TX4220
内置 100V/5A MOS 升压/升降压型 DC-DC
概述
特点
TX4220是一款专为升压、升降压开
关电源设计的专用 DC-DC,芯片内置
100V/5A 功率管。
TX4220 典型应用支持 5-36V 输入电
压范围。输出电压小于 100V。
内置 100V/5A 功率管
宽输入电压范围:5V~36V
高效率:可高达 97%
固定工作频率,频率可外接电阻设置
芯片采用固定频率的 PWM 控制方式
并在轻载条件下自动降频提高转换效率。
EN 脚关断功能
芯片内置高精度误差放大器,振荡器,
以及频率补偿电路,简化了外围设计。芯
片内置过流保护以及 EN 脚关断功能。
内置频率补偿
芯片工作频率可通过一个外接电阻调
节,方便根据不同应用设置系统工作频率。
TX4220内部集成了软启动以及过温
保护电路,减少外围元件并提高系统可靠
性。
TX4220 采用 ESOP8 封装。散热片内
置接 SW 脚。
FB 采样电压:1V
内置软启动
内置过温保护
内置限流功能
ESOP8 封装
应用
EPC/笔记本车载适配器
升压、升降压转换
手持设备供电
典型应用电路图
TX4220 典型应用电路图
TX4220_DS01CN
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TX4220
内置 100V/5A MOS 升压/升降压型 DC-DC
封装及管脚分配
(散热片内置接 SW 脚)
管脚定义
TX4220_DS01CN
管脚号
管脚名
描述
1
SW
MOS 管漏极
2
VDD
芯片电源
3
EN
芯片使能,高电平有效。
4
ROSC
外接电阻,设置芯片工作频率
5
VFB
输出电压反馈脚
6
NC
悬空不接
7
GND
接地
8
VCS
MOS 管开关电流限流检测脚
-
散热片
接 SW 脚
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TX4220
内置 100V/5A MOS 升压/升降压型 DC-DC
极限参数(注 1)
符 号
描述
参数范围
单位
VDD
VDD 端最大电压
-0.3~45
V
EN
EN 端最大电压
-0.3~45
V
SW
SW 端最大电压
100
V
VMAX
ROSC、VFB、VCS 脚电压
-0.3~6.5
V
PSOP8
SOP8 封装最大功耗
0.8
W
TA
工作温度范围
-40~85
o
C
TSTG
存储温度范围
-40~120
o
C
TSD
焊接温度范围(时间小于 30 秒)
240
o
C
VESD
静电耐压值(人体模型)
2000
V
注 1:极限参数是指超过上表中规定的工作范围可能会导致器件损坏。而工作在以上极限条件下可能会影响器
件的可靠性。
内部电路方框图
TX4220_DS01CN
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内置 100V/5A MOS 升压/升降压型 DC-DC
电特性(除非特别说明,VDD =5.5V,TA =25oC)
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
36
V
电源电压
VDD 工作电压
VDD
欠压保护电压
VDD_UVLO
VDD上升
4.8
V
工作电流
IOP
FOP =200KHz
2.5
mA
待机输入电流
IINQ
无负载,EN 为低电平
75
uA
5
电源电流
功率管电流采样
过流保护阈值
VCS_TH
240
250
260
mV
VFB
975
1000
1025
mV
输出电流采样
FB 脚电压
工作频率
工作频率
FS
ROSC=330K
120
KHz
EN 使能端输入
EN 端输入高电平
ENH
EN 端输入低电平
ENL
3.2
V
0.8
V
内置 MOS
VDS 耐压
BVDS
MOS 内置
RON
100
OTP_TH
140
100
V
mΩ
过温保护
过温调节
o
C
最大占空比
最大占空比
TX4220_DS01CN
DMAX
VFB=0V
87
%
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内置 100V/5A MOS 升压/升降压型 DC-DC
典型应用图
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内置 100V/5A MOS 升压/升降压型 DC-DC
应用指南
概述
TX4220 是一款专为升压、升降压开关电源设计的专用DC-DC,芯片内置 100V功率MOS。
TX4220 典型应用支持 5-36V输入电压范围。芯片采用固定频率的PWM控制方式,并在轻
载条件下自动降频提高转换效率。芯片内置高精度误差放大器,振荡器,以及频率补偿电路,
简化了外围设计。芯片内置过流保护以及EN脚关断功能。系统工作频率可通过一个外接电阻调
节,方便根据不同应用设置系统工作频率。芯片内部还集成了软启动以及过温保护电路,减少
外围元件并提高系统可靠性。
输出电压设置
输出电压由连接与VFB引脚的分压电阻设置。
Vo =
R1 + R 2
*VFB
R1
其中 VFB=1V。
开关频率Fs设置
开关频率可由连接到ROSC引脚端的电阻ROSC 设定:
4.83*107
Fs =
ROSC + 1.08*105
其中 ROSC 单位为欧姆。如果 ROSC 引脚直接接地即 ROSC=0,TX4220 内部将开关频率设定为
约 450KHz。对于大多数应用,建议 ROSC 取值 100~330KHz 或更大。
RCS设置
通过连接与VCS引脚的电阻RCS设置电感以及MOS管的峰值电流限流点。电感的最大峰值
电流IPK由电阻RCS限定:
I PK ≤
0.25
RCS
过温保护
当芯片温度过高时,系统会限制输入电流峰值,典型情况下当芯片内部温度超过 140 度以
上时,过温保护开始起作用:随温度升高输入峰值电流逐渐减小,从而限制输入功率,增强系
统可靠性。
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内置 100V/5A MOS 升压/升降压型 DC-DC
封装信息
ESOP8 封装参数
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