MD6127C46

MD6127CXX 系列 高精度电压检测器 内置延迟电路（内部设定延迟时间） （NMOS/CMOS输出） MD6127CXX系列是使用CMOS 技术开发的、内置了固定的延迟时间 发生电路的高精度电压检测IC。检测电压在内部被固定，精度为 ±2.0%。另外，因为在内部还内置有振荡电路以及计数定时器， 所以不需外接元器件就能延迟解除信号，该延迟时间有3种。在 输出方式上备有NMOS开路漏极和CMOS输出。 ■ 特性： • 超低消耗电流 • 高精度检测电压 • 工作电压范围 • 滞后特性 • 检测电压范围 •延迟时间 •输出方式 1.2μA典型值(@VDD=3.5 V) ±2.0 % 1 V ~ 12.0 V 60 mV 典型值 2.2 V ~ 6.0 V 200 ms 典型值 NMOS开路漏极输出 CMOS输出 •提供 SOT23-5 封装 •无铅、Sn 100%、无卤素 ■ 用途： 笔记本电脑、数码静像相机等手持设备电源监测 仪器仪表、通信设备等的稳压电源监测 微机用电源的监视以及CPU 的复位 ■ 产品目录 型号 MD6127C22 MD6127C24 MD6127C26 MD6127C28 MD6127C30 MD6127C33 MD6127C36 MD6127C40 MD6127C42 MD6127C44 MD6127C46 MD6127C50 检测电 压 2.2V 2.4V 2.6V 2.8V 3.0V 3.3V 3.6V 4.0V 4.2V 4.4V 4.6V 5.0V 输出方式 延迟时间 精度 NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% 打印 MARK（注） SOT23-5L C22X C24X C26X C28X C30X C33X C36X C40X C42X C44X C46X C50X 注：可提供客户半定制产品，选择范围 1.5~7 每 0.1V 步进细分； X 可表示为两种输出方式：C 表示 CMOS 推挽输出，N 表示 NMOS 开漏输出； 第 1 页 共 8 页 ■ 框图 1. NMOS开漏输出 2. CMOS输出 ■ 引脚排列 引脚编号 1 2 3 4 5 ■ 绝对最大额定值： 项目 电源电压 输出电压 NMOS 开漏输出 CMOS 输出 记号 VDD—VSS 引脚名称 DS VSS NC VOUT VDD 功能特性 延时时间切换端 接地端 无连接 电压检测输出端 检测电压输入端 （除特殊注明以外：Ta=25℃） 绝对最大额定值 单位 15 VSS -0.3~ VSS+15 VSS -0.3 ~ VDD+0.3 输出电流 IOUT 50 容许功耗 SOT23-5 PD 250 工作周围温度范围 Topr -40~+85 保存周围温度范围 Tstg -40~+125 注意 绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值。 万一超过此额定值，有可能造成产品劣化等物理性损伤。 VOUT 第 2 页 共 8 页 V V V mA mW ℃ ℃ ■ 电气属性： (除特殊注明以外：Ta@25℃) 项目 记号 条件 检测电压 *1 -VDET - 滞后幅度 VHYS 消耗电流 工作电压 - Iss VDD=3.5V MD6127C22~26 VDD=4.5V MD6127C27~39 VDD=6.5V MD6127C40~60 VDD VDD=1.2 V MD6127C22 ∼ 60 VDD=2.4 V MD6127C27 ∼ 60 VDD=4.8 V 仅 CMOS 输 MD6127C22 ∼ 39 出产品,输 VDD=6.0 V 出晶体管,P MD6127C40 ∼ 54 沟道,VDD− VDD=8.4 V VOUT=0.5 V MD6127C55 ∼ 60 仅 N 沟道开路漏极产品,输出晶体 管,N 沟道,VDD=10V, VOUT=10V 输出晶体 管,N 沟道 VOUT=0.5 V 输出电流 IOUT 泄漏电流 ILEAK 检测电压 的温度系 数*2 △(-VDET ) △Ta*(-VDET) Ta=−40°C ∼ +85°C VDD=− VDET+1 V, DS 端子低 电平 单位 测定 电路 V 1 mV μA μA μA V 1 1 1 1 1 - mA 2 6.0 - mA 2 1.0 2.0 - mA 2 1.25 2.5 - mA 2 1.5 3.0 - mA 2 - - 0.1 μA 2 - ±120 ±360 ppm/℃ 1 130 200 290 ms 1 最小值 典型值 最大值 -VDET(S) *0.98 30 1 -VDET(S) 60 1.1 1.2 1.3 - -VDET(S) *1.02 100 5 5 5 12 0.75 1.5 3.0 延迟时间 1 Td1 延迟时间 2 Td2 VDD=−VDET+1 V, DS 端子高电平 110 220 330 μs 3 输入电压 VSH VSL DS 端子, VDD=6.0 V 1.0 - -- 0.3 V 4 4 MD6127CXXX DS 端子, VDD=6.0 V *1. -VDET : 实际检测电压值、-VDET(S) : 设定检测电压值（表1~2 的检测电压范围的中心值）; ■ 测定电路 1. 2. CMOS输出产品的情况下，不需要上拉电阻 图1 图2 第 3 页 共 8 页 V 3. 4. CMOS输出产品的情况下，不需要上拉电阻 CMOS输出产品的情况下，不需要上拉电阻 图3 图4 ■ 工作说明 1. 基本原理（以CMOS产品为例）： （1）电源电压 (VDD)在解除电压(+VDET)以上时，NMOS晶体管变为关断，PMOS晶体管变为开启，VDD输出 高电平。此时NMOS晶体管为关断状态，比较器输入的输入电压变为： (RB RC) *VDD RA RB RC （2）VDD即使降低到+VDET以下，只要在检测电压(-VDET)以上输出VDD。VDD变为-VDET（图6 A点）以下 时，输出方的NMOS晶体管变为开启，PMOS晶体管变为关断，输出VSS。此时， NMOS晶体管N1变为开启状 态，比较器输入的输入电压变为： RB * VDD RA  RB (3) VDD进一步降低，若降到IC的最低工作电压以下时，输出变得不稳定，在输出被上拉的情况下，输出 变为VDD。 (4)使VDD上升到最低工作电压以上时，VSS被输出，当VDD超过-VDET，只要是相对于+VDET较小时，输出 都为VSS。 (5)再继续使VDD上升到+VDET(图6的 B点)以上时，NMOS晶体管变为关断，PMOS晶体管变为开启， OUT输 出端通过延迟电路只延迟 tD 时间再输出VDD。 图5 图6 第 4 页 共 8 页 2.延迟电路 （1）延迟时间：延迟时间(tD)为由内置的时钟发生电路和计数器而决定的固定值。延迟电路在电源电压 (VDD)开始上升，VDD的电压比变为解除电压(+VDET)时，延迟信号开始输出到OUT端。另外，VDD下降 到检测电压(-VDET)以下时，输出信号不被延迟。 （2）DS 端：DS端为延迟时间ON/OFF 切换控制端，且务必固定为低电平或高电平，DS端为高时的情况， 因为在计数器电路的途中输出，延迟时间变得更短。 ■ 应用电路 MD6127CXX系列电压检测器，因为具有工作保证电压低、检测电压精度高、备有滞后并且内置了延 迟电路，构成简单的复位电路，微机等的复位电路（如图7）。 CMOS应用电路 NMOS应用电路 图 7 微机系统在电源电压比工作保证电压还低的情况下，执行规定以外的程序，会导致破坏存储器和寄 存器的内容的情况发生。另外，电源恢复到正常电位时，如果不把微机设定到所定的初期状态，会导致 异常工作产生。为了防止这样的事故，在电源的瞬间切断和瞬间停止时一定要进行复位工作。 注意 上述连接图以及参数并不作为保证电路工作的依据，实际的应用电路请在进行充分的实测基础上设 定参数。 ■ 用语说明 1. 检测电压(-VDET)、解除电压(+VDET) 检测电压(-VDET)表示输出切换到低电平时的电压，即使是同样的产品也有不同程度的差异，由此差 异而引起的检测电压的最小值(-VDET)Min.到最大值(-VDET)Max.的范围称为检测电压范围；例: MD46CN的 情况下，检测电压为4.508