AP50P10D

厂商：
APM-MICROELECTRONICS(永源微)
封装：
TO252
描述：
类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@4.5V,8A;

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AP50P10D -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP50P10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gat e charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-50A RDS(ON)

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