FHS150N1F4A

N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET FHS150N1F4A 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson-typ（ @Vgs=10V） Qg-typ 产品特性 FEATURES 低栅极电荷 低 Crss (典型值 200pF) 开关速度快 100%经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 160 A 100 V 4.2 mΩ 100nC Low gate charge Low Crss (typical 200pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product 用途 APPLICATIONS 电池管理系统 BMS 封装形式 Package 等效电路 Equivalent Circuit D S G TO-263 FHS series 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 符号 Symbol 数值 Value 单位 Unit FHS150N1F4A 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流* Drain Current -continuous * 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current – pulse（note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Current（note 1） 二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt（note 3） 耗散功率 Power Dissipation 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes VDS 100 V ID（TC=25℃） ID（TC=100℃) 160 100 A A IDM 480 A VGS ±20 V EAS 753 mJ IAR 28 A EAR 20 mJ dv/dt 5.0 V/ns PD （TC=25℃） -Derate above 25℃ 223 1.78 W W/℃ TJ，TSTG -55～+150 ℃ TL 300 ℃ *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 1 Ver-1.1 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项目 Parameter 符号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units BVDSS ID=250μA, VGS=0V 100 - - V ID=250μA, referenced to 25℃ - 0.1 - V/℃ VDS=100V,VGS=0V, TC=25℃ - - 1 μA VDS=80V, TC=125℃ - 10 μA VDS=0V, VGS =±20V - - ±100 nA 2.0 2.9 4.0 V 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current 栅极体漏电流 Gate-body leakage current ΔBVDSS/Δ TJ IDSS IGSS（F/R） - 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance 正向跨导 Forward Transconductance VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA RDS(ON) VGS =10V , ID=50A - 4.2 6 mΩ VDS = 10V, ID=50A（note 4） - 120 - S 2.5 - Ω 7080 - 2250 - 200 - 30.4 - ns 28.8 - ns 93 - ns 34.2 - ns 100 - nC 27 - nC 22 - nC - 160 A - 480 A 0.9 1.2 V 73 - ns 150 - nC gfs 动态特性 Dynamic Characteristics f=1.0MHz, 栅电阻 Rg V DS OPEN Gate Resistance 输入电容 Ciss Input capacitance VDS=25V, 输出电容 Coss VGS =0V, Output capacitance f=1.0MHz 反向传输电容 Crss Reverse transfer capacitance 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 td(on) Turn-On delay time VDS=50V, 上升时间 tr ID=50A, Turn-On rise time RG=3Ω 延迟时间 td(off) VGS =10V Turn-Off delay time （note 4，5） 下降时间 tf Turn-Off Fall time 栅极电荷总量 Qg VDS =50V , Total Gate Charge ID=50A , 栅－源电荷 Qgs V GS =10V Gate-Source charge （note 4，5） 栅－漏电荷 Qgd Gate-Drain charge 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain IS -Source Diode Forward Current 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed ISM Drain-Source Diode Forward Current 正向压降 VSD VGS=0V, IS=50A Drain-Source Diode Forward Voltage 反向恢复时间 trr Reverse recovery time VGS=0V, IS=50A ,dIF/dt=100A/μs (note 4) 反向恢复电荷 Qrr Reverse recovery charge 2 pF Ver-1.1 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项目 Parameter 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient 符号 Symbol 最大值 Max 单位 Unit Rth(j-c) 0.56 ℃/W Rth(j-A) 62.5 ℃/W 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 2：L=1mH, IAS=28A, VDD=48V, RG=25 Ω,起始结温 TJ=25℃ 3：ISD ≤160A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 4：脉冲测试：脉冲宽度 ≤300μs,占空比≤2％ 5：基本与工作温度无关 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 2：L=1mH, IAS=28A, VDD=48V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3：ISD ≤160A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperatur 3 Ver-1.1 4 Ver-1.1 5 Ver-1.1 6 Ver-1.1 7 Ver-1.1 印记 Marking: 飞虹 LOGO FEIHONG LOGO 生产批次代码 ASSEMMBLY LOT CODE 产品代码 PRODUCT CODE 档位 GRANDING CODE 产品型号 PART.NO 8 Ver-1.1 9 Ver-1.1