DIT195N08
DIT195N08
ID25°C
RDS(on)
Tjmax
N-Channel Power MOSFET
N-Kanal Leistungs-MOSFET
= 195 A
~ 4.1 mΩ
= 175°C
VDSS = 85 V
PD = 300 W
EAS = 1800 mJ
Version 2021-12-07
4
1
2
3
SPICE Model & STEP File 1
Typical Applications
DC/DC Converters
Power Supplies
DC Drives
Power Tools
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Typische Anwendungen
Gleichstrom-Wandler
Stromversorgungen
Gleichstrom-Antriebe
Elektrowerkzeuge
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Features
Advanced Trench Technology
Low on state resistance
Fast switching times
Low gate charge
Avalanche rated
Compliant to RoHS (examp. 7a),
REACH, Conflict Minerals 1)
RoHS
EE
WE
Pb
EL
V
TO-220AB
Mechanical Data 1)
Packed in tubes/cardboards
Marking
Type/Typ
HS Code 85412100
Besonderheiten
Advanced Trench Technologie
Niedriger Einschaltwiderstand
Schnelle Schaltzeiten
Niedrige Gate-Ladung
Avalanche-Charakteristik
Konform zu RoHS (Ausn. 7a),
REACH, Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
50/1000
Weight approx.
Verpackt in Stangen/Kartons
2.2 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 1)
Grenzwerte 2)
DIT195N08
Drain-Source voltage
Drain-Source-Spannung
VGS = 0 V (short)
Gate-Source-voltage continuos
Gate-Source-Spannung dauernd
VDSS
85 V
VGSS
± 20 V
Power dissipation – Verlustleistung
TC = 25°C 2)
Ptot
300 W
Drain current continous
Drainstrom dauernd
TC = 25°C 3)
ID
195 A
Drain current continous
Drainstrom dauernd
TC = 100°C 3)
ID
148 A
)
IDM
850 A
TC = 25°C 3)
IS
40 A
VGS = 0 V, tp = 10 s
ISM
95 A
ID = 30.1 A, VG = 10 V
L = 0.5 mH, RG = 25 Ω
EAS
1800 mJ
Tj
TS
-55…+175°C
-55...+175°C
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom
Source current continous
Sourcestrom dauernd
Peak Source current – Source-Spitzenstrom
Single pulse avalanche energy
Einzelpuls Avalanche-Energie
(Fig. 1)
3
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
Pulse width refer to SOA diagram – Pulsbreite siehe SOA-Diagramm
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
DIT195N08
Characteristics (static)
Kennwerte (statisch)
Tj = 25°C
Min.
Typ.
Max.
V(BR)DSS
85 V
–
–
IDSS
–
–
1 µA
IGSS
–
–
± 200 nA
VGS(th)
1.2 V
3.2 V
4V
RDS(on)
–
4.1 mΩ
4.95 mΩ
Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung
ID = 250 µA
VGS = 0 V (short)
Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom
VDS = VDSS
VGS = 0 V (short)
Gate-Body leakage current – Gate-Substrat Leckstrom
VGS = ±20 V VDS = 0 V (short)
Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung
VGS = VDS
ID = 250 µA
Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand
VGS = 10 V
ID = 40 A
Characteristics (dynamic)
Kennwerte (dynamisch)
Tj = 25°C
Min.
Typ.
Max.
gFS
tbd S
–
–
Ciss
–
7600 pF
–
Coss
–
720 pF
–
Crss
–
350 pF
–
td(on)
tr
–
32 ns
124 ns
–
td(off)
tf
–
84 ns
78 ns
–
Qg
–
140 nC
–
Qgs
–
40 nC
–
Qgd
–
57 nC
–
RGi
–
tbd Ω
–
Forward Transconductance – Übertragungssteilheit
VDS = 25 V
ID = 40 A
Input Capacitance – Eingangskapazität
VDS = 25 V
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Output Capacitance – Ausgangskapazität
VDS = 25 V
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität
VDS = 25 V
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung und Anstiegszeit
VDD = 30 V
ID = 30 A
VGS = 10 V
RG = 2.5 Ω
(Fig. 1)
Turn-Off Delay Time & Fall Time – Ausschaltverzögerung und Abfallzeit
VDD = 30 V
ID = 30 A
VGS = 0 V
RG = 2.5 Ω
(Fig. 1)
Total Gate Charge – Gesamte Gate-Ladung
VDD = 30 V
ID = 30 A
VGS = 10 V
Gate-Source Charge – Gate-Source-Ladung
VDD = 30 V
ID = 30 A
VGS = 10 V
Gate-Drain Charge – Gate-Drain-Ladung
VDD = 30 V
ID = 30 A
VGS = 10 V
Intrinsic Gate resistance – Innerer Gatewiderstand
f = 1 Mhz
D open
Fig. 1
Test circuit for switching
times (R) and avalanche
energy (L)
td(on) tr
(“rise“ und “fall“ beziehen sich auf I D)
2
VDS
90%
VGS
(“rise“ and “fall“ refer to I D )
Testaufbau für Schaltzeiten (R)
und Avalanche-Energie (L)
td(off) tf
VDS
VGS
RG
R
ID
VDD
L
10%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
DIT195N08
Characteristics (diode)
Kennwerte (Diode)
Tj = 25°C
Min.
Typ.
Max.
VSD
–
–
1.3 V
trr
–
–
110 ns
Qrr
–
–
300 nC
Forward voltage – Durchlass-Spannung
VGS = 0 V
IS = 40 A
Reverse recovery time – Sperrverzugszeit
IS = 40 A,
di/dt = -100 A/µs
Reverse recovery charge – Sperrverzugsladung
IS = 40 A,
di/dt = -100 A/µs
Characteristics (thermal)
Kennwerte (thermisch)
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Min.
Typ.
Max.
–
0.5 K/W
1
)
–
RthC
Dimensions - Maße [mm]
3
10
[A]
T j = 1 2 5 °C
102
T j = 2 5 °C
10
1
IS
VGS = 0V
10-1
0.4
VSD
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Source-Drain diode characteristics (typical values)
Kennlinie der Source-Drain Diode (typische Werte)
100
D = 0.5
[%]
D = 0.1
10
D =t p/T
D = 0.02
Z thA
RthA
D -> 0
0
tp
T
1 0.01 [ms]
0.1
1
10
10 2
[t p]
Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)
Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch)
10 3
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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