SM2082EGS 单通道 LED 线性恒流控制芯片 QZOOITV1.5
SM2082EGS
特点
概述
本司专利的恒流控制技术
a) OUT 端口输出电流外置可调,最
大电流可达 100mA
SM2082EGS 是一款单通道 LED 线性恒流控制芯片,芯片使用本
司专利的恒流设定和控制技术,输出电流由外接 Rext 电阻设置,最
大电流可达 100mA,且输出电流不随芯片 OUT 端口电压而变化,具
b) 芯片间输出电流偏差2
KV
注 1:最大输出功率受限于芯片结温,最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。在极限参数范围内工作,器件功能正常,
但并不完全保证满足个别性能指标。
注 2:RθJA 在 TA=25° C 自然对流下根据 JEDEC JESD51 热测量标准在单层导热试验板上测量。
注 3:温度升高最大功耗一定会减小,这也是由 TJMAX,RθJA 和环境温度 TA 所决定的。最大允许功耗为 PD = (TJMAX-TA)/ RθJA 或是极限范
围给出的数值中比较低的那个值。
电气工作参数(注 4、5)
若无特殊说明,TA=25° C。
符号
说明
条件
最小值
典型值
最大值
单位
VOUT_MIN
恒流拐点
IOUT=30mA
-
-
6.5
V
VOUT_BV
OUT 端口耐压
-
450
-
-
V
IOUT
输出电流
-
5
-
100
mA
IDD
静态电流
VOUT=10V,REXT 悬空
0.1
0.16
0.25
mA
VREXT
REXT 端口电压
VOUT=10V
0.58
0.6
0.62
V
DIOUT
IOUT 片间偏差
IOUT=30mA
-
±4
-
%
TSC
电流负温度补偿起始点(注 6)
-
-
145
-
°C
注 4:电气工作参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数。对于未给定上下限值的参
数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
注 5:规格书的最小、最大参数范围由测试保证,典型值由设计、测试或统计分析保证。
注 6:电流负温度补偿起始点为芯片内部设定温度 145° C。
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网址: www.chinaasic.com
注:说明书更新版本请以公司网站公布为准
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Fax: 0755-26991336
地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层
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SM2082EGS 单通道 LED 线性恒流控制芯片 QZOOITV1.5
OUT 端口输出电流特性
SM2082EGS 的 OUT 端口输出电流计算公式: I OUT
Iout(mA)
VREXT
0.6V
(A) 。
Rext
Rext(Ω)
Iout VS Rext
70
60
50
40
30
20
10
Rext(Ω)
0
0
50
100
150
200
250
图 1. SM2082EGS 输出电流与 Rext 电阻关系曲线
Iout VS Vout
Iout(mA)
100
90mA
80
60mA
60
50mA
40mA
40
30mA
20
20mA
0
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
Vout(V)
图 2. SM2082EGS 恒流曲线图
Iout温度曲线
Iout(mA)
80
60
40mA
40
20
0
Temp(℃)
0
20
40
60
80
100
120
140
图 3. SM2082EGS 输出电流温度特性(注 7)
注 7:芯片焊接到 2cm*2cm,厚度为 1mm 的铝基板上。
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SM2082EGS 单通道 LED 线性恒流控制芯片 QZOOITV1.5
过温调节功能
当 LED 灯具内部温度过高,会引起 LED 灯出现严重的光衰,降低 LED 使用寿命。SM2082EGS 集成了温度补偿
功能,当芯片内部达到 145ºC 过温点时,芯片将会自动减小输出电流,以降低灯具内部温度。
系统方案设计
Vin
…
电源
LED1 LED2
LEDn
Rext
2
REXT
3
NC
4
NC
SM2082EGS
1 GND
NC
8
OUT
7
NC
6
NC
5
图 4. SM2082EGS 应用电路原理图
效率设计理论
图 4 所示的应用电路工作效率计算如下:
η
PLED n * VLED * I LED n * VLED
PIN
VIN * I LED
VIN
其中 Vin 是系统输入电源电压,VLED 是单个 LED 工作电压降,ILED 是 LED 平均电流。可看出系统串联的 LED
数量 n 越大,系统工作效率越高。
系统设计过程中,需根据应用环境调整 SM2082EGS 的 OUT 端口工作电压,优化 η 值。
LED 串联数量设计
系统串接的 LED 数量设计需考虑以下两个方面:
1)
图 4 电路中,OUT 端口电压 VOUT = Vin – n*VLED ,为保证芯片正常工作,需保证 OUT 端口电压 VOUT≥ VOUT_MIN;
2)
芯片 OUT 端口电压越低,系统工作效率越高。
综合以上两点,系统串接的 LED 数量 n 计算为:
n
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Vin Vout
VLED
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SM2082EGS 单通道 LED 线性恒流控制芯片 QZOOITV1.5
芯片应用说明
单颗芯片应用说明
图 5 是 SM2082EGS 交流电源应用方案电路图,LED 灯可采用串联、并联或者串、并结合连接方式; C1 是
电解电容,用于降低 Vin 电压纹波;Rext 电阻用于设置 LED 灯工作电流。
…
L
LED1
Vin
AC
LEDn
LED2
LED灯
C1
SM2082EGS
1 GND
N
2 REXT
Rext1
3 NC
4 NC
NC 8
OUT 7
NC
6
NC
5
图 5 SM2082EGS 典型应用电路—交流电源输入
电解电容 C1 值越大,电压 Vin 纹波越小,SM2082EGS OUT 端口电压纹波越小。C1 值根据 LED 灯总工作电
流而定:电流越大,C1 容值越大。具体计算方法如下:
滤波电容 C1 容值: C1
ILED * t
ΔV
公式中,ILED 为整个方案中的平均电流,时间 t:在 50Hz 时约为(1/4)*(1/fAC)=5ms,ΔV 是 OUT 端口电压
纹波。
芯片并联应用说明
7
6
5
8
7
OUT
NC
NC
NC
OUT
Rext3
4 NC
3 NC
2 REXT
1 GND
SM2082EGS
4 NC
3 NC
2 REXT
5
8
NC
1 GND
NC
5
NC
4 NC
Rext1
SM2082EGS
6
6
NC
3 NC
2 REXT
1 GND
SM2082EGS
NC
7
LED2-n
OUT
LED2-1
8
C1
NC
N
LED1-n
… …
LED1-1
AC
… …
L
…
Rextn
…
图 6. SM2082EGS 并联应用电路原理图
根据 LED 灯工作电流选择并联芯片数量,图中 Rext1~Rext(n+1)的电阻值电阻值建议设置相同,以确保每个
通道的平均电流均匀分布。
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SM2082EGS 单通道 LED 线性恒流控制芯片 QZOOITV1.5
典型应用方案
SM2082EGS 无频闪应用方案(12W)
方案一
L
F1
1A/250V
DB1
MB6S
220V~
C1
10uF/400V
N
R2
510K
LED1
……
LEDn
R1
15R
2 REXT
3
NC
4
NC
SM2082EGS
1 GND
NC
8
OUT
7
NC 6
NC 5
1. LED 灯串电压建议控制在 250V 到 270V 之间,系统工作最优化。
2. 通过改变 R1 电阻值,调整输出工作电流值。
SM2082EGS
L
无频闪应用方案(24W)
F1
1A/250V
DB1
MB6S
LED1-1
220V~
N
C1
22uF/400V
R3
510K
LED2-1
……
方案二
……
LED1-n
LED2-n
2 REXT
R1
15R
3
NC
4
NC
2 REXT
R2
15R
3
NC
4
NC
SM2082EGS
1 GND
SM2082EGS
1 GND
NC
8
OUT
7
NC 6
NC 5
NC
8
OUT
7
NC 6
NC 5
1. LED 灯串电压建议控制在 250V 到 270V 之间,系统工作最优化。
2. 通过改变 R1,R2 电阻值,调整输出工作电流值。
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SM2082EGS 单通道 LED 线性恒流控制芯片 QZOOITV1.5
SM2082EGS 高 PF 应用方案(12W)
方案三
L
F1
1A/250V
220V~
DB1
MB6S
LED1
… …
C1
10nF/1KV
LEDn
N
R1
7.5R
2 REXT
3
NC
4
NC
SM2082EGS
1 GND
NC
8
OUT
7
NC 6
NC 5
1. LED 灯串电压建议控制在 210V 到 230V 之间,系统工作最优化。
2. 通过改变 R1 电阻值,调整输出工作电流值。
3. C1 电容为抗干扰器件,建议使用。
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典型应用方案 EMI 测试
DB1
MB6S
220V~
LED1
R2
510K
C1放电电阻
LEDn
1 GND
R1
15R
2
REXT
3
NC
4
NC
SM2082EGS
N
C1
6.8uF/400V
……
L
F1
1A/250V
NC
8
OUT
7
NC
6
NC
5
EMI 测试:N 线测试结果
EMI 测试:L 线测试结果
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PCB layout 注意事项
铺铜散热
(1) IC 衬底与 PCB 需要采用锡膏工艺,保证 IC 衬底与 PCB 接触良好,IC 衬底禁止使用红胶工艺。
(2) 系统实际输出功率与 PCB 板及灯壳本身散热情况有关,实际应用功率需匹配散热条件。
(3) IC 衬底部分进行铺铜处理,进行散热,增加可靠性,铺铜如上图所示,建议衬底焊盘大小为 2.5mm*1.8mm。
(4) IC 衬底焊盘漏铜距离 OUT 端口需保证 0.8mm 以上的间距。
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封装焊接制程
明微电子所生产的半导体产品遵循欧洲 RoHs 标准,封装焊接制程锡炉温度符合 J-STD-020 标准。
封装厚度
体积
mm3 <
350
体积
体积
mm3:350~2000
mm3 ≥ 2000
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