安徽富信半導體科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD
FS2310M
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
N 沟道增强型 MOS 场效应管
■ MAXIMUM
RATINGS 最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
BV DSS
20
V
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
VGS
+12
V
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
ID
5
A
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
IDM
16
A
PD
1200
mW
Junction 結溫
TJ
150
℃
Storage Temperature 儲存溫度
Tstg
-55to+150
℃
Total Device Dissipation
總耗散功率
TA=25℃環境溫度爲 25℃
■ DEVICE
MARKING 打標
FS2310M=S10
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ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD
FS2310M
■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(ID = 250uA,VGS=0V)
BVDSS
20
22
—
V
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(ID =250uA,VGS= VDS)
VGS(th)
0.5
—
1.2
V
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(IS=0.75A,VGS=0V)
VSD
—
—
1.5
V
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= 16V)
IDSS
—
—
1
uA
Gate Body Leakage
栅極漏電流(VGS=+8V, VDS=0V)
IGSS
—
—
+100
nA
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(ID= 5A,VGS= 4.5V)
RDS(ON)
—
25
26
mΩ
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(ID= 2A,VGS= 2.5V)
RDS(ON)
—
28
32
mΩ
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(ID= 1A,VGS= 1.8V)
RDS(ON)
—
38
46
mΩ
Input Capacitance 輸入電容
(VGS=0V, VDS= 10V,f=1MHz)
CISS
—
620
—
pF
Output Capacitance 輸出電容
(VGS=0V, VDS= 10V,f=1MHz)
COSS
—
150
—
pF
Turn-ON Time 开启時間(VDS=
10V, ID= 3A, RGEN=6Ω)
t(on)
—
10
—
ns
Turn-OFF Time 关断時間
(VDS= 10V, ID= 3A, RGEN=6Ω)
t(off)
—
65
—
ns
Pulse Width
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