=2.0A,RG=25Ω （note 4，5） - 7 23 ns - 23 45 ns td(off) - 22 43 ns 下降时间 Turn-Off Fall time tf - 24 46 ns 栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg - 5.3 6 nC 栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs - 1.8 - nC 栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd - 1.8 - nC VDS =480V , ID=2.0A VGS=10V （note 4，5） 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain -Source Diode Forward Current IS - - 1.9 A 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM - - 6.0 A - - 1.4 V - 230 - ns - 1.0 - μC 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD 反向恢复时间 Reverse recovery time trr 反向恢复电荷 Reverse recovery charge Qrr VGS=0V, IS=2.0A VGS=0V, IS=2.0A dIF/dt=100A/μs (note 4) 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 最大 Max 号 Symbol 单 位 Unit JCS2N60MB/MFB 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 2.87 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 110 ℃/W 注释： Notes: 1：脉冲宽度由最高结温限制 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 2：L=56mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结 2：L=56mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting 温TJ=25℃ 3：ISD ≤2A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ TJ=25℃ 3：ISD ≤2A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperature 5：基本与工作温度无关 版本：201304A 4/10 JCS2N60M（MF）B R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 版本：201304A 5/10 R JCS2N60M（MF）B 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 版本：201304A 6/10 R JCS2N60M（MF）B 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 版本：201304A 7/10 R JCS2N60M（MF）B 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA 版本：201304A 8/10 JCS2N60M（MF）B R 注意事项 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 版本：201304A 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , 9/10 please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please JCS2N60M（MF）B R 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411 传真: 86-432-64671533 版本：201304A MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411 Fax: 86-432-64671533 10/10