Sola IC
SLM2169
1.2MHz,PWM/PFM 切换控制,DC-DC 升压控制器
SLM2169
PWM/PFM 可切换,输出空载时系统静态电流
70UA--80UA(国内专利技术)
转换效率:92%(D1FH3)90%(SS34)
1.2MHZ 开关频率,搭配电感体积可以更小
典型应用图中建议使用参数:
RFB1=110K,RFB2=15K,
Cout 若使用电解电容,推荐 220uF 的电解电
容与 22uF 贴片陶瓷电容并联,且 CFB 不连
接。
Cout 若使用 2 个 22uF 贴片陶瓷电容并联,
CFB=22pF,电感使用 1.5uH。
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概述
SLM2169是一款由基准电压电路、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、时钟闩锁式短路保护电
路、PWM/PFM切换控制电路构成的CMOS升压型DC/DC控制器。
由于使用外接的低导通电阻的N沟道功率MOSFET,因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。
SLM2169可通过PWM控制电路,将占空系数线性改变到90%为止,因此可对应高效率、输入输出电
压差较大的电压条件;同时还具有PWM/PFM切换功能,在轻负载时将工作切换为PFM控制电路,从
而防止因IC的工作电流而导致的效率下降。
SLM2169的输出电容器可使用陶瓷电容器。并且采用了小型的SOT-23-5封装,因此可适用于高密度
安装。
特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
输入电压范围
振荡频率
基准电压
软启动功能
低消耗电流
占空系数
开/关控制功能
外接元器件
UVLO(欠压锁定)功能
无铅、Sn 100%、无卤素
:1.8 V~5.5V
:1.2MHz
:0.6V±2.0%
:10ms典型值
:静止时35μA典型值
:内置PWM/PFM切换控制电路20%~90%
:休眠时消耗电流1.0μA(最大值)
:电感器、二极管、电容器、晶体管
:1.7V典型值
用途
• MP3播放器、数码音响播放器、移动电源
• 数码相机、GPS、无绳收发机
• 其他携带设备
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封装
• SOT-23-5L
图1
引脚号
符号
描述
1
FB
输出电压反馈端子
2
VDD
电源输入端子
3
ON/OFF
开关控制端子
“H”正常工作
“L”待机
4
GND
GND端子
5
EXT
外接晶体管连接端子
绝对最大额定值
(除特殊注明以外: Ta = 25°C、VSS = 0 V)
项目
符号
绝对最大额定值
单位
VDD端子电压
VDD
VSS-0.3 ~ VSS+6.0
V
FB端子电压
VFB
VSS-0.3 ~ VDD+0.3
V
EXT端子电压
VEXT
VSS-0.3 ~ VDD+0.3
V
ON/OFF端子电压
VON/OFF
VSS-0.3 ~ VDD+0.3
V
容许功耗
PD
650
mW
工作环境温度
TOPR
-40 ~+85
℃
保存温度
TSTG
-40 ~+125
℃
注意 绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值。万一超过此额定值,有可能造成
产品劣化等物理性损伤。
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方框图
图2
电气特性
(除特殊注明以外: VDD = 3.3 V、Ta = 25°C)
单位
测试电
路
5.5
V
2
0.6
0.612
V
2
-0.1
---
0.1
uA
2
---
350
---
uA
1
项目
符号
条件
最小
输入电压
VDD
---
1.8
FB电压
VFB
---
0.588
FB端子输入电
流
IFB
VDD=1.8 V~5.5 V
ISS1
切换工作时,无负载
VFB=VFB(S)×0.95
工作时消耗电流
*1
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典型
最大
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静止时消耗电流
ISS2
切换停止时,
VFB=VFB(S)×1.5
---
35
---
uA
1
休眠时消耗电流
ISS0
VON/OFF=0V
---
0
1
uA
1
EXT端子输出电
流
IEXTH
VEXT=VDD-0.4V
---
30
60
mA
IEXTL
VEXT=0.4V
100
200
---
mA
振荡频率
FOSC
----
1.0
1.2
1.4
MHz
1
最大占空系数
MAX DUTY
VFB=VFB(S)×0.95
80
85
90
%
1
PWM/PFM切换
占空系数*2
PFM DUTY
VDD=VOUT(S)-0.1V,
无负载
---
20
---
%
2
UVLO解除电压
VUVLO+
---
1.6
1.7
1.78
V
1
UVLO滞后幅度
VUVLOHY
S
---
0.05
0.10
0.15
V
1
ON/OFF端高电
位输入电压
VSH
VDD=1.8V~5.5V
0.75
---
---
V
1
ON/OFF端低电
位输入电压
VSL
VDD=1.8 V~5.5V
---
---
0.3
V
1
ON/OFF端高电
位输入电流
ISH
VDD=1.8 V~5.5V,
VON/OFF=0.75V
-0.1
---
0.1
uA
1
ON/OFF端低电
位输入电流
ISL
VDD=1.8 V~5.5V,
VON/OFF=0V
-0.1
---
0.1
uA
1
软启动时间
tss
---
---
10
---
mS
2
1
*1. VFB(S)表示FB电压的设定值。
*2. VOUT(S)表示输出电压设定值。VOUT(S)可根据VFB值与输出电压设定电阻(RFB1, RFB2)之间的
比例来进行设定。
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测试电路
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图3
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图4
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功能描述
1.
切换控制方式
SLM2169是可根据负载电流而自动切换脉冲幅度变调方式(PWM)或脉冲频率变调方式(PFM)的
DC/DC控制器。
在输出负载电流大的领域内,利用脉冲幅度可在20%~90%的范围内发生变化的PWM控制,可构成低
纹波电源的DC/DC控制器。在输出负载电流小的领域内,作为PFM控制的脉冲幅度为20%的固定脉冲,
可根据负载电流量而被跳过。因此,振荡电路变为间隔振荡,因可抑制其自身消耗电流,所以在输出
负载电流小的领域内可以防止效率的降低。
2. 软启动功能
SLM2169内置了软启动电路。在电源投入时或ON/OFF端子为“H”的启动后,输出电压(VOUT)缓慢启
动上升,可以抑制冲击电流以及输出电压的上冲。SLM2169将从启动后到VOUT达到输出电压设定值
(VOUT(S))的90%为止的时间称为软启动时间(tss)。软启动的方式采用了基准电压调整方式,在开始
软启动的同时,基准电压从0V开始缓慢启动上升。
3. UVLO 功能
SLM2169为了防止因电源电压降低而导致IC的误工作,内置了UVLO(欠压锁定)电路。在UVLO检测状
态时停止进行切换工作,外接晶体管保持OFF状态。另外,一旦进入UVLO检测状态,软启动功能就
会被复位。但是,其它的内部电路仍在正常工作,不同于电源切断状态,务请注意。
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典型应用
图 5(输出端使用电解电容与贴片陶瓷电容并联)
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图 5(输出端使用贴片陶瓷电容)
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外接元器件选定
1. 电感器
SLM2169工作频率为1.2MHz,推荐使用电感值为1.5uH---3.3uH电感器。
电感值对最大输出电流(IOUT)和效率(η)产生很大的影响。
电感值变得越小时,电感器峰值电流(IPK)就变得越大,提高电路的稳定性,并使可稳定获取的IOUT
増大。然而,电感值变得更小时,由于外接晶体管的电流驱动能力变得不足,而导致效率的降低,IOUT
也会逐渐减少。
电感值变大时,切换晶体管的IPK所引起的功耗变小,达到一定的值时效率变为最大。然后,电感值变
得更大时,电感器的串联电阻所引起的功耗也变大,而导致效率的降低。
此外,在选用电感器时,请注意电感器的容许电流。若电感器流入超过此容许电流的电流,会引起电
感器处于磁性饱和状态,而明显地降低工作效率并导致IC的破损。因此,请选用IPK不超过此容许电流
的电感器。
在非连续模式、连续模式下的理想状态的IPK如以下公式所示。
*1. fosc为振荡频率。
*2. VD为二极管的正向电压。
2. 二极管
请使用满足以下条件的外接二极管:
・采用低正向电压(0.3V左右)的肖特基二极管
・切换速度快
・反向耐压在设定VOUT峰值电压以上
・额定电流在 IPK 以上
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3. 输入,输出电容器
输入端电容器(CIN)可通过降低电源阻抗、输入电流平均化而提高效率。SLM2169推荐使用的电容值
为10μF。
输出端电容器(COUT)是为了平滑输出电压而使用的,由于升压型产品从输入至输出的电流供应为断续
性,因此与降压型产品相比需要更大的电容值。SLM2169 推荐使用陶瓷电容器,在输出电压较高或负
载电流较大的情况下,则推荐使用输出容量值较大的电容器。
输出 5V, 2.1A 应用时, 若输出端使用电解电容,推荐容值为 220uF 的电解电容与 22uF 的贴片陶瓷电
容并联; 若输出端使用 2 个 22uF 的贴片陶瓷电容并联,则需要在 RFB1 两端并联 22pF 的反馈电容
CFB, 并且使用 1.5uH 的电感,从而保证输入电压在 3.3V--4.2V 范围内系统都能稳定工作。
4. 外接增强型 MOSFET
请使用N沟道增强型MOSFET。为了获得良好的效率,使用ON电阻(RON)较低、输入容量(CISS)较小
的MOSFET最为理想。
由于MOSFET的门极电压会被供应到输入电压(VDD),因此须选用门极耐压≥输入电压的使用最大值,
漏极耐压≥输出电压(VOUT)+二极管的正向电压(VD)的MOSFET。
另外,若使用接近UVLO检测电压阈值的MOSFET,在电源投入时会流入大电流,最糟糕时会导致输
出电压不能启动上升,而激发时钟闩锁式短路保护电路的情况发生。因此,请选用开启阈值(VTH)比
UVLO检测电压值低很多的MOSFET。
5. 输出电压设定电阻值(RFB1,RFB2), 相位补偿电容器(CFB)
SLM2169可通过外接分压电阻器,将VOUT设定为任意的数值。请在VOUT端子与VSS端子之间连接
分压电阻器。由于VFB=0.6V(典型值),因此VOUT可按以下公式求出。为了避免受到噪声的影响,请调
整RFB1和RFB2的数值,推荐使用RFB1=110k, RFB2=15k。
与RFB1并联连接的CFB为相位补偿用的电容器。该电容CFB与RFB1并联后可设定零点(相位提前),
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使反馈环路有一定的相位裕度来确保电路工作的稳定性。为了有效地利用该零点所产生的相位提前效
果,请参考以下公式来设定CFB。若输出电容使用贴片陶瓷电容,则推荐使用CFB=22pF的贴片电容;
若输出电容使用电解电容,请勿连接CFB电容,以避免环路不稳定。
应用注意事项
• 功率路径的布线,包括地线,电源线,以及电感与外接MOSFET,DIODE连线尽量走直线,并且粗
短。
• 外接的电容器、电感器等请尽量安装在IC附近,并进行单点接地。
• 分压电阻RFB1,RFB2尽可能靠近FB端子,并且远离电路的开关结点。
• 相位补偿电容CFB紧靠RFB1连接。
• VDD与VSS端子间所连接的电容为0.1μF的电容器为旁路电容器,请优先将旁路电容器安装在IC附近。
• 包含了DC/DC控制器的IC,会产生特有的纹波电压和尖峰噪声。另外,在电源投入时会流入冲击电
流。这些现象会因所使用的线圈、电容器以及电源阻抗的不同而受到很大的影响。因此,设计时请
在实际的应用电路上进行充分的评价。
• 本IC虽内置防静电保护电路,但请不要对IC施加超过保护电路性能的过大静电。
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特性曲线
1. 输出电压纹波
Iout=500mA
Iout=1000mA
2. 过度响应曲线(Vin:0--3V)
Iout=500mA
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Iout=1000mA
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3. 输出电流(Iout)---输出电压(Vout)特性
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