FS3401LT1 X1FS21

安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD FS3401 SOT-23-3L 場效應晶體管(SOT-23-3L Field Effect Transistors) P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P 沟道增强型 MOS 场效应管 ■ MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BV DSS -30 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +12 V Drain Current (continuous) 漏極電流-連續 ID -4.5 A Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲 IDM -20 A PD 1500 mW Junction 結溫 TJ 150 ℃ Storage Temperature 儲存溫度 Tstg -55to+150 ℃ Total Device Dissipation 總耗散功率 TA=25℃環境溫度爲 25℃ ■ DEVICE MARKING 打標 FS3401=X1FS ** 1 安徽富信半導體科技有限公司 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD FS3401 ■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID = -250uA,VGS=0V) BVDSS -30 — — V Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID = -250uA,VGS= VDS) VGS(th) -0.6 — -2 V Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(IS= -1A,VGS=0V) VSD — — -1 V Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -24V) (VGS=0V, VDS= -24V, TA=55℃) IDSS — — -1 -5 uA Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+12V, VDS=0V) IGSS — — +100 nA Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= -4.2A,VGS= -10V) RDS(ON) — 40 46 mΩ Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= -2A,VGS= -4.5V) RDS(ON) — 50 58 mΩ Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= -1A,VGS= -2.5V) RDS(ON) — 80 85 mΩ Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS= -15V,f=1MHz) CISS — 954 — pF Output Capacitance 輸出電容 (VGS=0V, VDS= -15V,f=1MHz) COSS — 115 — pF Turn-ON Time 开启時間 (VDS= -15V, VGS= -10V, RGEN=6Ω) t(on) — 6 — ns Turn-OFF Time 关断時間 (VDS= -15V, VGS= -10V, RGEN=6Ω) t(off) — 38 — ns Pulse Width