8205S

8205S 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 特点  低导通电阻高密度超低电阻设计  2.5V 栅极驱动  低驱动电流  理想的锂电池保护应用  封装形式：TSSOP-8/SOT-23-6 MI JS     8205S/SOT-23-6   8205S/TSSOP-8 2 S1  3 G1  4   8 D1/D2  7 S2   mi Se S1  D S2     O CR D1/D2  1   G1 NC G2  6  5  4  6 S2 5 G2 1  2  3  S1 Drain      nd co N-Channel MOSFET uc   r to Gate1  Gate2 Source2  Source1  www.jsmsemi.com 第１／３页 8205S 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 最大额定值和热特性 (Ta = 25℃，除非另有说明。) 参数 符号 值 漏源电压 VDS 20 单位 V 栅源电压 VGS ±12 连续漏电流，VS@4.5V ID @TA=25℃ 6 A IDM MI JS 漏极脉冲电流 20 TA = 25℃ 2 最大功耗 PD W O CR TA = 75℃ 1.3 工作结温和存储温度范围 TJ, Tstg -55 to 150 ℃ 结环热阻（PCB 安装） RθJA 62.5 ℃/W 电特性 参数 符号 漏源击穿电压 RDS(on) 最小 跨导 单位 V 20 -- -- VGS = 1.8V,ID = 2.0A -- 53.0 75.0 VGS = 2.5V,ID = 3.5A -- 30.0 38.0 r to 栅源短路时漏极电 流 漏极短路时截止栅 电流 最大 VGS = 0V, ID = 250uA VGS = 4.5V,ID = 4.5A 栅极阈值电压 典型 uc 漏源电阻 BVDSS 测试条件 nd co 静电 mi Se 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 mΩ 22.0 28.0 -- 1.5 V VGS(th) VDS = VGS, ID = 250uA 0.5 IDSS VDS = 20V, VGS = 0V -- -- 1 uA IGSS VGS = ±12V, ID=0uA -- -- ±100 nA gfs VDS = 15V, ID = 6.0A -- 29 -- S Qg VDS = 10V,ID = 6A 6.24 8.11 nC 动态 总栅极电荷 www.jsmsemi.com 第２／３页 8205S 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET   O CR MI JS r to uc nd co mi Se www.jsmsemi.com 第３／３页