2N7002K

2N7002K SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors) N-Channel Enhancement-Mode MOS FET With ESD N 沟道增强型带静电保护 MOS 场效应管 ■ MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS 60 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +20 V Drain Current (continuous) 漏極電流-連續 IDR 300 mA Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲 IDRM 500 mA ■ THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 ■ Characteristic 特性 Total Device Dissipation 總耗散功率 TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 PD 225 mW 1.8 mW/℃ 417 ℃/W Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 TJ,Tstg ■ DEVICE MARKING 打標 2N7002K=72K 1/3 150℃,-55to+150℃ 2N7002K ■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID =250uA,VGS=0V) BVDSS 60 — — V Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID =250uA,VGS= VDS) VGS(th) 1.0 — 2.5 V Drain-Source On Voltage 漏極-源極導通電壓(ID=50mA,VGS=5V) (ID =500mA,VGS=10V) VDS(ON) — — 0.375 3.75 V Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(ISD=200mA,VGS=0V) VSD — — 1.5 V Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= BVDSS) IDSS — — 1 uA Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+10V, VDS=0V) (VGS=+20V, VDS=0V) IGSS — — +1 +10 uA RDS(ON) — — Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID=500mA,VGS=10V) (ID=50mA,VGS=5V) ESD Rating 静电保护 ESD 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. 3. Pulse Width