MD6127C23

高精度电压检测器 MD6127CXX 系列 内置延迟电路（内部设定延迟时间） （NMOS/CMOS输出） MD6127CXX系列是使用CMOS 技术开发的、内置了固定的延迟时间 发生电路的高精度电压检测IC。检测电压在内部被固定，精度为 ±2.0%。另外，因为在内部还内置有振荡电路以及计数定时器， 所以不需外接元器件就能延迟解除信号，该延迟时间有3种。在 输出方式上备有NMOS开路漏极和CMOS输出。 ■ 特性： • • • • • • • • • ■ 超低消耗电流 高精度检测电压 工作电压范围 滞后特性 检测电压范围 延迟时间 输出方式 提供 SOT23-5L、SOT23-3L 封装 无铅、Sn 100%、无卤素 1.2uA典型值(@VDD=3.5 V) ±2.0 % 1 V ～ 12.0 V 60 mV 典型值 2.2 V ～ 6.0 V 200 ms 典型值 NMOS开路漏极输出、CMOS输出 用途： 笔记本电脑、数码静像相机等手持设备电源监测 仪器仪表、通信设备等的稳压电源监测 微机用电源的监视以及CPU 的复位 ■ 引脚排列 SOT 23-5L 5 4 MARKING 1 2 3 引脚编号 1 2 3 4 5 引脚名称 DS VSS NC VOUT VDD 功能特性 延时时间切换端 接地端 无连接 电压检测输出端 检测电压输入端 引脚编号 1 2 3 引脚名称 VOUT VSS VDD 功能特性 电压检测输出端 接地端 检测电压输入端 SOT 23-3L 3 MARKING 1 2 第 1 页 共 11 页 SOT 23-5L (A_Type) 5 4 MARKING 1 2 3 引脚编号 1 2 3 4 5 引脚名称 VOUT VDD VSS NC NC 功能特性 电压检测输出端 检测电压输入端 接地端 无连接 无连接 引脚编号 1 2 3 引脚名称 VOUT VDD VSS 功能特性 电压检测输出端 检测电压输入端 接地端 SOT 89-3L（A_Type） MARKING 1 2 3 ■ 产品目录 型号 MD6127C22 MD6127C24 MD6127C26 MD6127C27 MD6127C28 MD6127C30 MD6127C33 MD6127C36 MD6127C37 MD6127C39 MD6127C40 MD6127C42 MD6127C44 MD6127C46 MD6127C50 MD6127C23 MD6127C263 MD6127C27 MD6127C29 MD6127C50 MD6127C29CA MD6127C22CA MD6127C31CA MD6127C43CA MD6127C47CA 检测电压 2.2V 2.4V 2.6V 2.7V 2.8V 3.0V 3.3V 3.6V 3.7V 3.9V 4.0V 4.2V 4.4V 4.6V 5.0V 2.3V 2.63V 2.7V 2.9V 5.0V 2.9V 2.2V 3.1V 4.3V 4.7V 输出方式 NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS NMOS、CMOS 延迟时间 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms 200ms / / / / / 精度 ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% ±2% 封装 SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-5L SOT23-3L SOT23-3L SOT23-3L SOT23-3L SOT23-3L SOT23-5L SOT89-3L SOT89-3L SOT89-3L SOT89-3L 打印 MARK （注） C22X C24X C26X C27X 注：可提供客户半定制产品，选择范围 1.5~7 每 0.1V 步进细分； NMOS 输出及延时时间为 50mS,100mS 的产品可接受定制。 X 可表示为两种输出方式：C 表示 CMOS 推挽输出，N 表示 NMOS 开漏输出； 第 2 页 共 11 页 C28X C30X C33X C36X C37X C39X C40X C42X C44X C46X C50X C23X C26X C27X C29X C50X C29XA C22XA C31XA C43XA C47XA ■ 框图 1. NMOS开漏输出 2. CMOS输出 ■ 绝对最大额定值： 项目 电源电压 记号 VDD—VSS （除特殊注明以外：Ta=25℃） 绝对最大额定值 单位 15 NMOS 开漏输出 VSS -0.3 ～ VSS+15 VOUT CMOS 输出 VSS -0.3 ～ VDD+0.3 输出电流 IOUT 50 SOT23-5L 250 容许功耗 SOT23-3L PD 250 SOT89-3L 1000 工作周围温度范围 Topr -40 ～ +85 保存周围温度范围 Tstg -40 ～ +125 注意 绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值。 万一超过此额定值，有可能造成产品劣化等物理性损伤。 输出电压 第 3 页 共 11 页 V V V mA mW ℃ ℃ ■ 电气属性： (除特殊注明以外：Ta@25℃) 项目 记号 条件 检测电压 *1 -VDET - 滞后幅度 VHYS 消耗电流 工作电压 - Iss VDD=3.5V MD6127C22~26 VDD=4.5V MD6127C27~39 VDD=6.5V MD6127C40~60 VDD - 泄漏电流 ILEAK 检测电压 的温度系 数*2 △(-VDET ) △Ta*(-VDET) 1 mV μA μA μA V 1 1 1 1 1 - mA 2 6.0 - mA 2 1.0 2.0 - mA 2 1.25 2.5 - mA 2 1.5 3.0 - mA 2 - - 0.1 μA 2 - ±120 ±360 ppm/℃ 1 130 200 290 ms 1 -VDET(S) *0.98 30 1 -VDET(S) 60 1.1 1.2 1.3 - -VDET(S) *1.02 100 5 5 5 12 0.75 1.5 3.0 Ta=−40°C ∼ +85°C VDD=− VDET+1 V, DS 端子低 电平 V 最大值 VDD=1.2 V MD6127C22 ∼ 60 VDD=2.4 V MD6127C27 ∼ 60 VDD=4.8 V 仅 CMOS 输 MD6127C22 ∼ 39 出产品,输 VDD=6.0 V 出晶体管,P MD6127C40 ∼ 54 沟道,VDD− VDD=8.4 V VOUT=0.5 V MD6127C55 ∼ 60 仅 N 沟道开路漏极产品,输出晶体 管,N 沟道,VDD=10V, VOUT=10V IOUT 测定 电路 典型值 输出晶体 管,N 沟道 VOUT=0.5 V 输出电流 单位 最小值 延迟时间 1 Td1 延迟时间 2 Td2 VDD=−VDET+1 V, DS 端子高电平 110 220 330 μs 3 输入电压 VSH VSL DS 端子, VDD=6.0 V 1.0 - -- 0.3 V 4 4 MD6127CXXX DS 端子, VDD=6.0 V *1. -VDET : 实际检测电压值、-VDET(S) : 设定检测电压值（表1~2 的检测电压范围的中心值）; ■ 测定电路 1. 2. 100K VDD VIN DS OUT VDD VIN DS OUT GND GND CMOS输出产品的情况下，不需要上拉电阻 图1 图2 第 4 页 共 11 页 V 3. 4. VIN 100K 100K VDD DS VDD OUT DS VIN OUT GND GND CMOS输出产品的情况下，不需要上拉电阻 CMOS输出产品的情况下，不需要上拉电阻 图3 图4 ■ 工作说明 1. 基本原理（以CMOS产品为例）： （1）电源电压 (VDD)在解除电压(+VDET)以上时，NMOS晶体管变为关断，PMOS晶体管变为开启，VDD输出 高电平。此时NMOS晶体管为关断状态，比较器输入的输入电压变为： ( RB + RC) *VDD RA + RB + RC （2）VDD即使降低到+VDET以下，只要在检测电压(-VDET)以上输出VDD。VDD变为-VDET（图6 A点）以下 时，输出方的NMOS晶体管变为开启，PMOS晶体管变为关断，输出VSS。此时， NMOS晶体管N1变为开启状 态，比较器输入的输入电压变为： RB *VDD RA + RB (3) VDD进一步降低，若降到IC的最低工作电压以下时，输出变得不稳定，在输出被上拉的情况下，输出 变为VDD。 (4)使VDD上升到最低工作电压以上时，VSS被输出，当VDD超过-VDET，只要是相对于+VDET较小时，输出 都为VSS。 (5)再继续使VDD上升到+VDET(图6的 B点)以上时，NMOS晶体管变为关断，PMOS晶体管变为开启， OUT输 出端通过延迟电路只延迟 tD 时间再输出VDD。 图5 图6 第 5 页 共 11 页 2.延迟电路 （1）延迟时间：延迟时间(tD)为由内置的时钟发生电路和计数器而决定的固定值。延迟电路在电源电压 (VDD)开始上升，VDD的电压比变为解除电压(+VDET)时，延迟信号开始输出到OUT端。另外，VDD下降 到检测电压(-VDET)以下时，输出信号不被延迟。 （2）DS 端：DS端为延迟时间ON/OFF 切换控制端，且务必固定为低电平或高电平，DS端为高时的情况， 因为在计数器电路的途中输出，延迟时间变得更短。 ■ 应用电路 MD6127CXX系列电压检测器，因为具有工作保证电压低、检测电压精度高、备有滞后并且内置了延 迟电路，构成简单的复位电路，微机等的复位电路（如图7）。 CMOS应用电路 NMOS应用电路 图 7 微机系统在电源电压比工作保证电压还低的情况下，执行规定以外的程序，会导致破坏存储器和寄 存器的内容的情况发生。另外，电源恢复到正常电位时，如果不把微机设定到所定的初期状态，会导致 异常工作产生。为了防止这样的事故，在电源的瞬间切断和瞬间停止时一定要进行复位工作。 注意 上述连接图以及参数并不作为保证电路工作的依据，实际的应用电路请在进行充分的实测基础上设 定参数。 ■ 用语说明 1. 检测电压(-VDET)、解除电压(+VDET) 检测电压(-VDET)表示输出切换到低电平时的电压，即使是同样的产品也有不同程度的差异，由此差 异而引起的检测电压的最小值(-VDET)Min.到最大值(-VDET)Max.的范围称为检测电压范围；例: MD46CN的 情况下，检测电压为4.508