CYTLP181(GR-TP)

CYTLP181 概述 CYTLP181是一块小外形的贴片光电耦合器件，适合表面贴装生产。CYTLP181是由一个砷化镓发光二极管和一 个光电晶体管组成的光电耦合器，它的体积比DIP小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器等。 特性        电流转换比 (CTR)范围: 50~600% （IF =5mA ,VCE =5V） 输入-输出隔离电压 (Viso=3750 Vrms) 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V 工作温度：-55~110°C UL 认证（NO.:E497745） 符合 EU REACH 和 RoHS CQC 认证（NO:CQC20001238559） Applications     开关电源，智能电表 工业控制，测量仪器 办公设备，比如复印机 家用电器，比如空调、风扇、热水器等 结构原理图和封装 极限参数 (Ta=25C) 参数 输入 输出 正向电流 正向脉冲电流 反向电压 功耗 结温 集电极功耗 集电极电流 集电极-发射极电压 发射极-集电极电压 结温 符号 额定值 单位 IF IFP 50 1 5 70 125 150 50 80 7 125 200 3750 -55~+110 -55~+125 240(10s) mA A V mW °C mW mA V V °C mW Vrms °C °C °C VR P Tj PC IC VCEO VECO 总功耗 隔离电压 Tj Ptot Viso 工作温度 储存温度 焊接温度 Topr Tstg Tsol © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 1 DPC-CYTLP181-CN-Rev.1 CYTLP181 光电特性 (Ta=25C) Parameter 正向电压 反向电流 输入端电容 集电极暗电流 集电极-发射极击穿电压 发射极-集电极击穿电压 电流转换比 集电极-发射极饱和压降 隔离电阻 隔离电容 集电极-发射极电容 输入-输出电容 输入 输出 传输特性 Symbol VF IR Cin ICEO BVCEO BVECO Condition IF=20mA VR=5V V=0, f=1MHz VCE=70V IC=0.1mA, IF=0 IE=0.1mA, IF=0 IF=5mA, VCE=5V IF=20mA, IC=1mA DC1000V, 40~60%R.H. V=0, f=1MHz V=0, f=1MHz V=0, f=1MHz VCE=5V, IC=2mA, RL=100Ω, -3dB CTR VCE(sat) RISO Cf CCE Cs Fc 截止频率 Tr Tf Ton Toff 上升时间 下降时间 开关时间 开启时间 关断时间 * CTR=IC/IF x 100% Min. 80 7 50 1x1011 - Typ. 1.2 30 0.1 0.6 10 0.8 Max. 1.4 10 100 600 0.2 1.0 - Unit V µA pF nA V V % V Ω pF pF pF - 80 - kHz - - 12 12 12 12 µs µs µs µs VCE=10V, IC=2mA, RL=100Ω CTR 分级表 型号 分级标准 电流转换率(%)(IC/IF) 印字 IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C Min Type Max Blank 50 - 600 BLANK，Y， GB，GR，BL Y 50 150 Y GR 100 - 300 GR GB 100 - 600 GB BL 200 - 600 BL CYTLP181 参数 Symbol Min. Typ. Max. Unit 工作电压 VCC - 5 48 V 正向电流 IF - 16 20 mA 集电极电流 IC - 1 10 mA 工作温度 Topr -25 - 85 °C © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 2 DPC-CYTLP181-CN-Rev.1 CYTLP181 测试电路 PC-Ta 正向电流 IF（mA） 集电极功耗 PC（mW） IF-Ta 环境温度（°C） 环境温度（°C） CTR- IF 电流传输比 CTR（%） 峰值正向电流 IF（mA） IFP-DR 占空比 © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 正向电流 IF（mA） 3 DPC-CYTLP181-CN-Rev.1 CYTLP181 IC-VCE 集电极电流 IC（mA） 正向电流 IF（mA） IF-VF 正向电压 VF（V） 集电极-发射极压降 VCE（V） VCE(SAT)-Ta 电流传输比 CTR（%） 集电极-发射极饱和压降 VCESAT（V） CTR-Ta 环境温度（°C） Switching Time-RL 快关之间（uA） 集电极暗电流 ICEO（nA） ICEO-Ta 环境温度（°C） 正向电压 VF 环境温度（°C） 负载电阻 RL （k） © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 4 DPC-CYTLP181-CN-Rev.1 CYTLP181 VCE(SAT)-IF 电压增益 AV（dB） 集电极-发射极饱和压降 VCESAT（V） AV-f 频率（kHz） 正向电电流 IF（mA） 回流焊温度曲线图 Ramp-up TL 217℃ Tsmax 200℃ Temperature (℃) Tsmin 150℃ 25℃ 10Sec 60~100Sec TP 240℃ Ramp-down tL ( Soldering) Time (Sec) 60~ 120 sec ts (Preheat) 外形尺寸 5.20±0.20 4.4-0.15/+0.25 4.40 TYP 0.40±0.10 2.0 MAX 3.6-0.15/+0.25 4.10±0.20 0.20 7.00±0.30 © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 5 2.54 TYP DPC-CYTLP181-CN-Rev.1 CYTLP181 包装 封装形式 SOP4 1) 包装方式 卷盘 (ϕ330mm) 盘数量 盒数量 箱数量 静电袋 盒规格 箱规格 3000PCS/盘 15000PCS/盒 60000PCS/箱 - 355*90*337mm 377*347*355mm 内盒尺寸 2) 外箱尺寸 © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 6 DPC-CYTLP181-CN-Rev.1 CYTLP181 编带尺寸 W 12.00±0.10 E F D0 D1 P0 1.75±0.10 5.50±0.05 1.50+0.10/-0 1.50+0.10/-0 4.00±0.10 P2 A0 B0 K0 T 2.00±0.10 3.90±0.10 7.38±0.10 2.50±0.10 0.2±0.05 P1 8.00±0.10 T1 0.10min 10*P0 40.00±0.20 注意： ◼ 卓睿研发会持续不断改善质量、可靠性、功能或设计和提供更好的产品，保留在任何时候修改此规格的权利，恕不另行 通知。 ◼ 客户下定单之前请确认手头的资料是最新版本，客户需确认此芯片确实符合自己的需要且能满足自己的要求。 ◼ 请遵守产品规格书使用，卓睿研发不对使用时不符合产品规格书条件而导致的质量问题负责。 ◼ 如需要高可靠性且用于以上特定设备或装置的产品，如军事、核电控制、医疗、生命维持或救生等可能导致人身伤害或死 亡的设备或装置，请联系我们销售代表以获取建议。 ◼ 使用此产品时请采取措施防止静电损坏。 ◼ 如对文件中表述的内容有疑问，欢迎联系我们。 © CHEUK YUI INNOVATION CO.,LIMITED Proprietary & Confidential 7 DPC-CYTLP181-CN-Rev.1