HX6659 系列
具有模拟输出的比例式线性霍尔效应传感器
1 产品特点
4 概述
比例式线性霍尔效应磁传感器
HX6659系列是一款线性霍尔效应传感器,可按比例
宽工作电压范围:2.8V~6.0V
响应 磁通量密度。HX6659内部电路包含霍尔传感器
低功耗 3.3mA@5.0V VDD
、线 性放大器和CMOS输出级电路。具有高速、低
低噪声输出
噪声输 出特性,在-40℃至125℃ 的宽温度范围内实
Vcc/2 静态输出,可检测N极和S极磁场
现线性 性能。可用于消费类工业类各种磁场检测。
多灵敏度可选
HX6659具有宽工作电压范围,当不存在磁场时,模
- A:1.5mV/Gs,±1600Gs 范围
拟输出 1/2 VCC。输出会随施加的磁通量密度呈线性
- B:2.0mV/Gs,±1200Gs 范围
变化,四个灵敏度选项可根据所需的检测范围提供
- C:2.5mV/Gs,±960Gs
范围
最 大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。
- D:3.0mV/Gs,±800Gs
范围
HX6659可检测垂直于封装顶部的磁通量。由于采用
高品质封装:SOT-23 TO-92S
标准的SOT-23贴片和TO-92S插件封装,HX6659可
工作温度范围:-40℃~125℃
提供 不同的检测方向。
卓越的ESD性能:HBM 4KV
符合RoHS & REACH 标准
电流传感器
电机控制
位置检测
接近开关
高度找平、倾斜和重量测量
角度编码
Hu
aX
in
Te
2 典型应用
ch
SOT-23
3 应用电路原理图
HX6659
TO-92S
注:C1:1nF/10V
C2:10nF/10V
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1
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5 引脚定义和标记信息
SOT-23
VDD
1
OUTPUT
2
GND
3
功能描述
供电输入端
Te
引脚序号
输出端
接地端
Hu
aX
in
引脚名称
ch
引脚结构 (俯视图)
TO-92S
引脚结构 (俯视图)
引脚名称
引脚序号
功能描述
VDD
1
供电输入端
GND
2
接地端
OUTPUT
3
输出端
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2
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Te
ch
6 功能框图
Hu
aX
in
7 输出特性 (TA=-40℃~125℃, VDD=2.8V~6.0V )
项目
工作条件
输出(TO-92S)
输出(SOT-23)
South pole
B>0 Gauss
>VNULL
>VNULL
North pole
B Max Magnetic Gauss
—
4.9
4.99
V
VOL
输出低电平
B> Min Magnetic Gauss
0.01
0.1
—
V
VOS
输出电压摆幅范围
工作状态
—
4.8
—
V
A
—
—
30
mV
B
—
—
40
mV
C/D
—
—
50
mV
TP
TSW
FSW
Magnetic
Range
Sensitivity
Ta=25℃,
COut=10nF
Te
输出噪声
Hu
aX
in
VON
ch
项目
上电时间
工作状态
—
—
150
uS
输出转换时间
工作状态
—
—
150
uS
输出转换频率
工作状态
3
—
A
-1600
—
1600
Gs
B
-1200
—
1200
Gs
C
-960
—
960
Gs
D
-800
—
800
Gs
A
1.38
1.5
1.62
mV/Gs
B
1.84
2.0
2.16
mV/Gs
C
2.3
2.5
2.7
mV/Gs
D
2.76
3.0
3.24
mV/Gs
kHz
磁场检测范围
灵敏度
RVON
0 磁场输出电压误差
实际工作电压/5V 工作电压
—
±1.5
—
%
RSEN
灵敏度误差
实际工作电压/5V 工作电压
—
±1.5
—
%
LIN
线性度
全输出电压范围
—
±1.5
—
%
TCSens
灵敏度温度系数
Sens@125℃/Sens@25℃
—
±0.1
—
%/℃
δVON
0 磁场输出电压随温度变化幅度
|VON@125℃-VON@25℃|
—
20
—
mV
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5
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11 性能曲线图
Te
Typical Temperature (TA) VS VNULL Offset
Hu
aX
in
Typical Supply Voltage (VDD) VS Ratio of VNULL to VDD
ch
HX6659A/B/C/D
Typical Supply Voltage (VDD) VS Linearity
Typical Supply Voltage (VDD) VS Supply Current (IDD)
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Typical Temperature (TA) VS Linearity
Typical Temperature (TA) VS Supply Current (IDD)
6
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Load Current VS Output Voltage
Hu
aX
in
Te
ch
Power Dissipation VS Temperature(TA)
Typical Supply Voltage(VDD) VS Sensitivity
Typical Temperature (TA) VS Sensitivity
Typical Flux Density VS Output Voltage
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7
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12 功能参数描述
(1)VDD 引脚
该引脚为芯片供电引脚。供电电压必须大于最小要求的工作电压 2.8V。
(2)GND 引脚
该引脚为芯片接地引脚,并且需要保证与供电电源的地是强连接。
(3)Output 引脚
HX6659 为推挽式输出结构,无需上拉电阻。当无外加磁场时,输出电压为VDD/2。当向芯片施加S 极磁场时,
输出电压会大于VDD/2。当向芯片施加N 极磁场时,输出电压会小于VDD/2。输出电压更新都会发生在Tsw 之
后。
(4)上电时间(Power on Time)
当向芯片施加电压时,芯片需要一定的建立时间来响应外加磁场。
ch
(5)零输出电压 (Null Voltage output)
当外加磁场为 0 时,输出电压为电源电压 VDD 电压的一半。
(6)灵敏度 (Sensitivity)
Sens
Te
输出电压的变化量正比于磁场强度的变化量,这种正相关性如下式:
VOUT ( B ) VOUT ( B )
( B ) ( B )
(7)线性度 (Linearity)
Hu
aX
in
芯片对于线性磁场可以提供线性输出。考虑两个磁场点,B1 和 B2,理想情况下,对于给定的供电电压和温度,
芯片的灵敏度在两个磁场点上是相同的。对于正向磁场和负向磁场分别给出了线性度计算如下式:
Lin B (1
Lin B - (1
Sens( B 2 )
Sens( B1 )
Sens( B 2 )
Sens( B1 )
) 100%
) 100%
(8)比例输出误差 (Ratiometry Error)
芯片提供比例输出模式。这意味着 0 电压输出 Vnull,灵敏度 Sens,正比于供电电压 VDD。比例值相对于 5V
而言,如下式所示:
RVon (1 -
Vnull VDD /Vnull 5V
RSens (1 -
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VDD /5V
SensVDD /Sens5V
VDD /5V
8
) 100%
) 100%
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时序图
⚫ Power-On time (TPO):
Te
ch
Power on timing
外接电源给芯片供电开始到芯片正常工作,这之间的时间。
Hu
aX
in
⚫ Output switch time, (TSW):
从磁场变化开始到芯片输出响应相应的变化,这之间的时间。
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9
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13 订货信息
封装形式
引脚数
灵敏度
温度
HX6659ISO-A
HX6659ISO-B
SOT-23
3
1.5mV/Gs
-40℃~125℃
SOT-23
3
2.0mV/Gs
-40℃~125℃
HX6659ISO-C
SOT-23
3
2.5mV/Gs
-40℃~125℃
HX6659ISO-D
SOT-23
3
3.0mV/Gs
-40℃~125℃
HX6659IUA-A
TO-92S
3
1.5mV/Gs
-40℃~125℃
HX6659IUA-B
TO-92S
3
2.0mV/Gs
-40℃~125℃
HX6659IUA-C
TO-92S
3
2.5mV/Gs
-40℃~125℃
HX6659IUA-D
TO-92S
3
3.0mV/Gs
-40℃~125℃
ch
型号
Hu
aX
in
Te
14 Hall盘位置
Top View
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10
Bottom View
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封装外形尺寸图
SOT-23
D
Hu
aX
in
A1
TOP VIEW
θ
c
SIDE VIEW
A
Te
e1
A2
e
ch
E1
E
L
b
SIDE VIEW
Symbol
Dimensions in Millimeters
Min.
Typ.
Max.
A
-
-
1.25
A1
0.00
-
0.1
A2
1.00
1.10
1.15
b
0.30
-
0.50
c
0.10
-
0.20
D
2.82
2.95
3.02
E
2.65
2.80
2.95
E1
1.50
1.65
1.70
e
0.85
0.95
1.05
e1
1.80
1.90
2.00
L
0.30
0.45
0.60
θ
0︒
-
8︒
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11
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Hu
aX
in
Te
ch
TO-92S
Symbol
Dimensions in Millimeters
Min.
Typ.
Max.
A
2.90
3.00
3.10
b
0.35
0.39
0.50
b1
0.40
0.44
0.55
C
0.36
0.38
0.45
D
3.90
4.00
4.10
E
1.42
1.52
1.62
E1
0.75
e
L
1.27 TYP
13.50
14.50
θ1
6°
θ2
3°
θ3
45°
θ4
3°
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15.50
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Te
ch
IR Reflow curve
Hu
aX
in
SOT-23 Soldering Condition
TO-92S Soldering Condition
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ch
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Hu
aX
in
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