GL80N03A4

厂商：
GL(光磊)
封装：
TO252
描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):...

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GL80N03A4 R ○ 无锡光磊电子科技有限公司 GL Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： V DSS 30 V ID 80 A design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It PD 83 W can be used in a wide variety of applications. The package R DS(ON)MAX 5.0 mΩ The GL80N03A4 uses advanced trench technology and form is TO-252, which accords with the RoHS standard. TO-252 Features：  RDS(ON)

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