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AP2005
低噪声 4.5A 升压电流模式 PWM 转换器
概述
AP2005 是电流模式 DC-DC 升压转换器。它是内
置 0.05Ω 功率 MOSFET 的 PWM 电路使转换器高
效率。内部补偿电路也减少多达 6 个外部器件。
误差放大器的同相输入端连接到一个精准的 0.6V
基准电压。内部软启动功能,可降低浪涌电流。
AP2005 适应于 SOP8-PP 封装,为应用领域节省
PCB 空间。
z
z
z
z
z
z
z
z
内部固定PWM频率:1MHz
反馈参考电压精度:0.6V (±2%)
内部集成0.05Ω,4.5A,12V功率MOSFET
关机电流:0.1μA
过温保护
过压保护
可调过流保护:0.7A~ 4.5A
封装SOP8-PP
封装
应用
SOP8-PP
z
z
z
z
z
充电器
液晶显示器
数码相机
手持设备
便携产品
特性
PGND
1
8
LX
OC
2
7
NC
VIN
3
6
FB
EN
4
5
GND
EXPOSED PAD
z 可调输出到9V
典型应用电路图
典型效率曲线
η VS IO(VO=5.3V)
94
92
90
η(%)
88
86
84
82
Vin=2.5V
80
Vin=3.0V
78
Vin=3.6V
Vin=3.3V
Vin=4.2V
76
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
Iout(mA)
图 1 典型应用电路
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图 2 典型效率曲线
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AP2005
引脚描述
引脚
序号
引脚
名称
引脚功能
1
PGND
芯片地。
2
OC
3
VCC
4
EN
5
GND
6
FB
误差放大器反向输入。
7
NC
无连接。
8
LX
功率开关输出。
可调电流限制(可悬空)。
芯片电源输入。
使能控制(高有效)。
芯片地。
功能框图
图 3 功能框图
绝对最大额定值(注 1)
输入电压………………………………………………………………………………………….……..….-0.3V to +6V
SW 电压……………………………………………………………………………………………...……-0.3V to +12V
FB,EN 电压……………………………………………………………..……………………………...…...-0.3V to +6V
工作温度范围…………………………………….……………………….…….…………………..….-40°C to +85°C
储存温度范围……………………………………………………………………..…….……….……-65°C to +150°C
引脚温度(焊接, 10s)……………………………………………………………..………………..……………+260°C
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Electrical Characteristics (Note 2)
(VCC =3.3V, TA = 25°C, 按照图1测试电路,除非有其他说明。)
参数
输入电压范围
欠压锁定
符号
测试条件
VCC
最小值 典型值 最大值 单位
2.5
VUVLO
欠压锁定迟滞
5.5
V
2.2
V
0.1
V
静态电流
ICC
VFB=0.66V, No switching
0.2
mA
平均输入电流
ICC
VFB=0.55V, Switching
6.5
mA
关断输入电流
ICC
VEN=GND
0.1
μA
1
MHz
5
%
90
%
工作频率
频率随电压变化
FOSC
△f / △V VCC=2.5V ~5.5V
最大占空比
TDUTY
参考电压
VREF
0.588
VCC=2.5V~5.5V
线性调整率
使能电压
VEN
关断电压
VEN
导通电阻
RDS (ON)
OCP 电流
IOCP
可调 OCP 电流
IOCP
过温保护
TOTP
0.6
0.612
0.2
%/V
0.96
V
0.6
ILX=2A
With External Resistor:
33k~475k
V
V
0.05
Ω
6
A
0.7
4.5
150
A
°C
注 1: 绝对最大额定值是指超过该值则器件的耐用性有可能受损。
注 2: 100%产品在+25°C 时测试,在工作温度范围内的规格,由设计和工艺原理提供保证。
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典型性能特征
η VS IO(VO=5.3V)
Imax vs VIN(VO=5.3V)
94
6.0
92
5.0
90
88
η(%)
Imax(A)
4.0
3.0
86
84
82
2.0
1.0
Vin=2.5V
80
Vin=3.0V
78
Vin=3.6V
Vin=3.3V
TA=25℃
TA=85℃
0.0
Vin=4.2V
76
2.5
2.7
2.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
4.1
4.3
0
500
1000
VIN(V)
1500
2000
2500
3000
3500
4000
Iout(mA)
订货信息
订购代码
AP2005SPER
标记
AP2005
YYWWP1
封装
SOP8-PP
1.YYWW=日期代码
P= 封装厂
运行
过温保护(OTP)
AP2005 是 电 流 模 式 升 压 转 换 器 。 开 关 频 率 为
1MHz,工作模式为脉冲宽度调制(PWM)。内
置的12V / 4.5A MOSFET提供高输出电压。控制
回路结构是峰值电流模式控制;因此,电流信号
加入斜坡补偿电路使电路在占空比大于50%时可
以稳定工作。
当内 部 结 温 超 过 150°C ,AP2005 将自 动 关 闭 功 率
MOSFET。当结温下 降到 低于过温保护阈值温度
30°C时,功率MOSFET自动开启。
软启动功能
AP2005集成了软启动电路以避免电源上电时的
浪涌电流。在电路使能之后,误差放大器的输出
通过内部软启动功能钳制,使PWM脉冲宽度缓
慢增加,从而降低输入浪涌电流。
电流限制设置
通过OC和GND引脚之间的电阻可以设置峰值开关
电流。电阻值应该在33k ~475k之间。电流限制将被
设置在4.5A~0.7A。保证这个引脚的走线尽可能的
短。 不要在此引脚放电容。通过以下公式设置来过
流点:
I OCP =
135000
+ 0.35
R3
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过压保护(OVP)
在某些情况下,分压电阻有可能不接,导致
PWM信号工作在最大占空比,使输出电压升的
很高。当输出电压超过过压保护阈值,功率
MOSFET将立即关闭。AP2005的过压保护阈值为
12V。
应用信息
电感选择
电感值的选择取决于不同的应用条件。一般应用电
路推荐3.3uH ~4.7μH。有三个重要的电感规格,直
流电阻,饱和电流和磁芯损耗。低直流电阻拥有更
好的电源效率。
电容选择
输出电容是必须的以保持直流电压。低ESR电容
时首选以降低输出电压纹波。推荐选用X5R和
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X7R的瓷片电容,其具有较低的ESR和较宽的温
度范围。
布局建议
二极管选择
z 输入和输出电容必须靠近芯片放置并连接到地
以减少噪声耦合。
z GND和裸露焊盘必须连接到一个大面积的地
以保证散热和噪声保护。
z 保证主电流走线尽可能的短而宽。
z DC-DC转换器的SW节点带有高频率电压开关。
它应该保持在一个小的区域。
z 反馈组成部分应尽可能的靠近芯片而远离噪声
器件。
推荐选用肖特基二极管,其具有快速反转恢复
和正向压降低的特点。确保二极管平均和峰值
电流额定值超过输出电流平均值和峰值电感电
流。另外,二极管的反向击穿电压必须大于输
出电压。
输出电压设置
输出电压通过一个在输出电压和FB之间的分压电阻
来设置。输出电压为:
为了体现AP2005的最好性能,必须严格遵守以下规
则。
R2 ⎞
⎛
VOUT = 0.6V × ⎜1 +
⎟
R1 ⎠
⎝
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封装信息
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