F3L75R12W1H3B11BPSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 VorläufigeDaten/PreliminaryData J VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • SolarAnwendungen TypicalApplications • 3-Level-Applications • SolarApplications ElektrischeEigenschaften • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat ElectricalFeatures • LowInductiveDesign • LowSwitchingLosses • LowVCEsat MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • Compactdesign • PressFITContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,T1-T4/IGBT,T1-T4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES  1200  V ICN  75  A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  IC 30 45  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  150  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  275  W VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,45 1,55 1,60 1,70 V V V 5,80 6,45 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 2,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,57 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,40 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,235 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 6,8 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,05 0,03 0,03 0,03 µs µs µs 0,01 0,012 0,012 µs µs µs 0,25 0,32 0,34 µs µs µs 0,025 0,04 0,045 µs µs µs Eon 0,40 0,60 0,70 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, du/dt = 2400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 6,8 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,05 1,60 1,75 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 270 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 2 0,500 0,550 K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op 0,450 -40 K/W 150 °C Diode,D1/D4/Diode,D1/D4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  30  A IFRM  60  A I²t  310  A²s min. IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy  V IF CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage 1200 typ. max. VF 2,15 t.b.d. 1,85 1,70 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 85,0 90,0 95,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 2,30 2,95 3,30 µC µC µC IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,85 1,25 1,35 mJ mJ mJ RthJC 0,700 0,750 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,700 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 3 -40 K/W 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES  650  V ICN  50  A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  IC 30 60  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  100  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  175  W VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,25 1,30 1,30 1,50 V V V 5,80 6,45 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,10 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,095 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, di/dt = 3000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 6,2 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,05 0,022 0,022 0,025 µs µs µs 0,01 0,012 0,012 µs µs µs 0,12 0,15 0,165 µs µs µs 0,025 0,037 0,04 µs µs µs Eon 0,40 0,55 0,60 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, du/dt = 4200 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 6,2 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,90 1,20 1,30 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 350 250 A A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 4 0,750 0,850 K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op 0,700 -40 K/W 150 °C Diode,D2/D3/Diode,D2/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  650  V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN  50  A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF  30  A IFRM  100  A I²t  130 115  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,65 VF 1,45 1,35 1,30 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 42,0 48,0 50,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,80 2,40 2,60 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,45 0,65 0,73 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,800 1,10 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,600 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge -40 V V V K/W 150 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 5 kΩ 5 % 20,0 mW TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  AI2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm  > 200  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex VISOL  CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature nH RCC'+EE' RAA'+CC' 5,00 6,00 mΩ Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 6 max. 30 -40 preparedby:CM typ. LsCE Tstg Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.  kV 3,0 24 125 °C 80 N g TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,T1-T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,T1-T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 60 60 50 50 40 40 IC [A] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0 2,5 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 0,0 0,5 1,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1-T4(typisch) transfercharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 2,5 3,0 50 60 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 2,5 40 2,0 E [mJ] IC [A] 2,0 SchaltverlusteIGBT,T1-T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1-T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=400V 60 30 1,0 10 0,5 5 6 7 8 9 0,0 10 VGE [V] preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 7 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 1,5 20 0 1,5 VCE [V] 0 10 20 30 IC [A] 40 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,T1-T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1-T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandIGBT,T1-T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1-T4 ZthJH=f(t) 4,0 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C ZthJH : IGBT ZthJH [K/W] E [mJ] 3,0 2,0 1 1,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,032 0,062 0,312 0,544 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,0 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 0,1 0,001 70 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1-T4(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1-T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) 70 50 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 45 60 40 50 35 30 IF [A] IC [A] 40 30 25 20 15 20 10 10 5 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 8 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=6,2Ω,VCE=400V SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=400V 2,0 1,6 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,8 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,4 1,6 1,2 1,4 1,0 E [mJ] E [mJ] 1,2 1,0 0,8 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 5 0,0 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJH=f(t) 0 10 20 30 RG [Ω] 40 50 60 AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 60 ZthJH: Diode 55 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 45 35 IC [A] ZthJH [K/W] 40 1 30 25 20 15 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,097 0,219 0,576 0,508 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 5 0 0,00 10 preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 9 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 VCE [V] 1,50 1,75 2,00 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 60 60 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 54 48 42 42 36 36 IC [A] IC [A] 48 30 24 18 18 12 12 6 6 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 3,5 0 4,0 5 6 7 8 9 10 VGE [V] SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.2Ω,RGoff=6.2Ω,VCE=400V SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V 2,4 4,5 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 2,2 2,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 4,0 3,5 1,8 1,6 3,0 E [mJ] 1,4 E [mJ] 30 24 0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 54 1,2 1,0 0,8 2,5 2,0 1,5 0,6 1,0 0,4 0,5 0,2 0,0 0 10 20 30 IC [A] 40 50 0,0 60 preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 10 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 RG [Ω] TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJH=f(t) DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) 10 60 ZthJH: IGBT Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 55 50 45 35 IF [A] ZthJH [K/W] 40 1 30 25 20 15 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,084 0,195 0,586 0,585 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 5 0 10 SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=6.8Ω,VCE=400V 0,0 0,5 1,0 VF [V] 1,5 2,0 SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=400V 1,00 0,90 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,90 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,80 0,80 0,70 0,70 0,60 E [mJ] E [mJ] 0,60 0,50 0,50 0,40 0,40 0,30 0,30 0,20 0,20 0,10 0,10 0,00 0 10 20 30 IF [A] 40 50 0,00 60 preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 11 0 10 20 30 RG [Ω] 40 50 60 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJH=f(t) NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 10 100000 ZthJH: Diode Rtyp R[Ω] ZthJH [K/W] 10000 1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,206 0,247 0,412 0,535 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 10 preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 12 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 13 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 14