PT2005A

ＰＴ２００５ 概述 特点  支持 DCM 和 QR 模式 ＰＴ２００５ 是一款用于开关电源的高效率同 步整流控制IC。其具备较高的集成度，在有效的  内 部 集 成低内阻 的 N 沟道功率MOSFET 提升开关电源的转换效率的同时，减少了外围元  开关转换速度快、反向恢复时间短 器件的应用。  特有的自供电技术，无需外部电源供电 ＰＴ２００５ 可用于DCM/QR开关电源系统。  内置多重保护 该电路内置45V的功率管，在系统中替代次级肖 特基管,并提高整个系统的工作效率。具有开启 阀值电压低、开关速度快和反向恢复时间短的特 点。 ＰＴ２００５ 具有极低的静态工作损耗和自供 电技术。电路采用SOP8的标准封装形式。  外围应用器件少  静态功耗小 典型应用： ＰＴ２００５Ａ：５Ｖ２．１Ａ ＰＴ２００５Ｂ：５Ｖ２．４Ａ ＰＴ２００５Ｃ：５Ｖ３．１Ａ 应用  电源适配器、电源转换器等  小型数码产品的辅助电源等 典型应用图 VCC GND SW 　 图 1 典型应用图 www.puolop.com - 1- ＰＴ２００５ 管脚封装 GND GND GND VCC SW SW SW SW 管脚描述 序号 符号 功能描述 序号 1 2 功能描述 SW 内部 MOSFET 的漏端 5 GND 地，连到内部 MOSFET 的源端 6 7 3 4 符号 VCC 8 电源端 芯片内部模块图 图 2 电路功能框图 　 www.puolop.com - 2- ＰＴ２００５ 极限参数 项目名称 符号 范围 单位 SW 电压 SW -0.7 ~40 V 最大功耗 PD 2.5 W PN 结到环境的热阻 θJA 80 ℃/W PN 结到壳体的热阻 θJC 55 ℃/W 工作结温范围 TJ -20~150 ℃ 储存温度范围 TSTG -65~150 ℃ ESD(人体模型) 2 KV 注意：(1)如果器件运行条件超过上述各项最大额定值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅是 运行条件的极大值，我们不建议器件在该规范范围外运行。如果器件长时间工作在绝对最大极限条 件下，其稳定性可能会受到影响。 （2）无特殊说明，所有的电压以 GND 作为参考。 电气参数（无特别说明情况下，TA=25℃） 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 静态电流 IQ VCC=7.5V，CVCC=0.1uF 63 80 97 uA VCC 启动电压 VCC_ON VCC 限电压 VCC_OVP VCC 欠压 VCC_UVLO 3.6 V 开启阀值 VTHON -0.4 V 关闭阀值 VTHOFF 功率 MOS 开通延时 TDON 120 ns 功率 MOS 关闭延时 TDOFF 10 ns 最小开通时间 TON_MIN Vcc 电压部分 3.9 7.5 8.0 V 8.5 V 同步控制部分 -15 -10 0.6 0.8 40 45 -5 1.0 mV us 功率 MOS 管 　 漏-源击穿电压 V(BR)DSS VGS=0V, ID=0.25mA 漏-源导通电阻 Rdson ＰＴ２００５Ａ VGS=6.5V, ID=7A 17 20 mΩ 漏-源导通电阻 Rdson ＰＴ２００５Ｂ VGS=6.5V, ID=11A 13 15 mΩ 漏-源导通电阻 Rdson ＰＴ２００５Ｃ VGS=6.5V, ID=9 A 8 10 mΩ 栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS, ID=0.25mA 1.5 反向漏电流 IDSS VDS=40V, VGS=0V 最大峰值电流 Ipeak ＰＴ２００５Ａ 40 A 最大峰值电流 Ipeak ＰＴ２００５Ｂ 60 A 最大峰值电流 Ipeak ＰＴ２００５Ｃ 80 A ＰＴ３５２０ www.puolop.com - 3- V V 1 μA ＰＴ２００５ 工作应用描述 1、 介绍 ＰＴ２００５是一款同步整流器，可以代替肖特基二极管提高反激变换器的效率。 ＰＴ２００５ 支持工 作在非连续模式（DCM）的反激变换器中，其内部集成了低RDS（ON）的N沟道功率MOSFET，外围应 用简单，可靠性高。电路具有极低的静态工作损耗和内部自供电技术。 2、 启动和欠压 在上电时，通过内部的自供电系统，给VCC供电。当VCC电压低于VCC_ON，内置功率MOS管关闭， 依靠功率MOS管寄生体二极管导通。当VCC电压达到VCC_ON时，激活同步整流电路，而当VCC电压 降到VCC_UVLO以下时，IC重新进入欠压锁定状态，芯片重新进入启动状态。 在PSR电源系统工作中，当原边绕组导通时, 副边同名端电位（GND端）会出现一个小于-10V的 负脉冲电压（宽度为Tonp） ，利用SW端与GND端之间的电压差，通过内部特定的自供电回路，可对 的VCC端电容充电；当系统处于退磁时间和自谐振时间段时，系统停止对VCC端电容充电， ＰＴ２００５ 利用VCC端电容的储能对电路持续供电。 3、 同步整流工作状态 I/V 当 ＰＴ２００５ 的 VCC 端电压从 0V 开始升高时，电路首先进入欠压锁定（UVLO）状态，同步整 流输出驱动电压为低电平， 电路处于关闭状态，此时内部 N 沟道 MOSFET 处于寄生二极管整流状态。 VCC 端电压继续上升，当 VCC 达到 VCC_ON 时，内部控制模块启动。电路通过 DRAIN 端检测 VDS 电压，当 VDS 电压低于 VTHON 的阀值时，电路内部产生一个驱动信号经过一定延时后去驱动内部 MOSFET 管导通，此时电流立即从内部寄生的二极管上转移到导通的 MOSFET 管上。随着存储在变 压器上的能量慢慢释放完毕，通过 MOSFET 的电流也将慢慢减小到 0，VDS 的电压也将慢慢上升， 当 DRAIN 端检测到 VDS 电压高于 VTHOFF 的阀值时，驱动电压经过一定延时后关闭，MOSFET 管再 次进入截止状态。图 3 显示了驱动信号与输出的时序图： Is Vds V TH OF F V TH ON Vgate t 图3 Is、Vds 和 Vgate 的典型波形图 　 www.puolop.com - 4- ＰＴ２００５ 封装信息 Symbol A A1 A2 b c D e E1 E L θ Dimensions In Millimeters Min Max 1.350 1.750 0.100 0.250 1.350 1.550 0.330 0.510 0.170 0.250 4.700 5.100 1.270（BSC） 0.050（BSC） 5.800 6.200 3.800 0.400 1.270 0º 8º www.puolop.com - 5- Dimensions In Inches Min A 1.350 A1 0.100 A2 1.350 b 0.330 c 0.170 D 4.700 e 1.270（BSC） E1 5.800 4.000 L 0.400 θ 0º