RTX032000BDTP

RALEC RTX 薄膜晶片電阻器規格標準書 旺詮 IE-SP-017 2021/07/05 1 文件編號 版本日期 頁 次 1 適用範圍: 1.1 本承認書適用於本公司所生產的無鉛、無鹵素之RTX(H)系列薄膜晶片電阻器。 1.2 本公司之無鉛產品意指符合RoHS要求的端電極無鉛。 2 型別名稱: (例) RTX 型別 02 電阻值 (4 碼) 尺寸 薄膜晶片電阻器 01(0201) 02(0402) 03(0603) 05(0805) 06(1206) 12(1210) 20(2010) 25(2512) 1002 容差 EX. 10.2Ω=10R2 10KΩ=1002 IE 制訂 審查 B L=± 0.01% P=± 0.02% W=± 0.05% B=± 0.1% C=± 0.25% D=± 0.5% F=± 1.0% QA 核准 會簽 D 溫度係數 A=±5ppm/℃ B=±10ppm/℃ C=± 15ppm/℃ D=± 25ppm/℃ E=± 50ppm/℃ TH 包裝型式(請參閱 IE-SP-054) Q1：1 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs QE：1 mm Pitch Carrier Tape 150000 pcs TH：2 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs H0：2 mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs H1：2 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs H2：2 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs H3：2 mm Pitch Carrier Tape 30000 pcs H4：2 mm Pitch Carrier Tape 40000 pcs H5：2 mm Pitch Carrier Tape 50000 pcs H6：2 mm Pitch Carrier Tape 60000 pcs TP：4 mm Pitch Carrier Tape 5000 pcs P2：4 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs P3：4 mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs P4：4 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs TE：4 mm Pitch Carrier Tape 4000 pcs E6：8 mm Pitch Carrier Tape 2000 pcs BA：散裝(盒裝) 備註 發行管制章 DATA Center. 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 Series No. 60 RALEC RTX 薄膜晶片電阻器規格標準書 旺詮 IE-SP-017 2021/07/05 2 文件編號 版本日期 頁 次 3 規格表: 型別 額定 最高額定 最高過負 溫度係數 功率 電壓 荷電壓 (ppm℃) 50.1Ω~30KΩ 50.1Ω~100KΩ 300V ±5 ±50、±25 ±15、±10 50.1Ω~30KΩ 50.1Ω~200KΩ 400V ±5 ±50、±25 ±15、±10 50.1Ω~30KΩ 50.1Ω~500KΩ 25V 50V RTX02 1 W 16 50V 1 W 10 75V 1 8 W RTX06 1 4 W RTX12 1 4 W 200V 400V RTX20 1 2 W 200V 400V 3 4 W 200V 400V 200V 400V RTX25 1W 150V 200V 使用溫度範圍 註 150V ±5 ±50、±25 ±15、±10 1 W 20 RTX05 備 100V ±50、±25 ±15、±10 ±50、±25 ±15、±10 RTX01 RTX03 阻值範圍 L(±0.01%) P(±0.02%) E-96、E-24 E-96、E-24 --------50.1Ω~12KΩ 20Ω~12KΩ ±5 ±50、±25 ±15、±10 ±50、±25 ±15、±10 ±50、±25 ±15、±10 ±50、±25 --------------- W(±0.05%) E-96、E-24 ----20Ω~12KΩ 20Ω~10KΩ 4.7Ω~100KΩ 4.7Ω~100KΩ 20Ω~30KΩ 4.7Ω~200KΩ 4.7Ω~200KΩ 20Ω~50KΩ 5.6Ω~500KΩ 5.6Ω~500KΩ 20Ω~100KΩ --------------- 100Ω~100KΩ 100Ω~100KΩ 100Ω~100KΩ B(±0.1%) C(±0.25%) D(±0.5%) F(±1%) E-96、E-24 E-96、E-24 E-96、E-24 E-96、E-24 22Ω~75KΩ 22Ω~5KΩ ----4.7Ω~240KΩ 20Ω~200KΩ --------1Ω~1MΩ 4.7Ω~680KΩ --------1Ω~1.5MΩ 4.7Ω~1MΩ --------1Ω~1.5MΩ 5.6Ω~1.5MΩ --------4.7Ω~1MΩ 4.7Ω~100KΩ ----4.7Ω~1MΩ 4.7Ω~100KΩ ----4.7Ω~1MΩ 4.7Ω~100KΩ ----10Ω~1MΩ RTX01/12/20/25:-55℃~ +125℃ RTX02/03/05/06:-55℃~ +155℃ 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 IE-SP-017 2021/07/05 3 文件編號 版本日期 頁 次 RTX 薄膜晶片電阻器規格標準書 3.1 功率衰減曲線: 型別 使用 溫度 範圍 說明 RTX01/12/20/25 RTX02/03/05/06 －55℃ ~ ＋125℃ －55℃ ~ ＋155℃ 周圍溫度若超過70℃至125℃之間，功率可照下 周圍溫度若超過70℃至155℃之間，功率可照下 圖曲線予以修定之。 圖曲線予以修定之。 功 率 衰 減 曲 線 圖 3.2 額定電壓或額定電流: 額定電壓:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms)電壓。 可用下列公式求得，但求得之值若超過規格表內之最高電壓時，則以最高額定電壓為其額定電 壓。 E=額定電壓(V) P=額定功率(W) R=公稱阻值(Ω)    R×P E 4 尺寸: Unit:mm Dimension L Type Size Code RTX01 0201 0.60±0.03 備 註 W H L1 L2 0.30±0.03 0.23±0.03 0.10±0.05 0.15±0.05 RTX02 0402 1.00±0.10 0.50±0.05 0.30±0.05 0.20±0.10 0.25±0.10 RTX03 0603 1.60±0.10 0.80±0.10 0.45±0.10 0.25±0.15 0.25±0.15 RTX05 0805 2.00±0.10 1.25±0.10 0.50±0.10 0.35±0.20 0.35±0.20 RTX06 1206 3.10±0.10 1.60±0.10 0.55±0.10 0.45±0.20 0.40±0.20 RTX12 1210 3.10±0.10 2.60±0.15 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 RTX20 2010 5.00±0.10 2.50±0.15 0.55±0.10 0.60±0.20 0.50±0.20 RTX25 2512 6.35±0.10 3.20±0.15 0.55±0.10 0.60±0.20 0.50±0.20 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 薄膜晶片電阻器規格標準書 IE-SP-017 2021/07/05 4 文件編號 版本日期 頁 次 5 賴性試驗項目: 5.1 電氣性能試驗(Electrical Performance Test) Item 項目 Specifications規格 Resistors 參考3.規格表 Conditions 條件 （ R2－ R1） Temperature Coefficient of Resistance 溫度係數 Short Time Overload 短時間過負荷 Insulation Resistance 絕緣電阻試驗 TCR（ppm/℃）＝ R1（ T2－ T1） ×106 R1:室溫下量測之阻值(Ω) R2:-55℃或+125℃下量測之阻值(Ω) T1:室溫之溫度(℃) T2:-55℃或+125℃之溫度(℃)。 依據 JIS-C5201-1 4.8 施加2.5倍的額定電壓5秒，靜置30分鐘以上再量測阻值變化率。 ±(0.5%+0.05Ω) (額定電壓值請參考 3.規格表) 外觀無損傷，無短路或燒毀現象。 依據 JIS-C5201-1 4.13 將晶片電阻置於治具上，在正負極施加100 VDC一分鐘後測量電 ≧109Ω 極與保護層及電極與基板(底材)之絕緣電阻值。 依據 JIS-C5201-1 4.6 絕緣材質 A 測試點 印刷保護層面 Dielectric Withstand Voltage 絕緣耐電壓 備 註 B 測試點 電阻背面 晶片電阻 壓力彈簧 將晶片電阻置於治具上，在正、負極施加最大工作電壓VAC 一分鐘 依據 JIS-C5201-1 4.7 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 無短路或燒毀現象。 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 薄膜晶片電阻器規格標準書 IE-SP-017 2021/07/05 5 文件編號 版本日期 頁 次 5.2 機械性能試驗(Mechanical Performance Test) Item 項目 Solderability 焊錫性 Conditions 條件 前處理： 在溫度155℃條件下進行4小時的老化測試，取出後靜置於室溫下 2小時。 測試方法： 將電阻浸於245±3℃之爐中3±0.5秒後取出置於顯微鏡下觀察焊 錫面積。 Specifications規格 Resistors 導體吃錫面積應大於95%。 依據 J-STD-002 B 測試項目(焊錫爐測試): (1).阻值變化率 △R%=±(1.0%+0.05Ω) Resistance to 浸於260+5/-0℃之錫爐中10 秒+1/-0，取出靜置60分鐘以上，再 (2).電極外觀無異常，無側導脫落。 Soldering Heat 量測阻值變化率。 抗焊錫熱 依據 JIS-C5201-1 4.18 測試項目(彎折性測試): (1).阻值變化率： ±(0.25%+0.05Ω) 將晶片電阻焊於彎折性測試板中，置於彎折測試機上，在測試板 (2).外觀無損傷、無側導脫落及本 中央施力下壓，於負荷下量測阻值變化率。 體斷裂發生。 下壓深度(D): RTX02,03,05:5mm RTX01,06,12:3mm RTX20,25:1mm Joint Strength Of Solder 焊錫粘合強度 依據JIS-C5201-1 4.33 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 薄膜晶片電阻器規格標準書 IE-SP-017 2021/07/05 6 文件編號 版本日期 頁 次 5.3 環境試驗(Environmental Test) Item 項目 Conditions 條件 置於125±5℃之烤箱中1000+48/-0 hrs，取出靜置1hr以上再量測 Resistance to Dry Heat 阻值變化率。 耐熱性試驗 依據 JIS-C5201-1 4.25 將晶片電阻置入冷熱沖擊中，溫度為-55℃ 2分鐘，+125℃ 2分 鐘為一循環，共計循環300次後取出，靜置60分鐘再量測阻值變 化率。 測試條件 Thermal Shock 冷熱沖擊 最低溫度 -55±3℃ 最高溫度 125±2℃ 溫度保留時間 15 分鐘 依據 MIL-STD 202 Method 107 置於溫度40±2℃相對濕度90~95%恆溫恆濕槽中，並施加額定電 Loading Life 壓，90分鐘ON，30分鐘OFF，共1,000hrs取出靜置60分鐘以上 in Moisture 再量測阻值變化率。 耐濕負荷 依據 JIS-C5201-1 4.24 置於70±5℃之烤箱中施加額定電壓，90分鐘ON，30分鐘OFF， Load Life 共1,000 hrs取出靜置60分鐘以上再量測阻值變化率。 負荷壽命 依據 JIS-C5201-1 4.25 Specifications規格 Resistors ±(0.5%+0.05Ω) ±(0.5%+0.05Ω) ±(0.5%+0.05Ω) ±(0.5%+0.05Ω) 6 技術資料(此為建議值，請客戶使用時依實際應用作調整) 6.1 建議焊錫條件： 表面黏著的零組件將在溫度245 °C/3秒下測試其焊錫性。 以下為典型的焊接例子可提 供可靠的焊接且不會造成任何損傷。 6.1.1 Lead Free IR Reflow Soldering Profile 備註:零件最高耐溫260 +5/-0 ℃,10秒。 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 薄膜晶片電阻器規格標準書 IE-SP-017 2021/07/05 7 文件編號 版本日期 頁 次 6.1.2 Lead Free Double-Wave Soldering Profile (符合J-STD-020D) 6.1.3 烙鐵焊錫方法:350±10℃ 3秒之內。 6.2 使用環境注意事項: 此規格產品為一般電子用途，RALEC將不為任何使用在特殊環境下，使用此規格產品 導致之損害、費用或損失負責，如有其他應用需與RALEC進行確認是否適用。 若客戶端有意於特殊環境或狀態下使用本公司產品(包括但不限於如下所示)，則需針對 下列或其他運用環境各別承認產品特性及信賴性。 (a) (b) (c) (d) (e) 運用於高溫高濕之環境。 於接觸海風或運用於其他腐蝕性氣體之環境:Cl2、H2S、NH3、SO2及NO2。 於非驗證過液體中使用，包括水、油、化學品及有機溶劑。 使用非驗證過之樹脂或其他塗層材料來封合或塗層本公司產品。 於焊錫後之清洗，需使用水溶性清潔劑清洗殘留於產品助焊劑，縱然使用免洗助焊劑仍 建議清洗。 6.3 暫態過載注意事項: 本產品可能對於暫態過載而導致產品之功能喪失，請注意您的製造過程和保存，避免發 生高於產品規格之暫態電流施加在產品上。 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 薄膜晶片電阻器規格標準書 IE-SP-017 2021/07/05 8 文件編號 版本日期 頁 次 6.4 作業及處理注意事項: (a) 作業時需確保電阻邊緣及保護層免於機械應力破壞。 (b) 印刷電路板（PCB）分開或固定在支撐體上時應小心操作，因為印刷電路板（PCB）安 裝的彎曲會對電阻器造成機械應力。 (c) 電阻需於規格中額定功率範圍內使用，尤其當功率超出額定值時，將會負載在電阻上， 有可能因溫度上升造成機器損害。 (d) 若電阻將可能接受大量負載(脈衝波)衝擊時，必須於使用前設置作業環境。 (e) 使用該產品時請在貴司實裝狀態下評估及確認，充分考慮故障安全設計，確保系統上的 安全性。 7 儲存期限: 7.1 在儲存環境25±5℃、60±15%之條件下可儲存二年。 7.2 存儲時請避開如下惡劣環境，以免影響產品性能及焊錫連接性：海風、Cl2、H2S、NH3、SO2 及NO2等腐蝕性氣體的場所，陽光直射、結露場所。 7.3 產品搬運、存儲時請保證箱體的正確朝向，嚴禁摔落、擠壓箱體，否則可能造成產品電極或本 體受損。 8 電子信息產品標示外箱上以下列標籤進行標示:(外銷中國大陸) 電子信息產品污染控制標誌 包裝回收標誌 9 附件: 9.1 文件修訂記錄表 備 註 (QA-QR-027) 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 薄膜晶片電阻器規格標準書 IE-SP-017 2021/07/05 9 文件編號 版本日期 頁 次 法律免責聲明 RALEC 及其經銷商與代理商(以下統稱”RALEC”)不因任何產品相關資訊(包括但不限於產品規 格、資料、圖片和圖表)中包含的任何錯誤、不正確或不完整，而承擔任何責任。RALEC 可能 隨時對產品相關資訊進行更改、修訂或改善，恕不另行通知。 RALEC 對於其產品使用於特殊目的之適用性或其任何產品的持續生產不為任何承諾、保證及/ 或擔保。在法律准許的最大程度内，RALEC 不承擔任何下述之責任：(i)因應用或使用任何 RALEC 產品而產生之任何及所有責任，(ii)任何及所有責任，包括但不限於因 RALEC 產品所造成或與 RALEC 產品相關的利潤損失或是直接損害、間接損害、特別損害、懲罰性損害、衍生性損害或 附帶性損害，及(iii)任何及所有默示保證，包括產品適用於特殊用途、非侵權、及適銷性。 RALEC 將此產品定義為一般電子用途，不適用於任何車用電子、醫療救生或維生設備，亦不適 用於當 RALEC 產品故障時，可能造成人員傷亡之任何應用上。 RALEC 所提供的任何及所有 的關於產品應用上的技術建議，均為無償提供，RALEC 對於採用該等技術建議及可獲取的結果， 不承擔任何義務及責任，採用該等建議之所有風險，概由買方承擔。買方將 RALEC 產品使用於 與其他材料或原料結合、或實施於其任何製程中之組合，所產生的所有風險及責任，概由買方 承擔，不論 RALEC 對於產品的使用給予任何口頭或書面的技術説明、建議或其他。 此處所提供之資訊僅為說明產品規格，產品未變更時，RALEC 保有修改此內容不另行通知之所 有權利，任何產品變更將會以 ECN 公布。 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60