| ESD5Z3.3T1G | Mason semiconductor | SOD523 VC:14.1V 105pF | | | 获取价格 |
| ESD5Z7.0T1G | Mason semiconductor | SOD523 VC:22.7V 65pF PPK=200W IPP=8.8A VRWM=7V | | | 获取价格 |
| SD03C | Mason semiconductor | SOD323-2 VC:16V 450pF | | | 获取价格 |
| BAT54C-7-MS | Mason semiconductor | IR=2uA@25V VRRM=30V 双共阴极 VF=1V@100mA IFM=200mA SOT-23肖特基势垒二极管（SBD）ROHS | | | 获取价格 |
| PESD1CAN | Mason semiconductor | SOT23-3 VC:45V 25pF | | | 获取价格 |
| 1N5819HW-MS | Mason semiconductor | SOD123 I(o):1A 120pF | | | 获取价格 |
| ZMM5V6-MS | Mason semiconductor | 硅外延平面稳压二极管 | | | 获取价格 |
| ULN2003 | Mason semiconductor | 七路高耐压大电流达林顿驱动电路 | | | 获取价格 |
| RS3M | Mason semiconductor | | | | 获取价格 |
| ESD5451X-MS | Mason semiconductor | ESD抑制器 DFN1006-2L 5V | | | 获取价格 |
| BCP52-16-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-1A 功率(Pd)：1.5W 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V 特征频率(fT)：100MHz (100~250) | | | 获取价格 |
| RB520S-30-MS | Mason semiconductor | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;反向电流(Ir):1uA@10V; | | | 获取价格 |
| AMS1117CD-3.3 | Mason semiconductor | 输出类型:-; | | | 获取价格 |
| DTC114YE-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)：1.4V@1mA,0.3V 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)：300mV@100uA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii)：300mV@5mA,0.25mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：68@5mA,5V | | | 获取价格 |
| BZT52C2V0 | Mason semiconductor | 稳压二极管 Vz=2V 1.8V~2.15V Izt=5mA P=500mW SOD123 | | | 获取价格 |
| LM393 | Mason semiconductor | 比较器 单电源电压范围:2V~32V | | | 获取价格 |
| 2SD882-MS | Mason semiconductor | 通用三极管 NPN Ic=3A Vceo=30V hfe=60~400 P=500mW SOT89 | | | 获取价格 |
| LM358 | Mason semiconductor | 通用放大器 Vcc=40V Vs=±20V Vi=300mV~40V Pd=400mW | | | 获取价格 |
| ESD5Z5.0T1G-MS | Mason semiconductor | ESD抑制器/TVS二极管 单向 SOD523 Pd=200W vRWM=5V Vbr=6.2v Vc=11.6V@5A C=80pF | | | 获取价格 |
| DF06S | Mason semiconductor | 整流桥 10μA 600V DBS_8.5X6.5MM_SM | | | 获取价格 |
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