ES1245SO

数据手册 CMOS 全极性低灵敏度霍尔锁存器 ES1245 1. 概述 ES1245 是一款基于混合信号 CMOS 技术的全极型霍尔 效应传感器，这款 IC 采用了先进的斩稳定技术，因而能够提 供准确而稳定的磁开关点。 ES1245 的输出晶体管在面向封装标示的一面存在一定强 南极或北极磁场时会被锁定在开(BOP)状态，而在无磁场时锁定 在关(BRP)状态。 2. 特点 3. 应用  工作电压范围 2.8-24V  固态开关  高耐压 42V  速度检测  电压反向保护  断续器  全极性的输出开关  低占空比特带簧片开关的磁传感器  开漏输出  高灵敏度直接簧片开关的替代应用 4. 功能框图 ©2009-2021 易良盛科技（天津）有限公司 Rev1.0.2.210108 www.innosensor.com 1/6 数据手册 CMOS 全极性低灵敏度霍尔锁存器 ES1245 5. 管脚定义和描述 UA 引脚编号 SO引脚编号 名称 类型 功能 1 1 VDD 电源 电源电压引脚 3 2 OUT 输出 开漏极输出引脚 2 3 GND 地 接地引脚 245D XXXX 45yww 6. 极限参数 参数 符号 参数值 单位 电源电压 VDD 42 V 电源电流 IDD 5 mA 输出电压 VOUT 42 V 输出电流 IOUT 50 mA 工作温度范围 TA 储存温度范围 TS -40 to 85 ℃ -40 to 150 -50 to 165 ℃ 注意：超过以上极限参数，可能会造成永久性伤害。长时间处于极限条件下可能影响器件的可靠 性。为保障器件正常工作，应满足以下电学特性一节中规定的工作条件。 7. 电学特性 直流工作参数：TA = 25℃，VDD =3.5V ~ 24V（除非另有说明） 参数 符号 测试条件 最小值 电源电压 VDD Operating 2.8 电源电流 IDD B < BRP VDSon IOUT = 20mA, B > BOP 输出漏电流 IOFF B < BRP, VOUT = 24V 1 输出上升时间 TR RL = 1KΩ, CL = 20pF 0.25 μs 输出下降时间 TF RL = 1KΩ, CL = 20pF 0.25 μs 最大转换频率 FSW 10 KHz 封装热阻 RTH 301 ℃/W 输出饱和电压 3 Single layer (1S) JEDEC board ©2009-2021 易良盛科技（天津）有限公司 典型值 Rev1.0.2.210108 最大值 单位 24 V 5 mA 0.5 V 10 µA www.innosensor.com 2/6 数据手册 CMOS 全极性低灵敏度霍尔锁存器 ES1245 8. 磁场特性 直流工作参数：TA = 25℃，VDD=5VDC（除非另有说明） 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 工作点 BOP +/-90 +/-110 +/-130 Gs 释放点 BRP +/-40 +/-80 - Gs 磁滞 BHYS - 40 - Gs 9. 静电保护 根据Mil. Std. 883F method 3015.7做静电等级的人体模型测试： 临界值 参数 符号 单位 VESD 防静电电压 最小值 最大值 ±4 - 备注 kV 10. 使用方法 强烈建议器件的电源（VDD 引脚）和地（GND 引脚）之间连接一个外部旁路电容（邻近霍尔 传感器）以减少外部噪声以及斩波稳定技术产生的噪声。如下所示两张图，通常情况下用 0.1μF 的电容。 C1 100n VDD ES1245 OUT GND R2 10k C2 4.7n 典型应用电路 11. 安装提示 考虑到 Hall IC 以及磁材料的温度系数，气隙以及生命周期变化，在波峰焊接的时候要注意 应用温度范围。典型的红外焊料回流简介：  不要快速加热或冷却  建议在加热到最高温之前先在150℃温度下预热两分钟。  建议在软熔达到最大值之前先在240℃温度下软熔3秒。 12. ESD 防范 电子半导体产品对静电比较敏感，所以每次处理半导体产品时要注意静电控制程序。 ©2009-2021 易良盛科技（天津）有限公司 Rev1.0.2.210108 www.innosensor.com 3/6 数据手册 CMOS 全极性低灵敏度霍尔锁存器 ES1245 13. 封装 1．96 0.75 1.52 ± 0.02 13.1 UA 封装（TO-92S） 3° ± 1° 0．89 45° ± 1° 4.0 ± 0.1 3.90 3 4 3 1 2 3 6° ±1° 3° ± 1° 6° ±1° Notes: 14.5 ± 1 2 1 2 3 3° ± 1° 1.6 0.05 ± 0.05 3.90 0.39 1 2 3 3.0 ± 0.1 245D xxxx 0.44 3.90 2 3 1 4 2 3 Sensor Location 3 1 2 3 Active Area Depth: 0.84(Nom) 1 2 3 1). Controlling dimension: mm; 2). Leads must be free of flash and plating voids; 3). Do not bend leads within 1 mm of lead to package interface; 4). PINOUT: Pin 1 VDD Pin 2 GND Pin 3 Output Marking: 245D -- Code of Device (ES1245); 1.27 ©2009-2021 易良盛科技（天津）有限公司 XXXX -- Production Lot; Rev1.0.2.210108 www.innosensor.com 4/6 数据手册 CMOS 全极性低灵敏度霍尔锁存器 ES1245 13.2 SO 封装（SOT23-3L） Notes: Top View 1）. 测量单位：mm； 3 2）. 引脚必须避开 Flash 和电镀针孔； 45yww 1 1.50 2.65 1.70 2.95 2 3）. 不要弯曲距离封装接口 1mm 以内的引脚线； 4）. 管脚: 脚 1 电源 脚 2 输出 脚3 地 Marking: 45 – 器件型号（ES1245） ； 1.80 2.00 Side View y – 年份； ww– 批次； 2.82 3.02 End View 0.10 0.20 3.00 1.05 1.15 3.00 0.70 0.90 3.00 0.30 0.60 3.00 0.00 0.10 3.00 0.30 0.50 3.00 封装霍尔敏感点位置 Bottom View of SOT-23 Package 3 Chip 0.85 0.75 2 3 0.56 0.66 1 1.502 3 1.40 ©2009-2021 易良盛科技（天津）有限公司 Rev1.0.2.210108 www.innosensor.com 5/6 数据手册 CMOS 全极性低灵敏度霍尔锁存器 ES1245 13.3 TS 封装(TSOT23-3L) Notes: 1）. 测量单位：mm； Top View 3 2）. 引脚必须避开 Flash 和电镀针孔； 45yww 1 1.60 2.65 1.70 2.95 2 3）. 不要弯曲距离封装接口 1mm 以内的引脚线； 4）. 管脚: 脚 1 电源 脚 2 输出 脚3 地 Marking: 45 – 器件型号（ES1245）； 1.90 Side view y– 年份; ww- 周； End View 2.82 3.02 0.08 0.20 3.00 0.70 0.80 0.60 0.70 3.00 0.30 0.60 3.00 0.00 0.10 3.00 0.35 0.50 3.00 Bottom View of TSOT-23 Package 3 Chip 0.85 0.75 2 3 0.56 0.66 1 2 1.53 3 1.43 14. 订购信息 产品型号 温度 封装类型 SO (SOT23-3L) E ( -40℃ ~ 85℃) UA (TO-92S) TS (TSOT23-3L) ES1245 SO (SOT23-3L) L ( -40℃ ~ 150℃) UA (TO-92S) TS (TSOT23-3L) ©2009-2021 易良盛科技（天津）有限公司 Rev1.0.2.210108 www.innosensor.com 6/6