NPN 型高压功率开关晶体管
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
BU406
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
IC
7A
VCEO
200V
PC(TO-220C)
60W
PC(TO-3PB)
120W
封装 Package
用途
APPLICATIONS
高频开关电源
High frequency switching power
高频功率变换
一般功率放大电路
supply
High frequency power transform
Commonly
power amplifier
circuit
TO-220C
TO-3PB
C
产品特性
FEATURES
高耐压
高电流容量
高开关速度
高可靠性
环保(RoHS)产品
High breakdown voltage
High current capability
High switching speed
High reliability
RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号 Order codes
有卤-条管
有卤-条管
有卤-袋装
有卤-袋装
Halogen-Tube
Halogen-Free-Tube
Halogen-Bag
Halogen-Free-Bag
印
记 Marking
封
装 Package
BU406-C-B
BU406-C-BR
BU406-C-C
BU406-C-CR
BU406
TO-220C
BU406-GD-B
BU406-GD-BR
BU406-GD-C
BU406-GD-CR
BU406
TO-3PB
版本:201809E
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BU406
R
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
目
符
号
Parameter
Symbol
集电极—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage(VBE=0)
集电极—发射极直流电压
数
值
单
位
Value
Unit
VCES
400
V
Collector- Emitter Voltage(IB=0)
VCEO
200
V
发射极—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
9
V
最大集电极直流电流
Collector Current(DC)
IC
7
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current(pulse)
ICP
10
A
最大基极直流电流
Base Current(DC)
IB
4
A
最大基极脉冲电流
Base Current(pulse)
IBP
8
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-220C)
PC
60
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-3PB)
PC
120
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
注:pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。
Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle 10%.
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
测试条件
最小值
Tests conditions
Value(min)
典型值
最大值
Value(typ) Value(max)
单位
Unit
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
200
-
-
V
V(BR)CBO
IC=1mA,IE=0
400
-
-
V
V(BR)EBO
IE=1mA,IC=0
9
-
-
V
ICBO
VCB=400V, IE=0
-
-
10
μA
ICEO
VCE=200V,IB=0
-
-
50
μA
IEBO
VEB=9V, IC=0
-
-
10
μA
Hfe(1)
VCE =5V, IC=2A
60
-
85
Hfe(2)
VCE =5V, IC=7A
15
-
-
VCE(sat)
IC=5A, IB=500mA
-
-
1.5
V
VBE(sat)
IC=5A, IB=500mA
-
-
1.5
V
fT
VCE=10V, IC=0.5A
10
-
-
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
符 号
Parameter
Symbol
最小值
最大值
Value(min) Value(max)
单
位
Unit
结到管壳的热阻 TO-220C
Thermal Resistance Junction Case TO-220C
Rth(j-c)
-
2.08
℃/W
结到管壳的热阻 TO-247
Thermal Resistance Junction Case TO-247
Rth(j-c)
-
1.05
℃/W
版本:201809E
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BU406
R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
VBE(sat)- IC
IF vs VF
IF(AV) vs TC
VBEsat
hFE – IC
,
hFE
特征曲线
PC-TC
IR vs VR
POWER DERATING FACTOR
VCEsat
VCE(sat)- IC
IF(AV) vs TC
IC(A),
SOA
IF(AV) vs TC
VCE (V)
版本:201809E
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R
BU406
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
单位 Unit :mm
TO-220C
版本:201809E
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R
BU406
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
单位 Unit :mm
TO-3PB
版本:201809E
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注意事项
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为
直销和销售代理,无论哪种方式,订货时请
与公司核实。
2.购买时请认清公司商标,如有疑问请与公司
本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额
定值,否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知。
NOTE
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this.
specification sheet and is subject to
change without prior notice.
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CONTACT
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JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
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市场营销部
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电话: 86-432-64675588
64675688
64678411
传真: 86-432-64671533
版本:201809E
MARKET DEPARTMENT
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Province, China.
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