BTA08F TO-220F
8A三象限双向可控硅 BTA08F-600/800
产品特征:
NPNPN 五层结构的硅双向器件;
P型对通扩散隔离;
台而玻璃纯化工艺;
背而多层金属电极;
工作结温高;换向能力强;
高电压变化率dV/dt;
大电流变化率dI/dt;
符合Rohs规范…..
应 用:
加热控制器;调光/调速控制器;洗衣机;搅拌机; 果汁机;面包机;吸尘器
等家用电器等等...
T1:主端子 T2:主端子 G:触发极
主要参数:
符号
参数
数值
单位
IT(RMS)
通态有效值电流
8
A
VDRM/VRRM
断态重复峰值电压
600/800
V
VTM
导通压降
1.55
V
极限参数(TCASE=25℃):
符号
参数
条件
数值
单位
VDRM/VRRM
断态重复峰值电压
Tj=25℃
600/800
V
IT(RMS)
通态均方根电流
TO-220F(TC≤100℃),Fig,1,2
8
A
ITSM
通态不重复浪涌电流
全正弦波,
Tj(init)=25℃,tp=20ms;Fig3,5
80
A
It
2
I t值
正弦波脉冲,tp=10ms
36
AS
dIT/dt
通态电流临界上升率
IG=2*IGT,tr≤10ns,
F=120Hz,Tj=125℃
IGM
门极峰值电流
tP=20us,Tj=125℃
4
A
PG(AV)
门极平均功率
Tj=125℃
1
W
TSTG
存储温度
-40~+150
Tj
工作结温
-40~+125
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2
2
50
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
A/us
℃
1/4
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BTA08F TO-220F
产品电性能
数值
符号
参数
测试条件
VD=12V,
RL=30Ω,
Tj=25℃,
Fig.6
单位
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
VGD
门极不触发电压
VD=VDRM,Tj=125℃,RL=3.3KΩ
IH
维持电流
IT=100mA,Fig. 6
IL
擎住电流
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
TW
SW
CW
≤5
≤10
≤35
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
IG=1.2IGT,
Fig. 6
mA
≤1.3
V
≥0.2
V
≤10
≤15
≤35
mA
Ⅰ-Ⅲ
≤10
≤25
≤50
mA
Ⅱ
≤15
≤30
≤60
mA
≥20
≥40
≥400
V/us
dVD/dt
断态电压临界上升率
VD=67%VDRM,门极开路
Tj=125℃
VTM
通态压降
ITM=11A,tp=380us,Fig.4
IDRM / IRRM
断态重复峰值电流
V
≤1.55
VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃
≤5
≤5
≤5
uA
VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃
≤1
≤1
≤1
mA
热阻参数:
符号
参数
数值
单位
Rth(j-c)
结到管壳的热阻(AC)
TO-220F(Ins)
2.5
℃/W
Rth(j-a)
结到环境的热阻
TO-220F(Ins)
60
℃/W
产品标识:
BT
A
08
-600
C
W
三象限可控硅
T:IGT1-3≤5mA,
双向可控硅
S:IGT1-3≤10mA,
C:IGT1-3≤35mA,
A:TO-220F绝缘封装
断态重复峰值电压
600:≥600V
800: ≥800V
IT(RMS)=8A
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BTA08F TO-220F
参数特性曲线图:
FIG.1 最大功耗与均方根电流关系曲线图
P(W)
10
FIG.2:均方根电流与壳温关系曲线图
9
IT(RMS)(A)
8
8
7
6
6
5
4
4
3
2
2
0
1
IT(RMS)(A)
0
90
2
4
6
8
FIG.3: 峰值浪涌电流与周期数量关系图
ITSM(A)
TC(℃)
0
-50
0
50
100
150
FIG.4: 输出特性图(最大值图)
ITM(A)
100
80
Tj=125ºC
70
60
50
10
40
30
Tj=25ºC
20
10
Number of cycles
1
10
100
1000
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
FIG.6: 门极触发电流、维持电流、擎住
T =125ºC
电流与结温关系曲线图 j
FIG.5: 非重复峰值浪涌电流与正弦波脉宽
关系曲线
1000
VTM(V)
ITSM(A)
2.5
IGT,IH,IL(Tj)/IGT,IH,IL(Tj=25ºC)
2.0
IGT
100
1.5
1.0
IH&IL
10
0.5
o
tp(ms)
0.01
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0.1
1
10
0.0
-40
3/4
Tj( C)
-20
0
20
40
60
80
100
120 140
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封装外形:
TO-220F(Ins)
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