JSM2302A-A29T

JSM2302A N-Channel MOSFET 描述 / Descriptions 3 SOT-23 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。 N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. 特征 / Features PIN1：G 1 2 芯片采用超高密度圆胞设计技术，RDS(ON)导通电阻小，SOT-23 封装。 Super high dense cell design for low RDS(ON),SOT-23 package. ｒ / Applications 电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。 ｎｄ / Marking A2SHB ｍｉ Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数 Parameter 数值 Rating 单位 Unit VDSS 20 V VGSS ±8 V Drain Current – Continuous ID 3.0 A Pulsed Drain Current IDM 10 A Continuous Source Current IS 0.95 A Power Dissipation PD 0.9 W Tstg -55～150 ℃ Drain-Source Voltage ＣＲ Ｏ　 Gate-Source Voltage Ｓｅ 符号 Symbol ＪＳ ＭＩ / ｃｏ Marking 极限参数 ｕｃ Battery management,High speed switch,low power DC to DC converter. 印章代码 PIN 3：D ｔｏ 用途 PIN 2：S Storage Temperature Range www.jsmsemi.com 第１页，共４页 JSM2302A N-Channel MOSFET 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃) 参数 Parameter Drain–Source Breakdown Voltage 符号 Symbol V(BR)DSS 测试条件 Test Conditions VGS=0 ID=10μA 最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit 20 V IDSS VGS=0 VDS=20V 1.0 μA Gate–Body Leakage. IGSS VGS=±8V VDS=0V ±100 nA Static Drain–Source On–Resistance RDS(on)1 VGS=4.5V ID=3.6A RDS(on)2 VGS=2.5V ID=3.1A gFS VDS=5V ID=3.6A VSD VGS=0V ID=1.25A VGS(th) VDS=VGS ID=50μA 0.50 State Drain Current ID(on) VDS=5V VGS=2.5V 4 Turn–On Delay Time td(on) Turn–On Rise Time tr Turn–Off Delay Time td(off) tf ｔｏ mΩ 115 mΩ ｕｃ 8 ｎｄ ｃｏ 60 0.75 S 1.2 V 1.0 V A 7 ID=3.6A 55 RL=2.8Ω 15 ns 10 ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ　 Ｓｅ Turn–Off Fall Time VDD=10V VGEN=4.5V RGEN=6Ω ｍｉ Forward Transconductance Drain–Source Diode Forward Voltage Gate Threshold Voltage ｒ Zero Gate Voltage Drain Current www.jsmsemi.com 第２页，共４页 JSM2302A N-Channel MOSFET / Electrical Characteristic Curve ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ　 Ｓｅ ｍｉ ｃｏ ｎｄ ｕｃ ｔｏ ｒ 电参数曲线图 www.jsmsemi.com 第３页，共４页 JSM2302A N-Channel MOSFET / Package Dimensions ＪＳ ＭＩ ＣＲ Ｏ　 Ｓｅ ｍｉ ｃｏ ｎｄ ｕｃ ｔｏ ｒ 外形尺寸图 www.jsmsemi.com 第４页，共４页