RTA02-4D1003FTH

RALEC 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 旺詮 IE-SP-008 2015/05/06 1/14 文件編號 版本日期 頁 次 1 適用範圍: 1.1 本承認書適用於本公司所生產的無鉛、無鹵素之RTA系列厚膜排列晶片電阻器。 1.2 本公司之無鉛產品意指符合RoHS要求的端電極無鉛，而存在於電阻層玻璃材料中的 鉛是符合RoHS的鉛排外條款。 1.3 該產品是屬於通用型系列。 1.4 AEC-Q200的報告可依據客戶要求提供。 2 型別名稱: (例) RTA 型別 02 尺寸 厚膜排列 晶片電阻器 01(0201) 02(0402) 03(0603) - 4 審查 100 回路數 電極構造 電阻值 QA 核准 會簽 Sales 會 J 容差 EX. 10Ω=100 3-碼 4.7Ω=4R7 2:2回路 JUMPER=000 D:凸電極 4:4回路 C:凹電極 EX. 10.2Ω=10R2 8:8回路 4-碼 10KΩ=1002 JUMPER=0000 IE 制訂 D 包裝型式 TH：2 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs . D=± 0.5% . F=± 1% . G=± 2% . J=± 5% . . 備註 簽 TH 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. 60 Series No. RALEC 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 旺詮 IE-SP-008 2015/05/06 2/14 文件編號 版本日期 頁 次 3 規格表: 3.1 阻值範圍:≧1Ω & 0Ω 型別 額定 功率 RTA01-2D 1 W (0201) 32 最高 額定 電壓 12.5V 最高 T.C.R 過負荷 (ppm/℃ ) 電壓 溫度係數 25V 阻值範圍 D(±0.5%) E-24、E-96 F(±1%) E-24、E-96 ±500 ------ ------ 3Ω≦R＜10Ω ±300 ------ ------ 10Ω≦R＜1K Ω ±200 ------ ------ 1KΩ≦R≦1 MΩ ±300 ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω ±200 ------ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦10MΩ ±200 ------ 10Ω≦R≦10MΩ 1Ω≦R≦10MΩ ±300 ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω ±200 ------ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦10MΩ ±400 ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω ±200 ------ 10Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ 註 4 2 0.5A ------ 50mΩ MAX. 4 2 1A 25mΩ MAX. 50mΩ MAX. 4 2 1A ------ 50mΩ MAX. 8 4 1A 25mΩ MAX. 50mΩ MAX. 8 4 1A ------ 50mΩ MAX. RTA02-2D 1 W (0402) 16 25V 50V RTA03-2D 1 W (0603) 16 50V 100V RTA02-4D 1 W (0402) 16 25V 50V RTA02-4C 1 W (0402) 16 25V 50V RTA03-4D 1 W (0603) 16 50V 100V ±200 22Ω≦R≦470KΩ 1Ω≦R≦10MΩ 1Ω≦R≦10MΩ 8 4 1A 25mΩ MAX 50mΩ MAX. RTA03-4C 1 W (0603) 16 50V 100V ±200 ------ 1Ω≦R≦1MΩ 1Ω≦R≦10MΩ 8 4 1A ------ 50mΩ MAX. RTA02-8D 1 W (0402) 16 25V 50V ±250 ------ 10Ω≦R≦10MΩ 1Ω≦R≦10MΩ 16 8 1A ------ 50mΩ MAX. RTA03-8C 1 W (0603) 16 50V 100V ±200 ------ 1Ω≦R≦1MΩ 1Ω≦R≦10MΩ 16 8 1A ------ 50mΩ MAX. RTA03-2C 1 W (0603) 16 50V 100V ±200 ------ 1Ω≦R≦1MΩ 1Ω≦R≦10MΩ 4 2 1A ------ 50mΩ MAX. RTA02-2C 1 W (0402) 16 3Ω≦R≦10Ω 3Ω≦R＜10Ω 25V 50V 10Ω≦R＜1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ 4 2 1A ------ 50mΩ MAX. ±650 ±200 ------ －55℃ ~ ＋155℃ 使用溫度範圍 備 JUMPER (0Ω) Number Number JUMPER 阻值 of of (0Ω) G(±2%)、J(±5%) Terminals Resistors F J 額定電流 端子數 電阻數 (±1%) (±5%) E-24 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 IE-SP-008 2015/05/06 3/14 文件編號 版本日期 頁 次 3.2 功率衰減曲線: 使用溫度範圍：- 55 ～ 155 ℃ 周圍溫度若超過70℃至155℃之間，功率可照下圖曲線予以修定之。 70 100 負 載 功 率 比 (%) 80 60 40 155 20 0 -55 20 40 60 80 100 120 140 160 環環環環(℃) 3.3 額定電壓或額定電流: 3.3.1 阻值範圍:≧1Ω 額定電壓:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電壓。 可用下列公式求得，但求得之值若超過規格表內之最高電壓時， 則以最高額定電壓為 其額定電壓。 E= R×P E=額定電壓(V) P=額定功率(W) R=公稱阻值(Ω) 3.3.2 阻值範圍:(0Ω) 額定電流:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電流。 可用下列公式求得，但求得之值若超過規格表內之最高電流時，則以最高額定電流為其 額定電流。 I = P/R 備 註 I=額定電流(A) P=額定功率(W) R=公稱阻值(Ω) 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 IE-SP-008 2015/05/06 4/14 文件編號 版本日期 頁 次 4 尺寸: (mm) RTA03-2D RTA03-2C RTA02-4C / RTA03-4C Circuits RTA02-4D / RTA03-4D R1 R2 R3 R4 R1=R2=R3=R4 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 IE-SP-008 2015/05/06 5/14 文件編號 版本日期 頁 次 RTA02-8D / RTA03-8C RTA01-2D / RTA02-2D 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 IE-SP-008 2015/05/06 6/14 文件編號 版本日期 頁 次 RTA02-2C 尺寸 L W H L1 L2 P Q RTA01-2D (0201) 0.80±0.10 0.60±0.10 0.30±0.05 0.15±0.10 0.15±0.05 (0.50) 0.35±0.10 RTA02-2D (0402) 1.00±0.10 1.00±0.10 0.30±0.05 0.15±0.10 0.25±0.10 (0.67) 0.33±0.10 RTA03-2D (0603) 1.60±0.15 1.60±0.15 0.45±0.10 0.30±0.15 0.30±0.15 (0.80) 0.60±0.10 RTA02-4D (0402) 2.00±0.10 1.00±0.10 0.40±0.10 0.20±0.10 0.25±0.10 (0.50) 0.30±0.10 RTA02-4C (0402) 2.00±0.10 1.00±0.10 0.40±0.10 0.15±0.10 0.25±0.10 (0.50) 0.30±0.10 RTA03-4D (0603) 3.20±0.20 1.60±0.15 0.50±0.10 0.30±0.15 0.30±0.15 (0.80) 0.50±0.10 RTA03-4C (0603) 3.20±0.15 1.60±0.15 0.55±0.10 0.35±0.15 0.45±0.15 (0.80) 0.50±0.10 RTA02-8D (0402) 4.00±0.20 1.60±0.10 0.40±0.10 0.30±0.15 0.30±0.10 (0.50) 0.25±0.10 RTA03-8C (0603) 6.40±0.20 1.60±0.20 0.55±0.10 0.30±0.15 0.40±0.15 (0.80) 0.50±0.10 RTA03-2C (0603) 1.60±0.15 1.60±0.15 0.55±0.10 0.30±0.15 0.40±0.15 (0.80) 0.50±0.10 RTA02-2C (0402) 1.00±0.10 1.00±0.10 0.30±0.10 0.18±0.10 0.25±0.10 (0.50) 0.30±0.10 型別 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 旺詮 IE-SP-008 2015/05/06 7/14 文件編號 版本日期 頁 次 5 結構圖: D(Convex) Type 4 7 5 6 10 9 3 1 2 8 1 陶瓷基板 Ceramic substrate 6 2nd 保護層 2nd Protective coating 2 背面內部電極 Bottom inner electrode 7 字碼 Marking 3 正面內部電極 Top inner electrode 8 側面內部電極 Terminal inner electrode 4 電阻層 Resistive layer 9 Ni 層電鍍 Ni plating 5 1st 保護層 1st Protective coating 10 Sn 層電鍍 Sn plating C(Concave) Type 7 4 6 5 10 3 1 備 註 8 2 9 1 陶瓷基板 Ceramic substrate 6 2nd 保護層 2nd Protective coating 2 背面內部電極 Bottom inner electrode 7 字碼 Marking 3 正面內部電極 Top inner electrode 8 側面內部電極 Terminal inner electrode 4 電阻層 Resistive layer 9 Ni 層電鍍 Ni plating 5 1st 保護層 1st Protective coating 10 Sn 層電鍍 Sn plating 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 IE-SP-008 2015/05/06 8/14 文件編號 版本日期 頁 次 6 信賴性實驗項目 6.1 電氣性能試驗(Electrical Performance Test) Specifications規格 Item Conditions 項目 條件 Resistors Jumper （ R2－ R1） Temperature NA. 參考3.規格表 Coefficient of TCR（ppm/℃）＝ R1（ T2－ T1） ×106 Resistance R1:室溫下量測之阻值(Ω) 溫度係數 R2:-55℃或＋125℃下量測之阻值(Ω) T1:室溫之溫度(℃) T2:-55℃或＋125℃之溫度(℃)。 根據 JIS-C5201-1 4.8 Short Time 施2.5倍的額定電壓5秒，靜置30分鐘以上再量測阻值變 0.5%、1%:±(1.0%+0.05Ω) 參考3. Overload 化率。(額定電壓值請參考 3.規格表) 2%、5% :±(2.0%+0.10Ω) 規格表. 短時間過負荷 根據 JIS-C5201-1 4.13 外觀無損傷，無短路及燒毀現象。 Insulation 將排列晶片電阻置於治具上，在正負極施加100 VDC ≧109Ω Resistance 一分鐘後，測量電極與保護層及電極與基板(底材)間之 絕緣電阻試驗 絕緣電阻值。 根據 JIS-C5201-1 4.6 絕 緣材質 A 測試 點 B 測試 點 電阻 背面 印刷 保護 層面 Dielectric Withstand Voltage 絕緣耐電壓 Intermittent Overload 斷續過負荷 Noise Level 雜音測驗 晶片 電阻 壓力 彈簧 將排列晶片電阻置於治具上，在正、負極施加300 VAC 無短路或燒毀現象。 －分鐘。 根據 JIS-C5201-1 4.7 置於恆溫箱中，施加2.5倍額定電壓，1秒ON，25秒 ±(5.0%+0.10Ω) 參考3. OFF，計10,000 次取出靜置60分鐘後量測阻值變化 規格表 量。 外觀無損傷，無短路及燒毀現象。 根據 JIS-C5201-1 4.13 NA 根據 JIS-C5201-1 4.12 測試方法。 阻值範圍 雜音(Noise) R ＜100Ω ≦ -10db (0.32 uV/V) 100Ω ≦R ＜1KΩ (3.2 uV/V) 10KΩ ≦R ＜100KΩ ≦ 15db (5.6 uV/V) ≦ 20db (10 uV/V) ≦ 30db (32 uV/V) 1MΩ ≦R 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 0db (1.0 uV/V) ≦ 10db 100KΩ ≦R ＜1MΩ 備 ≦ 1KΩ ≦R ＜10KΩ 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 IE-SP-008 2015/05/06 9/14 文件編號 版本日期 頁 次 6.2 機械性試驗(Mechanical Performance Test) Specifications規格 Item Conditions 項目 條件 Resistors Jumper Resistance to 浸於20~25℃異丙醇溶劑中5±0.5分鐘後取出靜置48 01-2D:±(1.0%+0.05Ω) 參考 3. Solvent 其它:±(0.5%+0.05Ω) hrs以上再量測阻值變化率。 規格表 耐溶劑性試驗 外觀無損傷，無G2保護層及Sn層被Leaching 根據 JIS-C5201-1 4.29 現象。 Solderability 焊錫性 前處理: 導體吃錫面積應大於95%。 將晶片電阻放置於PCT試驗機內，在溫度105℃、濕 度100%及氣壓1.22×105 pa的飽和條件下進行4小 時的老化測試，取出後靜置於室溫下2小時。 測試方法 ◎焊錫爐測試: 將電阻浸於235±5℃之爐中2±0.5秒後取出置於顯微 鏡下觀察焊錫面積。 依據 JIS-C5201-1 4.17 Resistance to ◎測試項目一(焊錫爐測試): Soldering Heat 浸於260+5/-0℃之錫爐中10 秒+1/-0，取出靜置 抗焊錫熱 60分鐘以上，再量測阻值變化率。 試驗項目一: (1).阻值變化率 △R%=±(1.0%+0.05Ω) (2).電極外觀無異常，無側導 脫落。 參考 3. 規格表 ◎測試項目二(焊鍚爐測試) 浸於260+5/-0℃之錫爐中30+1/-0秒，取出後洗淨。 試驗項目二: 置於顯微鏡下觀察焊錫面積。 (1).導體吃錫面積應大於95%。 (2).在電極邊緣處不應見到下層 依據 JIS-C5201-1 4.18 的物質(例如白基板)。 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 Item Conditions 項目 條件 Joint Strength 前處理: of Solder 將晶片電阻放置於PCT試驗機內，在溫度105℃、 焊錫粘合強度 濕度100%及氣壓1.22×105 pa的飽和條件下進行4 小時的老化測試，取出後靜置於室溫下2小時。 ◎測試項目一(固著性測試): 將晶片電阻焊於固著性測試板中，置於端電極測試 機上，以半徑R0.5之測試探針朝施力方向施加力 量，並保持10 sec，於負荷下量測阻值變化率。 力量:1.02-2C=10N 2.其它型別=20N 3.01-2D=5N IE-SP-008 2015/05/06 10/14 文件編號 版本日期 頁 次 Specifications規格 Resistors Jumper 試驗項目一: 參考3.規格表 (1).阻值變化率 △R%=±(1.0%+0.05Ω)。 (2).外觀無損傷無側導脫落。 試驗項目二: (1).阻值變化率 △R%=±(1.0%+0.05Ω)。 (2).外觀無損傷無側導脫落及 本體斷裂發生。 依據 JIS-C5201-1 4.32 ◎測試項目二(彎折性測試): 將晶片電阻焊於彎折性測試板中，置於彎折測試機 上，在測試板中央施力下壓，於負荷下量測阻值變 化率。 下壓深度(D): (1)01-2D=3mm (2)其它=5mm 依據 JIS-C5201-1 4.33 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 IE-SP-008 2015/05/06 11/14 文件編號 版本日期 頁 次 6.3 環境試驗(Environmental Test) Specifications規格 Item Conditions 項目 條件 Resistors Jumper Resistance to 置於155±5℃之烤箱中1000±4 hr，取出靜置1 hr以上 0.5%、1%:±(1.0%+0.05Ω) 參考 3.規格表 Dry Heat 再量測阻值變化率。 2%、5%:±(2.0%+0.10Ω) 耐熱性試驗 依據 JIS-C5201-1 4.25 外觀無損傷，無短路及燒毀現象。 Thermal Shock 將排列晶片電阻置入冷熱沖擊機中，溫度為-55℃ 15 ±(1.0%＋0.05Ω) 參考3.規格表 冷熱沖擊 分鐘，+125℃ 15分鐘，共計循環300次後取出，靜 外觀無損傷，無短路及燒毀現象。 置60分鐘再量測阻值變化率。 測試條件 最低溫度 -55±5℃ 最高溫度 125±5℃ 溫度保留時間 15 分鐘 依據 MIL-STD 202 Method 107 Loading Life 置於溫度40±2℃相對濕度90~95%恆溫恆濕槽中，並 0.5%、1%:±(2.0%+0.10Ω) 參考3.規格表` in Moisture 施加額定電壓，90分鐘ON，30分鐘OFF，共1,000 hr 2%、5%:±(3.0%+0.10Ω) 耐濕負荷 取出靜置60分鐘以上再量測阻值變化率。 外觀無損傷，無短路及燒毀現象。 依據 JIS-C5201-1 4.24 Load Life 負荷壽命 置於70±2℃之烤箱中施加額定電壓，90分鐘ON，30 分鐘OFF，共1,000 hrs取出靜置60分鐘以上再量測阻 值變化率。 依據 JIS-C5201-1 4.25 Low 將排列晶片電阻放置-55℃恆溫箱中60分鐘，施加 Temperature 額定電壓45分鐘，停止施壓15分鐘取出後靜置8±1 Operation hrs再量測阻值變化率。 低溫操作 依據 MIL-R-55342D 4.7.4 0.5%、1%:±(2.0%+0.10Ω) 2%、5%:±(3.0%+0.10Ω) 參考3.規格表 外觀無損傷，無短路及燒毀現象。 0.5%、1%:±(0.5%+0.05Ω) 2%、5% :±(1.0%+0.05Ω) 參考3.規格表 外觀無損傷，無短路及燒毀現象。 Whisker長度在50µm之內。 Whisker試驗 ◎測試項目(冷熱衝擊測試): 將晶片電阻置放於冷熱衝擊試驗箱內，並依下列條件做 測試，試驗後置於室溫下2小時。 測試條件 最低儲存溫度 -55+0/-10℃ 最高儲存溫度 85+10/-0℃ 溫度保留時間 10分 1,500 溫度循環次數 ◎檢查 將放大鏡的倍數調至40或大於40的倍數下做視察和 測試，如果此方法難做出判斷，我們可以改用掃描電 子顯微鏡(SEM)，且將倍數調至1000或大於1000倍數 下做視察和測試。 依據JESD Standard NO.22A121 class2. 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 IE-SP-008 2015/05/06 12/14 文件編號 版本日期 頁 次 7 建議焊錫條件: 7.1 Lead Free IR-Reflow Soldering Profile 備註:零件最高耐溫260 +5/-0 ℃,10秒。 7.2 烙鐵焊錫方法:350±10℃ 3秒之內。 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 旺詮 IE-SP-008 2015/05/06 13/14 文件編號 版本日期 頁 次 8 建議 Land Pattern Design (For Reflow Soldering)： Unit:mm RTA01-2D / RTA02-2D RTA02-2C / RTA03-2D / RTA03-2C 尺寸 RTA02-4D / RTA02-4C RTA03-4D / RTA03-4C RTA02-8D / RTA03-8C A B P Q1 Q2 RTA01-2D 0.30 0.90 0.50 0.30 0.20 RTA02-2D 0.50 2.00 0.67 0.33 0.34 RTA03-2D 1.00 2.60 0.80 0.40 0.40 0.50 2.00 0.50 0.28 0.22 1.00 2.60 0.80 0.40 0.40 RTA03-8C 1.00 2.60 0.80 0.40 0.40 RTA02-8D 1.00 2.60 0.50 0.25 0.25 RTA02-2C 0.50 2.00 0.50 0.28 0.22 型別 RTA02-4D RTA02-4C RTA03-4D RTA03-4C RTA03-2C 9 鍍層厚度: 9.1 鎳層(Ni)厚度:≧2μｍ 9.2 純錫層(Tin):≧3μｍ 9.3 電鍍純錫為霧錫。 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 厚膜排列晶片電阻器規格標準書 IE-SP-008 2015/05/06 14/14 文件編號 版本日期 頁 次 10 儲存期限: 10.1 在儲存環境25±5℃、60±15%.之條件下可儲存二年。 11 電子信息產品標示外箱上以下列標籤進行標示:(外銷中國大陸) 電子信息產品污染控制標誌 包裝回收標誌 12 附件: 12.1 文件修訂記錄表 備 註 (QA-QR-027) 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60