HB100N08(CEE)

厂商：
HL(豪林)
封装：
TO263-3
描述：
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):82V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id...

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HB100N08 \HP100N08 N-Channel Trench Power MOSFET General Description 100N08 is N -channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features ● VDS=82V; ID=100A@VGS=10V; RDS(ON)

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