BSM300GB60DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GB 60 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP= 1ms Tc= 65°C Tc= 25°C tP= 1ms, Tc= 65°C VCES IC,nom. IC ICRM 600 300 375 600 V A A A Tc= 25°C, Transistor Ptot 1250 W VGES +/- 20V V IF 300 A IFRM 600 A VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I2t 19.200 A2s RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 125°C IC= 6mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C VCE sat min. VGE(th) 4,5 typ. 1,95 2,20 5,5 max. 2,45 6,5 V V V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 13 - nF f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C Cres - 1,1 2 2 - 1000 400 nF µA mA nA ICES IGES - prepared by: Andreas Vetter approved by: Michael Hornkamp date of publication: 2000-04-26 revision: 1 1 (8) BSM 300 GB 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GB 60 DLC Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor IC= 300A, VCC= 300V Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 3,3Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 3,3Ω , Tvj= 125°C IC= 300A, VCC= 300V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 3,3Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 3,3Ω , Tvj= 125°C IC= 300A, VCC= 300V Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 3,3Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 3,3Ω , Tvj= 125°C IC= 300A, VCC= 300V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 3,3Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 3,3Ω , Tvj= 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip lead resistance, terminals - chip Tc= 25°C IC= 300?A, VCC= 300V, VGE= 15V RG= 3,3Ω , Tvj= 125°C, Lσ = 35nH IC= 300A, VCC= 300V, VGE= 15V RG= 3,3Ω , Tvj= 125°C, Lσ = 35nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V Tvj≤125°C, VCC=360V, VCEmax=VCES -Lσ CE ·di/dt Eon tf 42 47 6,5 ns ns mJ td,off 320 355 ns ns tr 69 71 ns ns td,on 95 105 ns ns min. typ. max. Eoff - 11 - mJ ISC - 1350 - A Lσ CE - 15 - nH RCC'+EE' - 0,6 - mΩ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage IF= 300A, VGE= 0V, Tvj= 25°C IF= 300A, VGE= 0V, Tvj= 125°C IF= 300A, -diF/dt= 4200A/µsec Rückstromspitze peak reverse recovery current VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C IF= 300A, -diF/dt= 4200A/µsec Sperrverzögerungsladung recoverred charge VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C IF= 300A, -diF/dt= 4200A/µsec Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C Erec 7,0 mJ mJ Qr 19 34 µC µC IRM 205 256 A A VF min. - typ. 1,25 1,20 max. 1,6 V V 2 (8) BSM 300 GB 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GB 60 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode / diode, DC pro Modul / per module λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K RthJC RthCK - typ. 0,01 max. 0,10 0,21 K/W K/W K/W Tvj - - 150 °C Top -40 - 125 °C Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage insulation Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung mounting torque Schraube M6 screw M6 M1 -15 Al2O3 20 mm 11 mm 275 5 +15 Nm % Gewicht weight G 420 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3 (8) BSM 300 GB 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GB 60 DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C= f (VCE) VGE= 15V 600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 500 400 IC [A] 300 200 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 600 VGE = 8V VGE = 9V VGE = 10V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V I C= f (VCE) Tvj= 125°C 500 400 IC [A] 300 200 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4 (8) BSM 300 GB 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GB 60 DLC Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C= f (VGE) VCE= 20V 600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 500 400 IC [A] 300 200 100 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C I F= f (VF) 500 400 IF [A] 300 200 100 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 VF [V] 5 (8) BSM 300 GB 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GB 60 DLC Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC) RG,on= 3,3Ω, =RG,off = 3,3Ω , VCC= 300V, Tvj= 125°C 30 Eon 25 Eoff Erec 20 E [mJ] 15 10 5 0 0 100 200 300 400 500 600 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 35 30 25 E [mJ] 20 15 10 5 0 0 2 4 6 Eon Eoff Erec E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG) IC= 300A , VCC= 300V , Tvj = 125°C 8 10 12 14 16 RG [Ω ] 6 (8) BSM 300 GB 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GB 60 DLC Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thJC = f (t) 1 0,1 ZthJC [K / W] 0,01 Zth:IGBT Zth:Diode 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 t [sec] i ri [K/kW] τi [sec] ri [K/kW] τi [sec] 1 4,2 0,0018 74,0 0,0487 2 52,4 0,0240 71,0 0,0169 3 35,2 0,0651 44,6 0,1069 4 8,1 0,6626 20,4 0,9115 : IGBT : IGBT : Diode : Diode Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 700 600 500 400 300 200 100 0 0 100 200 300 400 IC,Modul IC,Chip VGE= +15V, R G,off = 3,3Ω, Tvj= 125°C IC [A] 500 600 700 VCE [V] 7 (8) BSM 300 GB 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GB 60 DLC Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 2,8 x 0,5 M6 22,5 22 16 22,5 ø6,4 6 7 1 2 3 28 28 93 106,4 20 5 4 6 7 1 3 5 2 4 8 (8) BSM 300 GB 60 DLC S1 2000-02-08 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. 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