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P600B

P600B

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

  • 描述:

    P600B - Si-Rectifiers - Si-Gleichrichter - Diotec Semiconductor

  • 数据手册
  • 价格&库存
P600B 数据手册
P600A ... P600S P600A ... P600S Si-Rectifiers – Si-Gleichrichter Version 2006-01-25 Nominal Current Nennstrom Ø8 ±0.1 6A 50...1200 V Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style 1.3 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack ±0.5 62.5 Type Ø 1.2±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ P600A P600B P600D P600G P600J P600K P600M P600S Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1200 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 7,5±0.1 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1200 6 A 1) 60 A 1) 400/450 A 800 A2s -50...+175°C -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 P600A ... P600S Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 5 A VR = VRRM VF IR RthA RthL Kennwerte < 1.0 V < 25 µA < 20 K/W 1) < 4 K/W 120 [%] 100 103 [A] 102 80 Tj = 125°C Tj = 25°C 60 10 40 1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) IF 10-1 400a-(5a-1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 3 [A] 10 2 îF 10 1 10 10 2 [n] 10 3 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2
P600B 价格&库存

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