PN8308HSEC-R1B

Chipown PN8308H 支持连续电流模式内置功率 MOS 的同步整流器 概述 特性 PN8308H 包 括 同 步 整 流 控 制 器 及 N 型 功 率 MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替 代次级整流肖特基二极管。  内置10mΩ 100V Trench MOSFET  适用于CCM，DCM和QR工作模式  电流跟踪关断技术  高压自供电技术 PN8308H内置电压降极低的功率MOSFET以提 高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效 率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕 量。 封装/订购信息 PN8308H集成了极为全面的辅助功能，包含电 源欠压保护、最小导通时间等功能。双供电电 源设计支持低压侧应用时更宽的输出电压范 围，并得到更好的可靠性。 SOP8 应用领域   适配器 PD 充电器 GND SW GND SW VCC SW VIN SW 订购代码 封装 PN8308HSEC-R1B SOP8 典型电路 SW -350mV + _ SR on -6A + _ SR reg + _ SR off 0A Tonmin VIN SUPPLY PWM &GATE driver VCC DC PN8308H www.chipown.com VIN GND HVstart control 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.0 1/9 Chipown PN8308H 管脚定义 管脚名 管脚标号 管脚功能描述 GND 1,2 VCC 3 芯片电源引脚 VIN 4 系统输出采样引脚 SW 5,6,7,8 地电位 功率MOSFET的DRAIN 典型功率 产品型号 封装 PN8308H SOP8 密闭式条件 90-265VAC 3A(36W)(1) 备注： 1. 最大输出电流是在环境温度 45℃的密闭式应用情形下测试，系统输出额定电压为 12V。 功能框图 SW -350mV + _ SR on -6A + _ SR reg + _ SR off 0A Tonmin VIN SUPPLY PWM &GATE driver VCC DC PN8308H www.chipown.com VIN GND 无锡芯朋微电子股份有限公司 HVstart control Rev. 1.0 2/9 Chipown PN8308H 极限工作范围 VIN 脚耐压……………..……….……-0.3~28V VCC 脚耐压……………………...…-0.3~20V SW 脚耐压（DC）………….…..…. -0.3~100V SW 脚耐压（Pulse With ≤500ns）…..…. -1~100V 结工作温度范围……….…..…..….-40~150°C 存储温度范围………………………….-55~150°C 管脚焊接温度 （10秒）…………….....260°C 封装热阻 θJC （SOP8）……………….40°C /W 人体模式 ESD 能力(1)（HBM）…………... ±3kV 备注：1. 产品委托第三方严格按照芯片级ESD标准(ESDA/JEDEC JDS-001-2017)中的测试方式和流程进行测试。 电气特性 (TA = 25°C, VCC = 12 V, 除非另有说明) 参数 符号 条件 最小值 典型值 100 105 最大值 单位 功率部分 功率管耐压 BVDSS ISW = 250uA, VCC=12V 关态漏电流 IDSS VSW = 100V, VCC=12V ISW =6A, VGS=10V, TJ = 25°C 功率管导通电阻 功率管阈值 RDS(on) V 1 VTH uA 10 mΩ 1.7 V 电源部分 VCC启动阈值电压 VCC欠压保护阈值电 压 VCC静态工作时电流 VCCon VCC increase 5.5 6 6.5 V VCCoff VCC decrease 5 5.5 6 V IDDOP VCC=12V, no switch. 0.3 0.5 0.7 mA VCC耐压点电流 IDDLT VCC=20V, no switch. 0.4 0.65 1 mA VIN耐压点电流 IVINLT VIN=35V, no switch. 0.4 0.6 0.8 mA VIN LDO电压 高压启动关闭电压 高压充电电流 LDO HVstoff VIN=12V VCC increase IHV 9.5 V 7 V 100 mA SR同步检测部分 检测开启阈值 Vth_SR_on 检测闭环阈值 Ith_SR_regoff -6 A 检测关闭阈值 Ith_SR_off 0 A 开启延时 ON_delay 75 ns 关闭延时 OFF_delay 50 ns -450 -350 -250 mV 最小开启时间 Ton_min 1.2 1.5 1.9 us 最小关断时间 Toff_min 1.8 2.3 2.8 us 内部驱动部分 GATE输出高电平 VOH GATE输出低电平 VOL 最大上拉电流 下拉电阻 www.chipown.com 9.5 V 0.5 V ISOURCE 1.4 A Rpull 1 Ω 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.0 3/9 Chipown PN8308H 特性曲线 20 130 120 RDS(ON) (Ω) BVDSS (V) 15 110 100 10 5 90 80 -50 -25 0 25 50 75 Junction Temperature(℃) 100 0 -50 125 -25 10 8 8 6 4 125 6 4 2 2 0 -50 -25 0 25 50 75 100 0 -50 125 -25 (c)VCCON VS Tj 0.8 -100 Vth_SR_ON (mV) 0 0.6 0.4 0.2 -25 0 25 50 75 Junction Temperature( ℃) 25 50 75 100 125 100 125 (d) VCCOFF VS Tj 1.0 0.0 -50 0 Junction Temperature(℃) Junction Temperature(℃) IDDOP (mA) 100 (b) RDS(ON) VS Tj 10 VCCOFF (V) VCCON (V) (a) BVDSS VS Tj 0 25 50 75 Junction Temperature(℃) 100 125 (e) IDDOP VS Tj -200 -300 -400 -500 -50 -25 0 25 50 75 Junction Temperature(℃) (f) Vth_SR_ON VS Tj 5 Tonmin (us) 4 3 2 1 0 -50 -25 0 25 50 75 Junction Temperature(℃) 100 125 (g) Tonmin VS Tj www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.0 4/9 Chipown PN8308H 功能描述 3. 最小导通时间 1. 启动 在启动阶段，内部高压电流源为VCC电路供电 并给外部VCC电容充电。当VCC电压达到7V， 芯片关断高压启动电路；当系统输出电压升高 到8V左右时，LDO开始为VCC供电。 当VCC电压达到6V时，芯片开始工作; 当VCC 电压低于5.5V时，芯片停止工作。 2. 同步工作模式 芯片控制功率MOSFET开关以实现同步整流功 能。具体工作机制如下： 当芯片检测到Vds小于开启阈值时，控制器驱动 功率MOSFET开启，此时Vgs达到最大值。随着 Isd电流的减小，芯片检测到Isd达到调整阈值 区，芯片会根据Isd的减小幅度来降低Vgs。当 原边开关管导通时，Isd突变达到关断阈值，控 制器将快速关断功率MOSFET。 www.chipown.com 在芯片控制MOSFET开启初期，MOSFET的漏 端有较大的干扰信号，为了避免干扰信号导致 芯片误触发关断信号，芯片加入了屏蔽时间。 在屏蔽时间内，芯片关断值会提高。在屏蔽时 间结束后，芯片关断值会恢复正常值。 4. 最小关闭时间 在芯片关闭MOSFET初期，MOSFET的漏端有 振铃信号，为了避免振铃信号过低导致芯片误 触发开启信号，芯片加入了屏蔽时间。在屏蔽 时间内，芯片无法开启MOSFET。在屏蔽时间 结束后，芯片才会正常开启。 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.0 5/9 Chipown PN8308H 典型应用电路 +12V L N EMI Filter R1 SW PN8275 DMG EC1 SW VCC SW GND SW GND GND C1 HV PN8308H FB CS GND VIN VDD GATE 外围参数选择参考 为了更好体现 PN8308H 的性能，请务必遵守以下规则： 1. 为满足系统更高可靠性的要求，建议在芯片 VIN 脚外围增加电阻 R1，推荐串联 4.7~10 ohm 电阻； 2. VCC 电容 C1 应放置在距离 VCC 引脚和 GND 引脚最近的地方，推荐取值在 1.0uF； 3. 吸收电路 RC，建议 R2 取值 4.7~15 ohm，C2 取值 470 pF~2.2 nF； 4. PCB 布板时，SOP8 封装引脚正下方禁止大面积敷铜，避免波峰焊异常时造成封装分层失效。 www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.0 6/9 Chipown PN8308H 封装信息 SOP8 封装外形及尺寸 尺寸 最小 (mm) 最大 (mm) A 1.35 1.75 A1 0.050 A2 尺寸 最小 (mm) 最大 (mm) E 5.80 6.20 0.250 E1 3.80 4.00 1.350 1.550 e b 0.306 0.510 L 0.400 1.270 c 0.17 0.25 θ 0° 8° D 4.70 5.10 符号 符号 表层丝印 PN PN8308H YWWBXXXX 1.270（BSC） 封装 SOP8 备注：Y：年份代码； WW：周代码；B：版本信息；XXXX：内部代码 备注: 1. 此制图可以不经通知进行调整； 2. 器件本体尺寸不含模具飞边。 www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.0 7/9 Chipown PN8308H 编带及卷轴信息 A (mm) 330 ±1.0 W (mm) 12.00 ±0.3 T (mm) 2.6 +1/-0 F (mm) 5.50 ±0.1 T1 (mm) 12.4 +1/-0 E1 (mm) 1.75 ±0.10 H (mm) 100 ±0.5 P0 (mm) 4.00 ±0.10 SOP8 Package ØC ØD (mm) (mm) 12.00 17.70 +0.5/-0.2 ±0.40 P1 P2 (mm) (mm) 8.0 2.0 ±0.1 ±0.05 d (mm) 1.9 ±0.40 ØD0 (mm) 1.5 +0.1/-0 A0 (mm) 6.40 ±0.1 ØD1 (mm) 1.55 +0.25/-0 B0 (mm) 5.4 ±0.1 K0 (mm) 2.1 ±0.1 Pin 1 Quadrant UL 备注： 1. 此制图可以不经通知进行调整； 2. 所有尺寸是毫米公制的标称值； 3. 此制图并非按严格比例，且仅供参考。客户可联系芯朋销售代表获得更多细节； 4. 此处举例仅供参考。 www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.0 8/9 Chipown PN8308H 重要声明 无锡芯朋微电子股份有限公司保留更改规格的权利，恕不另行通知。无锡芯朋微电子股份有限公司对 任何将其产品用于特殊目的的行为不承担任何责任，无锡芯朋微电子股份有限公司没有为用于特定目 的产品提供使用和应用支持的义务。无锡芯朋微电子股份有限公司不会转让其专利许可以及任何其他 的相关许可权利。 www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.0 9/9