HoLTT0603-1/10W-5.6K-1%

HoLTT厚膜晶片电阻系列规格书 系列号 HoLTT 修订日期 2021-09-27 版本号 Ho-A0 规格书 Specification HoLTT 0201 制造商:深圳市毫欧电子有限公司 适用：本规格书适用于深圳市毫欧电子有限公司厚膜晶片电阻 HoLTT0201系列产品选型。 包含： HoLTT0402/ HoLTT0603/ HoLTT0805/ HoLTT1206/ HoLTT1210/ HoLTT1812/HoLTT2010/ HoLTT2512等封装。  产品特点 Features： 无铅 无卤素，符合ROHS要求  产品名称 Product Name 厚膜晶片电阻  产品型号 Product number Ho LTT 0201 100 J 制造商 产品系列 封装 阻值(R) 精度(%) 0402 0603 3-码 Ho 毫欧电子 LTT厚膜晶片 0805 EX. 10Ω=100 4.7Ω=4R7 JUMPER=000 1206 1210 EX. 10.2Ω=10R22 1812 4-码 10KΩ=1002 2010 JUMPER=00000 2512 B=±0.1% D=±0.5% F=±1% G=±2% J=±5% TH 包装型式 Q1:1mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs QE:1mm Pitch Carrier Tape 150000 pcs TH:2mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs HD:2mm Pitch Carrier Tape 150000 pcs H1:2mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs H2:2mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs H3:2mm Pitch Carrier Tape 30000 pcs H4:2mm Pitch Carrier Tape 40000 pcs H5:2mm Pitch Carrier Tape 50000 pcs H6:2mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs TP:4mm Pitch Carrier Tape 5000 pcs P2:4mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs P3:4mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs P4:4mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs TE:4mm Pitch Carrier Tape 4000 pcs E6:8mm Pitch Carrier Tape 2000 pcs BA:散装（盒装） 具体参数请查看下页详情 地址：深圳市龙华新区观澜大布头路南通邦高新产业园 A 栋 8 楼 深圳市毫欧电子有限公司 | 电话: 0755-28153546 | 传真: 0755-22630181 | 网址: www.moolee.com.cn HoLTT厚膜晶片电阻系列规格书  系列号 HoLTT 修订日期 2021-09-27 版本号 Ho-A0 产品尺寸 Product Size 阻值範圍:≧1Ω & 0Ω 型別 LTT (0201) LTT (0402) LTT (0603) 額定 功率 1 20 1 16 1 10 LTT (0805) 1 LTT (1206) 1 LTT (1210) 1 LTT (1812) 3 LTT (2010) 3 LTT (2512) 8 4 2 4 4 W 最高 額定 電壓 最高 過負荷 T.C.R (ppm/℃) 電壓 溫度係數 25V 50V -200 +400 W 50V 100V W 75V 150V W 150V 300V W 200V 400V W 200V 400V W 200V 400V W 200V 400V 200V 400V 1W 使用溫度範圍 JUMPER (0Ω) 額定電流 阻值範圍 B(±0.1%) E-24、E-96 D(±0.5%) E-24、E-96 F(±1%) E-24、E-96 G(±2%)、J(±5%) E-24 ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω ±200 47Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦10MΩ ±100 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦22MΩ 10Ω≦R≦22MΩ ±200 ------ ±100 100Ω≦R≦1MΩ ±200 ±100 ±200 ------ 1Ω≦R＜10Ω 10Ω≦R≦1MΩ ------ 1Ω≦R＜10Ω 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 10Ω≦R≦22MΩ 10Ω≦R≦22MΩ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 10Ω≦R≦27MΩ 10Ω≦R≦27MΩ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω ±100 10Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦27MΩ 10Ω≦R≦27MΩ ±200 3Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 10Ω≦R≦27MΩ 10Ω≦R≦27MΩ ±100 ±200 ±100 ±200 ±100 ±200 ±100 ±200 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ ------ ------ 1Ω≦R＜10Ω 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ ------ ------ 1Ω≦R＜10Ω 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ ------ 10Ω≦R≦20MΩ ------ 1Ω≦R＜10Ω 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ ------ 10Ω≦R≦20MΩ 10Ω≦R≦20MΩ ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 10Ω≦R≦20MΩ 1Ω≦R＜10Ω 10Ω≦R≦20MΩ 1Ω≦R＜10Ω 10Ω≦R≦20MΩ 1Ω≦R＜10Ω J F (±5%) (±1%) JUMPER (0Ω) 阻值 J (±5%) F (±1%) 0.5A 0.5A 50mΩ MAX. 35mΩ MAX. 1A 1.5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 1A 2A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 2.5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 3.5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 4A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 7A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. -55℃ ~ +155℃ (0201:-55℃ ~ +125℃) 地址：深圳市龙华新区观澜大布头路南通邦高新产业园 A 栋 8 楼 深圳市毫欧电子有限公司 | 电话: 0755-28153546 | 传真: 0755-22630181 | 网址: www.moolee.com.cn HoLTT厚膜晶片电阻系列规格书  产品阻值范围  阻值範圍:＜1Ω 型別 額定功率 最高 額定電流 最高 過負荷電流 LTT (0402) 1/16W 1.58A 3.95A LTT (0603) 1/10W 3.16A 7.91A LTT (0805) 1/8W 3.53A 8.82A LTT (1206) 1/3W 5.77A 14.42A LTT (1210) 1/2W 7.07A 17.67A LTT (1812) 3/4W 8.66A 21.65A LTT (2010) 3/4W 8.66A 21.65A LTT (2512) 1W 10A 25A 使用溫度範圍 T.C.R ( ppm / ℃ ) 溫度係數 ±1500 ±1200 ±600 ±300 ±250 ±200 ±1500 ±1200 ±600 ±300 ±600 ±400 ±1500 ±1200 ±800 ±600 ±200 ±1500 ±1200 ±1000 ±600 ±200 ±1500 ±1000 ±700 ±400 ±200 ±1500 ±1200 ±900 ±500 ±200 ±200 ±1500 ±1200 ±900 ±500 ±200 ±1500 ±1200 ±900 ±500 ±200 系列号 HoLTT 修订日期 2021-09-27 版本号 Ho-A0 阻值範圍 F(±1%)、G(±2%)、J((±5%) E-24、E-96 25 mΩ≦R＜37 mΩ 37 mΩ≦R＜60 mΩ 60 mΩ≦R＜200 mΩ 200 mΩ≦R＜400 mΩ 400 mΩ≦R＜600 mΩ 600 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜37 mΩ 37 mΩ≦R＜60 mΩ 60 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜200 mΩ 200 mΩ≦R＜500 mΩ 500 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜19 mΩ 19 mΩ≦R＜33 mΩ 33 mΩ≦R＜50 mΩ 50 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜19 mΩ 19 mΩ≦R＜25 mΩ 25 mΩ≦R＜50 mΩ 50 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜19 mΩ 19 mΩ≦R＜25 mΩ 25 mΩ≦R＜50 mΩ 50 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜19 mΩ 19 mΩ≦R＜25 mΩ 25 mΩ≦R＜50 mΩ 50 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜19 mΩ 19 mΩ≦R＜25 mΩ 25 mΩ≦R＜50 mΩ 50 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜19 mΩ 19 mΩ≦R＜25 mΩ 25 mΩ≦R＜50 mΩ 50 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ -55℃ ~ +155℃ 地址：深圳市龙华新区观澜大布头路南通邦高新产业园 A 栋 8 楼 深圳市毫欧电子有限公司 | 电话: 0755-28153546 | 传真: 0755-22630181 | 网址: www.moolee.com.cn HoLTT厚膜晶片电阻系列规格书 系列号 HoLTT 修订日期 2021-09-27 版本号 Ho-A0 功率衰減曲線:  LTT0201 型別 使用 溫度 範圍 說明 功 率 衰 減 曲 線 圖  其它 －55℃ ~ ＋125℃ －55℃ ~ ＋155℃ 周圍溫度若超過70℃至125℃之間，功率可照下 周圍溫度若超過70℃至155℃之間，功率可照下 圖曲線予以修定之。 圖曲線予以修定之。 70 100 負 載 功 率 比 (%) 80 60 40 125 20 0 -55 20 40 70 100 60 80 100 120 140 160 環環環環(℃) 負 載 功 率 比 (%) 80 60 40 155 20 0 -55 20 40 60 80 100 120 140 160 環環環環(℃) 額定電壓或額定電流: 阻值範圍:≧1Ω 額定電壓:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電壓。 可用下列公式求得，但求得之值若超過規格表內之最高電壓時，則以最高額定電壓為其 額定電壓。 E = R×P E=額定電壓(V) P=額定功率(W) R=公稱阻值(Ω) 阻值範圍: ＜1Ω 額定電流:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電流。 可用下列公式求得，但求得之值若超過規格表內之最高電流時，則以最高額定電流為其 額定電流。 I = P/R I =額定電流(A) P=額定功率(W) R=公稱阻值(Ω) 地址：深圳市龙华新区观澜大布头路南通邦高新产业园 A 栋 8 楼 深圳市毫欧电子有限公司 | 电话: 0755-28153546 | 传真: 0755-22630181 | 网址: www.moolee.com.cn HoLTT厚膜晶片电阻系列规格书 系列号 HoLTT 修订日期 2021-09-27 版本号 Ho-A0 尺寸: 阻值範圍:≧1Ω & 0Ω Unit:mm Dimension Type LTT L W H L1 L2 0201 0.60±0.03 0.30±0.03 0.23±0.03 0.10±0.05 0.15±0.05 0402 1.00±0.10 0.50±0.05 0.30±0.05 0.20±0.10 0.25±0.10 0603 1.60±0.10 0.80±0.10 0.45±0.10 0.30±0.15 0.30±0.15 0805 2.00±0.10 1.25±0.10 0.50±0.10 0.35±0.20 0.35±0.15 1206 3.05±0.10 1.55±0.10 0.50±0.10 0.45±0.20 0.35±0.15 1812 4.40±0.20 3.15±0.20 0.47±0.20 0.60±0.20 0.60±0.20 1210 3.05±0.10 2.55±0.10 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 2010 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20 2512 6.30±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20 Size Code 阻值範圍: ＜1Ω Unit:mm Dimension Type LTT L W H L1 L2 0402 1.00±0.10 0.50±0.05 0.30±0.10 0.25±0.10 0.20±0.15 0603 1.60±0.10 0.80±0.10 0.45±0.10 0.25±0.15 0.35±0.15 0805 2.00±0.10 1.25±0.10 0.50±0.10 0.35±0.20 0.35±0.20 1206 3.05±0.10 1.55±0.10 0.50±0.10 0.45±0.20 0.55±0.25 1210 3.05±0.10 2.55±0.10 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 1812 4.40±0.20 3.15±0.20 .0.47±0.20 0.60±0.20 0.60±0.20 2010 5.00±0.20 2.50±0.20 0.60±0.10 0.65±0.20 0.65±0.20 2512 6.30±0.20 3.20±0.20 0.60±0.10 0.65±0.20 0.65±0.20 Size Code 地址：深圳市龙华新区观澜大布头路南通邦高新产业园 A 栋 8 楼 深圳市毫欧电子有限公司 | 电话: 0755-28153546 | 传真: 0755-22630181 | 网址: www.moolee.com.cn HoLTT厚膜晶片电阻系列规格书 系列号 HoLTT 修订日期 2021-09-27 版本号 Ho-A0 結構圖: 阻值範圍:≧1Ω& 0 Ω 1 2 3 4 5 陶瓷基板 背面內部電極 極 正面內部電極 極 電阻層 1st 保護層 Ceram mic substrate Bottom inner electrod de Top in nner electrode e Res sistive layer 1st Pro otective coatin g 6 7 8 9 10 Ceram mic substrate 1st Top inner electrod de Res sistive layer Bottom inner electrod de 1st Pro otective coatin g 2nd Pro otective coatin ng 7 2nd 保護層 字碼 側面內部電極 極 Ni 層電鍍 Sn 層電鍍 g 2nd Prootective coating M arking Terminal inner electrod de N i plating Snn plating 阻值範 範 圍:＜1Ω 1 2 3 4 5 6 陶瓷基板 正面內部電極 極 電阻層 極 1st背面內部電極 1st保護層 2nd保護層 9 0 1 2n nd背面內部電極 2nd Bottoom inner electrrode G2+MK層 G2 layyer + Marking 側面內部電極 極 Terminaal inner electro ode Ni層電鍍 N i plating Sn層電鍍 S n plating 地址：深圳市龙华新区观澜大布头路南通邦高新产业园 A 栋 8 楼 深圳市毫欧电子有限公司 | 电话: 0755-28153546 | 传真: 0755-22630181 | 网址: www.moolee.com.cn HoLTT厚膜晶片电阻系列规格书 系列号 HoLTT 修订日期 2021-09-27 版本号 Ho-A0 信賴性試驗項目: 電氣性能試驗(Electrical Performance Test) Specifications規格 Item Conditions 項目 條件 Resistors Jumper （ R2－ R1） NA Temperature 參考3.規格表 Coefficient of TCR（ppm / ℃）＝ R1（ T2－ T1） ×106 Resistance R1:室溫下量測之阻值(Ω) 溫度係數 R2:-55℃或+125℃下量測之阻值(Ω) T1:室溫之溫度(℃) T2:-55℃或+125℃之溫度(℃)。 依據 JIS-C5201-1 4.8 Short Time 施加2.5倍的額定電壓5秒，靜置30分鐘以上再量測阻值變 1.阻值範圍:≧1Ω 參考3. Overload 化率。 0.1%、0.5%、1%:±(1.0%+0.05Ω) 規格表 短時間過負荷 (額定電壓值請參考 3.規格表) 2%、5%:±(2.0%+0.10Ω) 阻值範圍:＜1Ω 2. Jumper:施加最高過負荷電流: 型別 Jumper ±5% ±1% HoLTT HoLTT HoLTT HoLTT HoLTT HoLTT HoLTT HoLTT RTT25 (0201) (0402) (0603) (0805) (1206) (1210) (1812) (2010) (2512) 1. 1. 2.5A 3.75A 2.5A 5A 5A 5A 6.25A 8.75A 5A 10A 5A 5A 5A 12.5A 12.5A 17.5A 1%、 2%、5% :±(2.0%+0.001Ω) 外觀無損傷，無短路或燒毀現象。 依據 JIS-C5201-1 4.13 Insulation 將晶片電阻置於治具上，在正負極施加100 VDC一分鐘後 ≧109Ω Resistance 測量電極與保護層及電極與基板(底材)之絕緣電阻值。 絕緣電阻試驗 依據 JIS-C5201-1 4.6 絕 緣 材 質 A 測 試 點 B 測 試 點 電 阻 背 面 Dielectric Withstand Voltage 絕緣耐電壓 壓 力 彈 簧 晶 片 電 阻 印 刷 保 護 層 面 將晶片電阻置於治具上，在正、負極施加VAC (參考下列) HoLTT0805、1206、1210、1812、2010、2512用500 VAC－ 分鐘 LTT0201、0402、0603用300 VAC－分鐘 依據 JIS-C5201-1 4.7 無短路或燒毀現象。 Intermittent 置於恆溫箱中，施加2.5倍額定電壓，1秒ON，25秒OFF，1.阻值範圍:≧1Ω 參考3. Overload 計10000+400/-0次後取出靜置60分鐘後量測阻值變化量。 ±(5.0%+0.10Ω) 規格表 斷續過負荷 Jumper:施加最高過負荷電流 2.阻值範圍:＜1Ω 型別 ±(5.0%+0.001Ω) HoLTT HoLTT HoLTT HoLTT HoLTT HoLTT HoLTT HoLTT HoLTT (0201) (0402) (0603) (0805) (1206) (1210) (1812) (2010) (2512) 外觀無損傷，無短路或燒毀現象。 Jumper ±5% ±1% 1. 1. 2.5A 3.75A 2.5A 5A 5A 5A 6.25A 8.75A 5A 10A 依據 JIS-C5201-1 4.13 Noise Level 依據 JIS-C5201-1 4.12 測試方法。 雜音測驗 5A 5A 5A 12.5A 12.5A 17.5A 阻值範圍 雜音(Noise) R ＜100Ω ≦ -10db (0.32 uV/V) 100Ω ≦R ＜1KΩ ≦ 0db (1.0 uV/V) 1KΩ ≦R ＜10KΩ ≦ 10db (3.2 uV/V) 10KΩ ≦R ＜100KΩ ≦ 15db (5.6 uV/V) 100KΩ ≦R ＜1MΩ 1MΩ ≦R ≦ 20db (10 uV/V) ≦ 30db (32 uV/V) 地址：深圳市龙华新区观澜大布头路南通邦高新产业园 A 栋 8 楼 深圳市毫欧电子有限公司 | 电话: 0755-28153546 | 传真: 0755-22630181 | 网址: www.moolee.com.cn NA HoLTT厚膜晶片电阻系列规格书 系列号 HoLTT 修订日期 2021-09-27 版本号 Ho-A0  機械性能試驗(Mechanical Performance Test) Specifications規格 Resistors Jumper 參考3. 使用R0.5的測試探針在本體中央向下施加10N｛1.02 kgf｝1.阻值範圍:≧1Ω ±(1.0%+0.05Ω) 規格表 的負載持續10 sec.。 2.阻值範圍:＜1Ω 1.LTT0402、LTT0603測試探針R0.2 ±(1.0%+0.001Ω) 2.LTT0805、1206、1210、1812、2010、2512 測試探針R0.5依據 JIS-C5201-1 4.15 外觀無損傷，側導無裂痕 Terminal 測試項目一:將電阻焊在電路板上，在電阻背面施以5N的力 項目一: 外觀無損傷，無側導脫落及本體斷 Strength 裂發生。 量持續10 sec後，檢查側導體外觀。 端電極 (LTT0402:3N) 項目二: LTT0201≧3N 拉力測試 測試項目二:將電阻焊在電路板上，逐漸施加力量於電阻背 其它≧5N 面，測試端電極最大剝離強度。 依據 JIS-C5201-1 4.16 參考3. Resistance to 浸於20~25℃異丙醇溶劑中5±0.5分鐘後，取出靜置48 hr 1.阻值範圍:≧1Ω 規格表 Solvent 以上，再量測阻值變化率。 型別 其他 RTT01 耐溶劑性 △R% ±(1.0%+0.05Ω) ±(0.5%+0.05Ω) 試驗 2.阻值範圍:＜1Ω Item 項目 Core Body Strength 本體強度 Conditions 條件 ±(1.0%+0.001Ω) 外觀無損傷，無G2保護層及錫層被 Leaching現象。 依據 JIS-C5201-1 4.29 Solderability 前處理:將晶片電阻放置於PCT試驗機內，在溫度105℃、 導體吃錫面積應大於95%。 焊錫性 濕度100%及氣壓1.22×105 pa的飽和條件下進行4小時的 老化測試，取出後靜置於室溫下2小時。 測試方法：將電阻浸於235±5℃之爐中2秒後取出置於顯微 鏡下觀察焊錫面積。 依據 JIS-C5201-1 4.17 Resistance to ◎測試項目一(焊錫爐測試): 參考3. 試驗項目一: Soldering 浸於260+5/-0℃之錫爐中10 秒+1/-0，取出靜置60分鐘以 (1).阻值變化率 規格表 Heat 1.阻值範圍:≧1Ω 上，再量測阻值變化率。 抗焊錫熱 △R%=±(1.0%+0.05Ω) 2.阻值範圍:＜1Ω ◎測試項目二(焊鍚爐測試): △R%=±(1.0%+0.001Ω) 浸於260+5/-0℃之錫爐中30+1/-0秒，取出後洗淨。置於顯 (2).電極外觀無異常，無側導脫落。 微鏡下觀察焊錫面積。 試驗項目二: ◎測試項目三(電烙鐵試驗): (1).導體吃錫面積應大於95%。 加熱溫度:350±10℃ (2).在電極邊緣處不應見到下層的 烙鐵加熱時間:3+1/-0 sec. 物質(例如白基板)。 取電鉻鐵加熱於電極兩端後，取出靜置60鐘以上，再量測 阻值變化率。 試驗項目三: (1).阻值變化率 1.阻值範圍:≧1Ω △R%=±(1.0%+0.05Ω) 2.阻值範圍:＜1Ω △R%=±(1.0%+0.001Ω) 依據 JIS-C5201-1 4.18 (2).電極外觀無異常，無側導脫落。 地址：深圳市龙华新区观澜大布头路南通邦高新产业园 A 栋 8 楼 深圳市毫欧电子有限公司 | 电话: 0755-28153546 | 传真: 0755-22630181 | 网址: www.moolee.com.cn HoLTT厚膜晶片电阻系列规格书 Item 項目 系列号 HoLTT 修订日期 2021-09-27 版本号 Ho-A0 Specifications規格 Resistors Conditions 條件 Joint Strength 前處理: 試驗項目一: of Solder 將晶片電阻放置於PCT試驗機內，在溫度105℃、濕度100%及氣 (1).阻值變化率 焊錫粘合強度 壓1.22×105 pa的飽和條件下進行4小時的老化測試，取出後靜置 1.阻值範圍:≧1Ω 於室溫下2小時。 △R%=±(1.0%+0.05Ω) ◎測試項目一(固著性測試): 2.阻值範圍:＜1Ω 將晶片電阻焊於固著性測試板中，置於端電極測試機上，以半徑 △R%=±(1.0%+0.001Ω) R0.5 (0201:R0.1)之測試探針朝施力方向施加力量，並保持10 (2).外觀無損傷、無側導脫落。 sec，於負荷下量測阻值變化率。 力量: 1.LTT0201=5N 試驗項目二: 2.LTT0402=10N (1).阻值變化率 3.其它型別=20N Jumper 參考3. 規格表 1.阻值範圍:≧1Ω △R%=±(1.0%+0.05Ω) 2.阻值範圍:＜1Ω △R%=±(1.0%+0.001Ω) (2).外觀無損傷、無側導脫落及本 體斷裂發生。 依據JIS-C5201-1 4.32 ◎測試項目二(彎折性測試): 將晶片電阻焊於彎折性測試板中，置於彎折測試機上，在測試板 中央施力下壓，於負荷下量測阻值變化率。 下壓深度(D): LTT(0402)、(0603)、(0805)=5mm LTT(0201)、(0206)、(1210)=3mm LTT(1812)、(2021)、(2512)=2mm Vibration 耐振性試驗 依據JIS-C5201-1 4.33 將晶片電阻焊於測試板上施加一振動波 震動頻率:10 Hz ~ 55 Hz ~ 10 Hz/分 振幅:1.5 mm 測試時間:6 hr (X.Y.Z3個方向各2 hr) 依據 JIS-C5201-1 4.22 1.阻值範圍:≧1 Ω 0.1%、0.5%、1%:±(0.5%+0.05Ω) 2%、5%:±(1.0%+0.05Ω) 2.阻值範圍: