DIT120N08

DIT120N08 DIT120N08 ID25°C = 120 A RDS(on) ~ 4.9 mΩ Tjmax = 175°C N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-MOSFET VDSS = 80 V PD = 220 W EAS = 1400 mJ Version 2021-09-03 4 1 2 3 SPICE Model & STEP File 1) Typical Applications DC/DC Converters Power Supplies DC Drives Power Tools Commercial grade 1) Typische Anwendungen Gleichstrom-Wandler Stromversorgungen Gleichstrom-Antriebe Elektrowerkzeuge Standardausführung 1) Features Advanced Trench Technology Low on state resistance Fast switching times Low gate charge Avalanche rated Compliant to RoHS (exemp 7a), REACH, Conflict Minerals 1) RoHS EE WE Pb EL V TO-220AB Mechanical Data 1) Packed in tubes/cardboards Mechanische Daten 1) 50/1000 Weight approx. Marking Code Type/Typ Besonderheiten Advanced Trench Technologie Niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltzeiten Niedrige Gate-Ladung Avalanche-Charakteristik Konform zu RoHS (Ausn. 7a), REACH, Konfliktmineralien 1) Verpackt in Stangen/Kartons 2.2 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A HS Code 85412100 Maximum ratings 1) Grenzwerte 2) DIT120N08 Drain-Source voltage Drain-Source-Spannung VGS = 0 V (short) Gate-Source-voltage continuos Gate-Source-Spannung dauernd VDSS 80 V VGSS ± 20 V Power dissipation Verlustleistung TC = 25°C 2) Ptot 220 W Drain current continous Drainstrom dauernd TC = 25°C 3) ID 120 A Drain current continous Drainstrom dauernd TC = 100°C 3) ID 84 A ) IDM 450 A TC = 25°C 3) IS 40 A VGS = 0 V, tp = 10 s ISM 120 A VDD = 40 V, VG = 10 V L = 0.5 mH, RG = 25 Ω EAS 800 mJ Tj TS -55…+175°C -55…+175°C Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom Source current continous Sourcestrom dauernd Peak Source current – Source-Spitzenstrom Single pulse avalanche energy Einzelpuls Avalanche-Energie (Fig. 1) 3 Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne Pulse width refer to SOA diagram – Pulsbreite siehe SOA-Diagramm © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DIT120N08 Characteristics (static) Kennwerte (statisch) Tj = 25°C Min. Typ. Max. V(BR)DSS 80 V 89 V – IDSS – – 1 µA IGSS – – ± 100 nA VGS(th) 2V 3V 4V RDS(on) – 4.9 mΩ 6 mΩ Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 250 µA VGS = 0 V (short) Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom VDS = VDSS VGS = 0 V (short) Gate-Body leakage current – Gate-Substrat Leckstrom VGS = ±20 V VDS = 0 V (short) Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS ID = 250 µA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 10 V ID = 40 A Characteristics (dynamic) Kennwerte (dynamisch) Tj = 25°C Min. Typ. Max. gFS 90 S – – Ciss – 6500 pF – Coss – 520 pF – Crss – 460 pF – td(on) tr – 26 ns 24 ns – td(off) tf – 91 ns 39 ns – Qg – 163 nC – Qgs – 31 nC – Qgd – 64 nC – RGi – tbd Ω – Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS = 25 V ID = 5 A Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 25 V VGS = 0 V f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 25 V VGS = 0 V f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 25 V VGS = 0 V f = 1 MHz Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung und Anstiegszeit VDD = 30 V ID = 30 A VGS = 10 V RG = 2.5 Ω (Fig. 1) Turn-Off Delay Time & Fall Time – Ausschaltverzögerung und Abfallzeit VDD = 30 V ID = 30 A VGS = 0 V RG = 2.5 Ω (Fig. 1) Total Gate Charge – Gesamte Gate-Ladung VDD = 30 V ID = 30 A VGS = 10 V Gate-Source Charge – Gate-Source-Ladung VDD = 30 V ID = 30 A VGS = 10 V Gate-Drain Charge – Gate-Drain-Ladung VDD = 30 V ID = 30 A VGS = 10 V Intrinsic Gate resistance – Innerer Gatewiderstand f = 1 Mhz D open Fig. 1 Test circuit for switching times (R) and avalanche energy (L) td(on) tr (“rise“ und “fall“ beziehen sich auf I D) 2 VDS 90% VGS (“rise“ and “fall“ refer to I D ) Testaufbau für Schaltzeiten (R) und Avalanche-Energie (L) td(off) tf VDS VGS RG R ID VDD L 10% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG DIT120N08 Characteristics (diode) Kennwerte (Diode) Tj = 25°C Min. Typ. Max. VSD – – 1.2 V trr – 42 ns 60 ns Qrr – 66 nC 80 nC Forward voltage – Durchlass-Spannung VGS = 0 V IS = 40 A Reverse recovery time – Sperrverzugszeit IS = 40 A, di/dt = -100 A/µs Reverse recovery charge – Sperrverzugsladung IS = 40 A, di/dt = -100 A/µs Characteristics (thermal) Kennwerte (thermisch) Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Min. Typ. Max. – 0.68 K/W 1 ) – RthC Dimensions - Maße [mm] 10 3 R DS(on ) lim it [A] t p = 10µs 1 00µs 10 2 1ms 10 m s 10 T j = 175 °C T C = 25 °C ID 1 1 VDS 10 100 [V] 1000 Safe operating area for single pulses Sicherer Arbeitsbereich für Einzelpulse 1 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3 DIT120N08 3 10 [A] T j = 1 2 5 °C 102 T j = 2 5 °C 10 1 IS VGS = 0V 10-1 0.4 VSD 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Source-Drain diode characteristics (typical values) Kennlinie der Source-Drain Diode (typische Werte) 100 D = 0.5 [%] D = 0.1 10 D = t p/T D = 0.02 Z thA RthA D -> 0 0 tp T 1 0.01 [ms] 0.1 1 10 10 2 [t p] Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical) Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch) 10 3 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 4 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG