YHG4R3N085S

YHG4R3N085 V1.1 Oct. 2023 85V、123A N沟道增强型功率MOSFET 特性 描述 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体  VDS=85V，ID=123A  RDS(ON)＝4.3mΩ（typ.）@VGS=10V 管，采用 SGT 技术，提供优异的 RDS(ON)和低栅极电  低 RDS(ON) 荷 Qg。封装形式为 TO-220 / TO-263。  低栅极电荷  100%雪崩测试 YHG4R3N085 应用 示意图  DC/DC转换器  电源开关  不间断电源 型号 产品型号 封装形式 YHG4R3N085T TO-220 YHG4R3N085S TO-263 www.yhgx-tech.com TO-220 TO-263 版权 ©2023，北京炎黄国芯科技有限公司 YHG4R3N085 V1.1 Oct. 2023 目 录 1. 电学特性 .................................................................................................................................................... 1 1.1 绝对最大额定值 ....................................................................................................................................1 1.2 电气参数 ............................................................................................................................................... 1 2. 热特性 ........................................................................................................................................................ 3 3. 典型的电特性和热特性 .............................................................................................................................. 3 4. 封装信息 .................................................................................................................................................... 5 5. 订购信息 .................................................................................................................................................... 6 www.yhgx-tech.com 版权 ©2023，北京炎黄国芯科技有限公司 YHG4R3N085 V1.1 Oct. 2023 1. 电学特性 1.1 绝对最大额定值 （除非特殊说明，TC=25℃） 表 1-1 绝对最大额定值 参数 漏 - 源电压 符号 额定值 单位 VDSS 85 V 123 A 77.8 A TC=25℃ ID 连续漏极电流 TC=100℃ 脉冲漏极电流 IDM 492 A 单脉冲雪崩能量 EAS 272 mJ 栅 - 源电压 VGS ±20 V 总功耗 PD 144 W 工作结温范围 TJ, -55 ~ 150 ℃ 贮存温度范围 TSTG -55 ~ 150 ℃ 注1：pulse width limited by max.junction temperature 注2：Limited by TJmax , starting TJ=25℃，L = 0.5mH，Rg =25Ω，VGS =10V. 1.2 电气参数 （除非特别说明，TC=25℃） 表1-2 电气参数 参数 www.yhgx-tech.com 符号 条件 1/6 最小值 典型值 最大值 单位 版权 ©2024，北京炎黄国芯科技有限公司 YHG4R3N085 V1.1 Oct. 2023 静态特性 漏极-源极击穿电压 V DSS VGS =0V,ID=250µA 85 - - V 漏极-源极漏电流 IDSS VDS =85V,VGS =0V - - 1 µA 栅极-源极漏电流 IGSS VGS =±20V,VDS =0V - - ±100 nA 栅极阈值电压 VGS(TH) VDS =VGS,ID=250µA 2.0 - 4.0 V 导通电阻 RDS(ON) VGS =10V,ID=20A - 4.3 5.2 mΩ - 3435 - - 1208 - - 57 - - 2.1 - - 15.2 - - 19.0 - 动态特性 输入电容 Ciss 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss 栅极电阻 Rg 接通延迟时间 td(ON) 上升时间 关断延迟时间 VGS=0V VDS=40V f=1.0MHz VGS= 0V, f=1.0MHz pF Ω ID=20A tr VDS=40V VGS=10V td(OFF) ns - 34.8 - - 20.0 - - 57 - - 16 - - 14 - - - 1.2 - - 123 RG=3Ω 下降时间 栅极总电荷 tf Qg 栅极源极电荷 Qgs 栅极漏极电荷 Qgd VGS=10V VDS=50V ID=20A nC 漏-源二极管特性 二极管压降 源极电流 www.yhgx-tech.com VSD IS = 50A, VGS =0V IS Tj =25°C 2/6 V A 版权 ©2024，北京炎黄国芯科技有限公司 YHG4R3N085 V1.1 Oct. 2023 反向恢复时间 trr 反向恢复电荷 Qrr IS =20A, VDD =50V dI/dt=100A/μs 62 - 80.9 ns - nC - 2. 热特性 表2-1 热阻信息 参数 符号 数值 单位 从结到环境的热阻 RθJA 58 ℃/W 结到壳的热阻 RθJC 0.87 ℃/W 3. 典型的电特性和热特性 www.yhgx-tech.com 图3-1 栅极电荷测试电路 图3-2 栅极电荷测试波形 图3-3 开关测试电路 图3-4 开关测试波形 3/6 版权 ©2024，北京炎黄国芯科技有限公司 YHG4R3N085 V1.1 Oct. 2023 图3-5 单脉冲非钳位电感开关测试电路 图3-6 单脉冲非钳位电感开关测试波形 图3-7 输出特性 图3-8 传输特性 图3-10 RDS(on)与温度的关系 图3-9 Rds(导通)vs漏电流 www.yhgx-tech.com RDS(on)=f(T j); ID=50A; VGS=10V 4/6 版权 ©2024，北京炎黄国芯科技有限公司 YHG4R3N085 V1.1 Oct. 2023 图3-11 安全操作区域 图3-12 最大瞬时热阻抗 4. 封装信息 TO-220 单位：mm 尺寸 项目 最小值 公称值 最大值 A 4.3 4.5 4.7 A1 1 1.3 1.5 A2 1.8 2.4 2.8 b 0.6 0.8 1 b1 1 - 1.6 c 0.3 - 0.7 D 15.1 15.7 16.1 D1 8.1 9.2 10 E 9.6 9.9 10.4 e 2.54BSC H1 6.1 6.5 7 L 12.6 13.08 13.6 L1 www.yhgx-tech.com 5/6 3.95 ΦP 3.4 Q 2.6 3.7 3.9 3.2 版权 ©2024，北京炎黄国芯科技有限公司 YHG4R3N085 V1.1 Oct. 2023 TO-263 单位：mm 尺寸 项目 最小值 公称值 最大值 A 9.8 10 10.4 B 8.9 9.6 9.5 B1 0 - 0.1 C 4.4 4.5 4.8 D 1.16 1.4 1.5 E 0.7 0.75 0.95 F 0.3 0.45 0.6 G 1.07 1.38 1.47 H 1.3 - 1.8 K 0.95 1 1.37 L1 14.5 15.2 16.5 L2 1.6 2 2.3 I 0 - 0.2 Q 0° 3° 8° R N 0.4 2.35 2.4 2.7 5. 订购信息 表5-1 订购信息 产品型号 封装形式 打印标识 YHG4R3N085T TO-220 YHG4R3N085 YHG4R3N085S TO-263 YHG4R3N085 www.yhgx-tech.com 6/6 版权 ©2024，北京炎黄国芯科技有限公司