MP9N20

厂商：
MINOS
封装：
TO-220-3
描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):75W;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);

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Silicon N-Channel Power MOSFET Description MP9N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Schematic diagram ① VDS=200V,ID=9A RDS(ON)

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型号：MP9N20
品牌：minos(迈诺斯)
封装：TO-220-3
描述：

国内价格
5+2.15720
50+1.69064
150+1.51568
500+1.29741
2000+1.20021
5000+1.14189

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