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厚膜排列晶片電阻器規格標準書
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1 適用範圍:
1.1 本承認書適用於本公司所生產的無鉛、無鹵素之RTA系列厚膜排列晶片電阻器。
1.2 本公司之無鉛產品意指符合RoHS要求的端電極無鉛,而存在於電阻層玻璃材料中的
鉛是符合RoHS的鉛排外條款。
1.3 該產品是屬於通用型系列。
1.4 AEC-Q200的報告可依據客戶要求提供。
2 型別名稱:
(例)
RTA
型別
02
尺寸
厚膜排列
晶片電阻器
01(0201)
02(0402)
03(0603)
-
4
審查
100
回路數 電極構造
電阻值
QA
核准
會簽
Sales
會
J
容差
EX. 10Ω=100
3-碼
4.7Ω=4R7
2:2回路
JUMPER=000
D:凸電極
4:4回路
C:凹電極
EX. 10.2Ω=10R2
8:8回路
4-碼
10KΩ=1002
JUMPER=0000
IE
制訂
D
包裝型式
TH:2 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs
.
D=± 0.5%
.
F=± 1%
.
G=± 2%
.
J=± 5%
.
.
備註
簽
TH
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3 規格表:
3.1 阻值範圍:≧1Ω & 0Ω
型別
額定
功率
RTA01-2D 1
W
(0201)
32
最高
額定
電壓
12.5V
最高
T.C.R
過負荷 (ppm/℃ )
電壓 溫度係數
25V
阻值範圍
D(±0.5%)
E-24、E-96
F(±1%)
E-24、E-96
±500
------
------
3Ω≦R<10Ω
±300
------
------
10Ω≦R<1K Ω
±200
------
------
1KΩ≦R≦1 MΩ
±300
------
1Ω≦R<10Ω
1Ω≦R<10Ω
±200
------
10Ω≦R≦10MΩ
10Ω≦R≦10MΩ
±200
------
10Ω≦R≦10MΩ
1Ω≦R≦10MΩ
±300
------
1Ω≦R<10Ω
1Ω≦R<10Ω
±200
------
10Ω≦R≦10MΩ
10Ω≦R≦10MΩ
±400
------
1Ω≦R<10Ω
1Ω≦R<10Ω
±200
------
10Ω≦R≦1MΩ
10Ω≦R≦1MΩ
註
4
2
0.5A
------
50mΩ
MAX.
4
2
1A
25mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
4
2
1A
------
50mΩ
MAX.
8
4
1A
25mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
8
4
1A
------
50mΩ
MAX.
RTA02-2D 1
W
(0402)
16
25V
50V
RTA03-2D 1
W
(0603)
16
50V
100V
RTA02-4D 1
W
(0402)
16
25V
50V
RTA02-4C 1
W
(0402)
16
25V
50V
RTA03-4D 1
W
(0603)
16
50V
100V
±200
22Ω≦R≦470KΩ
1Ω≦R≦10MΩ
1Ω≦R≦10MΩ
8
4
1A
25mΩ
MAX
50mΩ
MAX.
RTA03-4C 1
W
(0603)
16
50V
100V
±200
------
1Ω≦R≦1MΩ
1Ω≦R≦10MΩ
8
4
1A
------
50mΩ
MAX.
RTA02-8D 1
W
(0402)
16
25V
50V
±250
------
10Ω≦R≦10MΩ
1Ω≦R≦10MΩ
16
8
1A
------
50mΩ
MAX.
RTA03-8C 1
W
(0603)
16
50V
100V
±200
------
1Ω≦R≦1MΩ
1Ω≦R≦10MΩ
16
8
1A
------
50mΩ
MAX.
RTA03-2C 1
W
(0603)
16
50V
100V
±200
------
1Ω≦R≦1MΩ
1Ω≦R≦10MΩ
4
2
1A
------
50mΩ
MAX.
RTA02-2C 1
W
(0402)
16
3Ω≦R≦10Ω
3Ω≦R<10Ω
25V
50V
10Ω≦R<1MΩ
10Ω≦R≦1MΩ
4
2
1A
------
50mΩ
MAX.
±650
±200
------
-55℃ ~ +155℃
使用溫度範圍
備
JUMPER (0Ω)
Number Number
JUMPER
阻值
of
of
(0Ω)
G(±2%)、J(±5%) Terminals Resistors
F
J
額定電流
端子數 電阻數
(±1%) (±5%)
E-24
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3.2 功率衰減曲線:
使用溫度範圍:- 55 ~ 155 ℃
周圍溫度若超過70℃至155℃之間,功率可照下圖曲線予以修定之。
70
100
負
載
功
率
比
(%)
80
60
40
155
20
0
-55
20
40
60 80 100 120 140 160
環環環環(℃)
3.3 額定電壓或額定電流:
3.3.1 阻值範圍:≧1Ω
額定電壓:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電壓。
可用下列公式求得,但求得之值若超過規格表內之最高電壓時, 則以最高額定電壓為
其額定電壓。
E=
R×P
E=額定電壓(V)
P=額定功率(W)
R=公稱阻值(Ω)
3.3.2 阻值範圍:(0Ω)
額定電流:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電流。
可用下列公式求得,但求得之值若超過規格表內之最高電流時,則以最高額定電流為其
額定電流。
I = P/R
備
註
I=額定電流(A)
P=額定功率(W)
R=公稱阻值(Ω)
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4 尺寸: (mm)
RTA03-2D
RTA03-2C
RTA02-4C / RTA03-4C
Circuits
RTA02-4D / RTA03-4D
R1
R2
R3
R4
R1=R2=R3=R4
備
註
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RTA02-8D / RTA03-8C
RTA01-2D / RTA02-2D
備
註
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RTA02-2C
尺寸
L
W
H
L1
L2
P
Q
RTA01-2D
(0201)
0.80±0.10
0.60±0.10
0.30±0.05
0.15±0.10
0.15±0.05
(0.50)
0.35±0.10
RTA02-2D
(0402)
1.00±0.10
1.00±0.10
0.30±0.05
0.15±0.10
0.25±0.10
(0.67)
0.33±0.10
RTA03-2D
(0603)
1.60±0.15
1.60±0.15
0.45±0.10
0.30±0.15
0.30±0.15
(0.80)
0.60±0.10
RTA02-4D
(0402)
2.00±0.10
1.00±0.10
0.40±0.10
0.20±0.10
0.25±0.10
(0.50)
0.30±0.10
RTA02-4C
(0402)
2.00±0.10
1.00±0.10
0.40±0.10
0.15±0.10
0.25±0.10
(0.50)
0.30±0.10
RTA03-4D
(0603)
3.20±0.20
1.60±0.15
0.50±0.10
0.30±0.15
0.30±0.15
(0.80)
0.50±0.10
RTA03-4C
(0603)
3.20±0.15
1.60±0.15
0.55±0.10
0.35±0.15
0.45±0.15
(0.80)
0.50±0.10
RTA02-8D
(0402)
4.00±0.20
1.60±0.10
0.40±0.10
0.30±0.15
0.30±0.10
(0.50)
0.25±0.10
RTA03-8C
(0603)
6.40±0.20
1.60±0.20
0.55±0.10
0.30±0.15
0.40±0.15
(0.80)
0.50±0.10
RTA03-2C
(0603)
1.60±0.15
1.60±0.15
0.55±0.10
0.30±0.15
0.40±0.15
(0.80)
0.50±0.10
RTA02-2C
(0402)
1.00±0.10
1.00±0.10
0.30±0.10
0.18±0.10
0.25±0.10
(0.50)
0.30±0.10
型別
備
註
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5 結構圖:
D(Convex) Type
4
7
5
6
10
9
3
1
2
8
1
陶瓷基板
Ceramic substrate
6
2nd 保護層
2nd Protective coating
2
背面內部電極
Bottom inner electrode
7
字碼
Marking
3
正面內部電極
Top inner electrode
8
側面內部電極
Terminal inner electrode
4
電阻層
Resistive layer
9
Ni 層電鍍
Ni plating
5
1st 保護層
1st Protective coating
10
Sn 層電鍍
Sn plating
C(Concave) Type
7
4
6
5
10
3
1
備
註
8
2
9
1
陶瓷基板
Ceramic substrate
6
2nd 保護層
2nd Protective coating
2
背面內部電極
Bottom inner electrode
7
字碼
Marking
3
正面內部電極
Top inner electrode
8
側面內部電極
Terminal inner electrode
4
電阻層
Resistive layer
9
Ni 層電鍍
Ni plating
5
1st 保護層
1st Protective coating
10
Sn 層電鍍
Sn plating
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6 信賴性實驗項目
6.1 電氣性能試驗(Electrical Performance Test)
Specifications規格
Item
Conditions
項目
條件
Resistors
Jumper
( R2- R1)
Temperature
NA.
參考3.規格表
Coefficient of TCR(ppm/℃)= R1( T2- T1) ×106
Resistance R1:室溫下量測之阻值(Ω)
溫度係數
R2:-55℃或+125℃下量測之阻值(Ω)
T1:室溫之溫度(℃)
T2:-55℃或+125℃之溫度(℃)。
根據 JIS-C5201-1 4.8
Short Time 施2.5倍的額定電壓5秒,靜置30分鐘以上再量測阻值變 0.5%、1%:±(1.0%+0.05Ω)
參考3.
Overload
化率。(額定電壓值請參考 3.規格表)
2%、5% :±(2.0%+0.10Ω)
規格表.
短時間過負荷 根據 JIS-C5201-1 4.13
外觀無損傷,無短路及燒毀現象。
Insulation
將排列晶片電阻置於治具上,在正負極施加100 VDC ≧109Ω
Resistance 一分鐘後,測量電極與保護層及電極與基板(底材)間之
絕緣電阻試驗 絕緣電阻值。
根據 JIS-C5201-1 4.6
絕 緣材質
A 測試 點
B 測試 點
電阻 背面
印刷 保護 層面
Dielectric
Withstand
Voltage
絕緣耐電壓
Intermittent
Overload
斷續過負荷
Noise Level
雜音測驗
晶片 電阻
壓力 彈簧
將排列晶片電阻置於治具上,在正、負極施加300 VAC 無短路或燒毀現象。
-分鐘。
根據 JIS-C5201-1 4.7
置於恆溫箱中,施加2.5倍額定電壓,1秒ON,25秒 ±(5.0%+0.10Ω)
參考3.
OFF,計10,000 次取出靜置60分鐘後量測阻值變化
規格表
量。
外觀無損傷,無短路及燒毀現象。
根據 JIS-C5201-1 4.13
NA
根據 JIS-C5201-1 4.12 測試方法。
阻值範圍
雜音(Noise)
R <100Ω
≦ -10db (0.32 uV/V)
100Ω ≦R <1KΩ
(3.2 uV/V)
10KΩ ≦R <100KΩ
≦ 15db
(5.6 uV/V)
≦ 20db
(10 uV/V)
≦ 30db
(32 uV/V)
1MΩ ≦R
註
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0db (1.0 uV/V)
≦ 10db
100KΩ ≦R <1MΩ
備
≦
1KΩ ≦R <10KΩ
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6.2 機械性試驗(Mechanical Performance Test)
Specifications規格
Item
Conditions
項目
條件
Resistors
Jumper
Resistance to 浸於20~25℃異丙醇溶劑中5±0.5分鐘後取出靜置48 01-2D:±(1.0%+0.05Ω)
參考 3.
Solvent
其它:±(0.5%+0.05Ω)
hrs以上再量測阻值變化率。
規格表
耐溶劑性試驗
外觀無損傷,無G2保護層及Sn層被Leaching
根據 JIS-C5201-1 4.29
現象。
Solderability
焊錫性
前處理:
導體吃錫面積應大於95%。
將晶片電阻放置於PCT試驗機內,在溫度105℃、濕
度100%及氣壓1.22×105 pa的飽和條件下進行4小
時的老化測試,取出後靜置於室溫下2小時。
測試方法
◎焊錫爐測試:
將電阻浸於235±5℃之爐中2±0.5秒後取出置於顯微
鏡下觀察焊錫面積。
依據 JIS-C5201-1 4.17
Resistance to ◎測試項目一(焊錫爐測試):
Soldering Heat 浸於260+5/-0℃之錫爐中10 秒+1/-0,取出靜置
抗焊錫熱
60分鐘以上,再量測阻值變化率。
試驗項目一:
(1).阻值變化率
△R%=±(1.0%+0.05Ω)
(2).電極外觀無異常,無側導
脫落。
參考 3.
規格表
◎測試項目二(焊鍚爐測試)
浸於260+5/-0℃之錫爐中30+1/-0秒,取出後洗淨。
試驗項目二:
置於顯微鏡下觀察焊錫面積。
(1).導體吃錫面積應大於95%。
(2).在電極邊緣處不應見到下層
依據 JIS-C5201-1 4.18
的物質(例如白基板)。
備
註
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Item
Conditions
項目
條件
Joint Strength 前處理:
of Solder
將晶片電阻放置於PCT試驗機內,在溫度105℃、
焊錫粘合強度 濕度100%及氣壓1.22×105 pa的飽和條件下進行4
小時的老化測試,取出後靜置於室溫下2小時。
◎測試項目一(固著性測試):
將晶片電阻焊於固著性測試板中,置於端電極測試
機上,以半徑R0.5之測試探針朝施力方向施加力
量,並保持10 sec,於負荷下量測阻值變化率。
力量:1.02-2C=10N
2.其它型別=20N
3.01-2D=5N
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Specifications規格
Resistors
Jumper
試驗項目一:
參考3.規格表
(1).阻值變化率
△R%=±(1.0%+0.05Ω)。
(2).外觀無損傷無側導脫落。
試驗項目二:
(1).阻值變化率
△R%=±(1.0%+0.05Ω)。
(2).外觀無損傷無側導脫落及
本體斷裂發生。
依據 JIS-C5201-1 4.32
◎測試項目二(彎折性測試):
將晶片電阻焊於彎折性測試板中,置於彎折測試機
上,在測試板中央施力下壓,於負荷下量測阻值變
化率。
下壓深度(D): (1)01-2D=3mm
(2)其它=5mm
依據 JIS-C5201-1 4.33
備
註
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6.3 環境試驗(Environmental Test)
Specifications規格
Item
Conditions
項目
條件
Resistors
Jumper
Resistance to 置於155±5℃之烤箱中1000±4 hr,取出靜置1 hr以上 0.5%、1%:±(1.0%+0.05Ω)
參考 3.規格表
Dry Heat
再量測阻值變化率。
2%、5%:±(2.0%+0.10Ω)
耐熱性試驗 依據 JIS-C5201-1 4.25
外觀無損傷,無短路及燒毀現象。
Thermal Shock 將排列晶片電阻置入冷熱沖擊機中,溫度為-55℃ 15 ±(1.0%+0.05Ω)
參考3.規格表
冷熱沖擊
分鐘,+125℃ 15分鐘,共計循環300次後取出,靜 外觀無損傷,無短路及燒毀現象。
置60分鐘再量測阻值變化率。
測試條件
最低溫度
-55±5℃
最高溫度
125±5℃
溫度保留時間
15 分鐘
依據 MIL-STD 202 Method 107
Loading Life 置於溫度40±2℃相對濕度90~95%恆溫恆濕槽中,並 0.5%、1%:±(2.0%+0.10Ω)
參考3.規格表`
in Moisture 施加額定電壓,90分鐘ON,30分鐘OFF,共1,000 hr 2%、5%:±(3.0%+0.10Ω)
耐濕負荷
取出靜置60分鐘以上再量測阻值變化率。
外觀無損傷,無短路及燒毀現象。
依據 JIS-C5201-1 4.24
Load Life
負荷壽命
置於70±2℃之烤箱中施加額定電壓,90分鐘ON,30
分鐘OFF,共1,000 hrs取出靜置60分鐘以上再量測阻
值變化率。
依據 JIS-C5201-1 4.25
Low
將排列晶片電阻放置-55℃恆溫箱中60分鐘,施加
Temperature 額定電壓45分鐘,停止施壓15分鐘取出後靜置8±1
Operation hrs再量測阻值變化率。
低溫操作
依據 MIL-R-55342D 4.7.4
0.5%、1%:±(2.0%+0.10Ω)
2%、5%:±(3.0%+0.10Ω)
參考3.規格表
外觀無損傷,無短路及燒毀現象。
0.5%、1%:±(0.5%+0.05Ω)
2%、5% :±(1.0%+0.05Ω)
參考3.規格表
外觀無損傷,無短路及燒毀現象。
Whisker長度在50µm之內。
Whisker試驗 ◎測試項目(冷熱衝擊測試):
將晶片電阻置放於冷熱衝擊試驗箱內,並依下列條件做
測試,試驗後置於室溫下2小時。
測試條件
最低儲存溫度
-55+0/-10℃
最高儲存溫度
85+10/-0℃
溫度保留時間
10分
1,500
溫度循環次數
◎檢查
將放大鏡的倍數調至40或大於40的倍數下做視察和
測試,如果此方法難做出判斷,我們可以改用掃描電
子顯微鏡(SEM),且將倍數調至1000或大於1000倍數
下做視察和測試。
依據JESD Standard NO.22A121 class2.
備
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7 建議焊錫條件:
7.1 Lead Free IR-Reflow Soldering Profile
備註:零件最高耐溫260 +5/-0 ℃,10秒。
7.2 烙鐵焊錫方法:350±10℃ 3秒之內。
備
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8 建議 Land Pattern Design (For Reflow Soldering):
Unit:mm
RTA01-2D / RTA02-2D
RTA02-2C / RTA03-2D / RTA03-2C
尺寸
RTA02-4D / RTA02-4C
RTA03-4D / RTA03-4C
RTA02-8D / RTA03-8C
A
B
P
Q1
Q2
RTA01-2D
0.30
0.90
0.50
0.30
0.20
RTA02-2D
0.50
2.00
0.67
0.33
0.34
RTA03-2D
1.00
2.60
0.80
0.40
0.40
0.50
2.00
0.50
0.28
0.22
1.00
2.60
0.80
0.40
0.40
RTA03-8C
1.00
2.60
0.80
0.40
0.40
RTA02-8D
1.00
2.60
0.50
0.25
0.25
RTA02-2C
0.50
2.00
0.50
0.28
0.22
型別
RTA02-4D
RTA02-4C
RTA03-4D
RTA03-4C
RTA03-2C
9 鍍層厚度:
9.1 鎳層(Ni)厚度:≧2μm
9.2 純錫層(Tin):≧3μm
9.3 電鍍純錫為霧錫。
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10 儲存期限:
10.1 在儲存環境25±5℃、60±15%.之條件下可儲存二年。
11 電子信息產品標示外箱上以下列標籤進行標示:(外銷中國大陸)
電子信息產品污染控制標誌
包裝回收標誌
12 附件:
12.1 文件修訂記錄表
備
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