JCS3205CH-220C

N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R JCS3205H 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 110 A 55 V 8 mΩ 78nC 用途 APPLICATIONS  高频开关电源  UPS 电源  High 产品特性 FEATURES  Low gate charge  Low Crss (typical 197pF )  Fast switching  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS product efficiency switch mode power supplies  UPS  低栅极电荷  低 Crss (典型值 197pF)  开关速度快  产品全部经过雪崩测试  高抗 dv/dt 能力  RoHS 产品 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package N/A JCS3205CH TO-220C JCS3205SH-S-AR JCS3205SH TO-263 有卤-条管 无卤-条管 有卤-编带 无卤-编带 Halogen-Tube Halogen-Free-Tube Halogen-Reel Halogen-Free-Reel JCS3205CH-C-B JCS3205CH-C-BR N/A JCS3205SH-S-B JCS3205SH-S-BR JCS3205SH-S-A 版本：201807G 1/9 JCS3205H R 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit VDSS 55 V ID T=25℃ T=100℃ 110* A 80* A IDM 440* A 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ±20 V 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） EAS 2970 mJ 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） IAR 60 A 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Current（note 1） EAR 20 mJ 二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt（note 3） dv/dt 5.0 V/ns 200 W 1.33 W/℃ 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current – pulse（note 1） 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃ 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range TJ，TSTG -55～+175 ℃ 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 300 ℃ *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 版本：201807G 2/9 JCS3205H R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 典型 最大 单位 Min Typ Max Units 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient BVDSS ID=250μA, VGS=0V 55 - - V - 0.057 - V/℃ VDS=55V,VGS=0V, TC=25℃ - - 1 μA VDS=44V, - - 10 μA ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to TJ 25℃ 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGSSF VDS=0V, VGS =20V - - 100 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGSSR VDS=0V, VGS =-20V - - -100 nA VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA 2.0 - 4.0 V 7 8 mΩ 10.5 12 mΩ TC=125℃ 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage RDS(ON) T=25℃ VGS =10V , ID=60A - RDS(ON) T=100℃ VGS =10V , ID=60A - gfs VDS = 28V, ID=60A（note 4） - 43 栅电阻 Gate Resistance Rg f=1.0MHZ, VDS OPEN 0.5 1.8 输入电容 Input capacitance Ciss 输出电容 Output capacitance Coss 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance 正向跨导 Forward Transconductance - S 2.6 Ω 动态特性 Dynamic Characteristics 版本：201807G VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ 1375 2750 5625 pF 375 749 1124 pF 99 197 pF 296 3/9 JCS3205H R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time td(on) 上升时间 Turn-On rise time tr 延迟时间 Turn-Off delay time td(off) 下降时间 Turn-Off Fall time VDD=28V,ID=60A,RG=25Ω VGS =10V （note 4，5） tf 栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg 栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs 栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd VDS =44V , ID=60A VGS =10V （note 4，5） - 17 26 ns - 122 183 ns - 57 86 ns - 72 108 ns 38 78 117 nC 6.6 13.2 20 nC 18.9 37.8 56 nC 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain -Source Diode Forward Current IS - - 110 A 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM - - 440 A - 1.3 V - 67 127 ns - 163 253 nC 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD 反向恢复时间 Reverse recovery time trr 反向恢复电荷 Reverse recovery charge Qrr VGS=0V, IS=60A VGS=0V, IS=60A dIF/dt=100A/μs (note 4) 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最大 Max 单 位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 0.75 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 62.5 ℃/W 注释： Notes: 1：脉冲宽度由最高结温限制 1：Pulse width limited by maximum junction 2：L=0.5mH, IAS=60A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始 结温 TJ=25℃ 3：ISD ≤60A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ 5：基本与工作温度无关 temperature 2：L=0.5mH, IAS=60A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3：ISD ≤60A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperature 版本：201807G 4/9 JCS3205H R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Transfer Characteristics On-Region Characteristics 1000 1000 VGS 15V 10V 9V 8V 7V 6.5V 6V 5.5V Bottom 5V 100 25℃ ID [A] I D [A] Top 175℃ 100 10 10 Notes: 1.250μs pulse test 2.VDS=40V Notes: 1. 250μs pulse test 2. TC =25℃ 1 0.1 1 10 1 4 100 6 8 10 12 VGS [V] V DS [V] On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature 1000 0.040 RDSON [Ω] 0.035 IDR [A] 100 175 ℃ 0.030 0.025 60A 40A 0.020 10 25 ℃ 0.015 0.010 Notes: 1. 250μs pulse test 2. VGS=0V 1 Notes： 250μs pulse test 0.005 0.000 0.1 2 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 4 6 8 3.0 VSD [V] Capacitance Characteristics 10 12 14 VGS [V] Gate Charge Characteristics 12 Capacitance [pF] 3 4x10 VDS=44V 10 VGS Gate Source Voltage[V] Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 3 5x10 8 Ciss 3 3x10 6 Coss 3 2x10 4 3 1x10 2 Crss 0 0 0 10 1 10 V D S Drain-Source Voltage [V] 版本：201807G 0 10 20 30 40 50 60 70 80 Qg Toltal Gate Charge [nC] 5/9 90 JCS3205H R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) On-Resistance Variation vs. Temperature Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.15 2.5 2.0 RDS(on)(Normalized) BVDSS(Normalized) 1.10 1.05 1.00 Notes： 1. VGS=0V 2. ID=250μA 0.95 0.90 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 1.5 1.0 Notes： 1. VGS=10V 2. ID=60A 0.5 0.0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 Tj [ ℃ ] 175 Tj [℃ ] Maximum Drain Current vs. Case Temperature Maximum Safe Operating Area For JCS3205H 3 10 ID Drain Current [A] Operation in This Area is Limited by RDS(ON) 10μs 100μs 1ms 2 10 10ms 100ms DC 1 10 Note: 1 TC=25℃ 2 TJ=175℃ 3 Single Pulse 0 10 0 1 10 2 10 10 VDS Drain-Source Voltage [V] Transient Thermal Response Curve For JCS3205H Power Dissipation vs. Case Temperature D=0.5 0.2 0.1 0.1 Notes: 1 Zθ JC(t)=0.75℃/W Max 2 Duty Factor, D=t1/t2 3 TJM-Tc=PDM* Zθ JC(t) 0.05 0.02 JC (t) Thermal Response 1 0.01 Zθ PDM 0.01 t1 t2 single pulse 1E-5 1E-4 1E-3 0.01 0.1 1 10 t1 Square Wave Pulse Duration [sec] 版本：201807G 6/9 R JCS3205H 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 版本：201807G 单位 Unit：mm 7/9 R JCS3205H 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-263 版本：201807G 单位 Unit：mm 8/9 JCS3205H R 注意事项 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411 传真: 86-432-64671533 版本：201807G MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411 Fax: 86-432-64671533 9/9