FP75R12N2T4B11BPSA2

FP75R12N2T4_B11 EconoPIM™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoPIM™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A PotentielleAnwendungen • Hilfsumrichter • Motorantriebe • Servoumrichter PotentialApplications • Auxiliaryinverters • Motordrives • Servodrives ElektrischeEigenschaften • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • Tvjop=150°C • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures • Lowswitchinglosses • LowVCEsat • Tvjop=150°C • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanischeEigenschaften • IntegrierterNTCTemperaturSensor • Kupferbodenplatte • PressFITVerbindungstechnik • Standardgehäuse MechanicalFeatures • IntegratedNTCtemperaturesensor • Copperbaseplate • PressFITcontacttechnology • Standardhousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.1 2018-03-06 FP75R12N2T4_B11 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 175°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage 1200  V IC nom  75  A ICRM  150  A VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage  min. IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,85 2,15 2,25 2,15 V V V 5,80 6,35 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 2,40 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V QG 0,57 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 10 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,30 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,16 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, Lσ = 40 nH di/dt = 1100 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, Lσ = 40 nH du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 1,1 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT 0,11 0,12 0,12 µs µs µs 0,04 0,05 0,05 µs µs µs 0,26 0,35 0,38 µs µs µs 0,11 0,19 0,22 µs µs µs Eon 7,85 11,5 13,0 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 4,30 7,10 8,00 mJ mJ mJ tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C ISC 270 A td on tr td off tf RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 5,25 2 0,380 K/W 0,140 -40 K/W 150 °C V3.1 2018-03-06 FP75R12N2T4_B11 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  V IF  75  A IFRM  150  A I²t  960 920  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,15 VF 1,70 1,65 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 30,0 37,5 39,5 A A A IF = 75 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 6,65 11,5 13,5 µC µC µC IF = 75 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 2,40 4,10 4,75 mJ mJ mJ Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 75 A, VGE = 0 V IF = 75 A, VGE = 0 V IF = 75 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 75 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase 1200 proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op V V V 0,555 K/W 0,150 -40 K/W 150 °C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  1600  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 100°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  75  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 100°C IRMSM  100  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  600 470  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  1800 1100  A²s A²s Tvj = 25°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 75 A VF 1,15 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 3 0,619 K/W 0,161 -40 K/W 150 °C V3.1 2018-03-06 FP75R12N2T4_B11 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 175°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage 1200  V IC nom  50  A ICRM  100  A VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage  min. IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,85 2,15 2,25 2,15 V V V 5,80 6,35 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V QG 0,38 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 4,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,80 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,10 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 30 nH di/dt = 1400 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 30 nH du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 15 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT 0,07 0,07 0,07 µs µs µs 0,03 0,04 0,04 µs µs µs 0,31 0,39 0,41 µs µs µs 0,11 0,20 0,23 µs µs µs Eon 3,60 4,80 5,10 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 3,00 4,70 5,40 mJ mJ mJ tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C ISC 180 A td on tr td off tf RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 5,25 4 0,498 K/W 0,146 -40 K/W 150 °C V3.1 2018-03-06 FP75R12N2T4_B11 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200  V IF  25  A IFRM  50  A I²t  90,0 80,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min.  A²s A²s typ. max. 2,25 VF 1,75 1,75 1,75 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 29,5 33,0 34,5 A A A IF = 25 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 2,05 3,35 4,05 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 25 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,75 1,25 1,55 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 25 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op V V V 1,16 K/W 0,177 -40 K/W 150 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 5 V3.1 2018-03-06 FP75R12N2T4_B11 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  7,5  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI  Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Gewicht Weight  > 200 min. typ. max. LsCE 35 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 4,00 3,00 mΩ Tstg -40 125 °C M 3,00 6,00 Nm G 180 g Dieses Produkt ist für die Antriebsapplikationen und unterbrechungsfreie Stromversorgungen entwickelt worden. Eine Verwendung in weiteren Anwendungen ist vom Benutzer eigenverantwortlich zu prüfen. This product has been developed for drives and uninterruptible power supplies (UPS) applications. The utilization in further applications needs to be proven by the user on one’s own responsibility. Datasheet 6 V3.1 2018-03-06 FP75R12N2T4_B11 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 150 150 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 135 120 120 105 105 90 90 IC [A] IC [A] 135 75 75 60 60 45 45 30 30 15 15 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 50 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 135 120 40 105 35 90 30 75 25 60 20 45 15 30 10 15 5 5 Datasheet 6 7 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 45 E [mJ] IC [A] 0,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=600V 150 0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 7 0 25 50 75 IC [A] 100 125 150 V3.1 2018-03-06 FP75R12N2T4_B11 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=75A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 20 1 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 18 ZthJC : IGBT 16 14 ZthJC [K/W] E [mJ] 12 10 0,1 8 6 4 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0254 0,0888 0,233 0,0328 τi[s]: 0,0007 0,0167 0,06 1,172 2 0 0 2 4 6 RG [Ω] 8 10 0,01 0,001 12 SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(IC),tdoff=f(IC),tr=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=600V,Tvj=150°C 1 0,01 0,1 t [s] 1 10 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.1Ω,Tvj=150°C 180 tdon tdoff tr tf IC, Modul IC, Chip 165 150 135 120 IC [A] t [µs] 105 0,1 90 75 60 45 30 15 0,01 0 Datasheet 25 50 75 IC [A] 100 125 0 150 8 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 1400 V3.1 2018-03-06 FP75R12N2T4_B11 SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(RG),tdoff=f(RG),tr=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=75A,VCE=600V,Tvj=150°C DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 1 150 tdon tdoff tr tf Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 135 120 105 IF [A] t [µs] 90 0,1 75 60 45 30 15 0,01 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 10 0 11 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=1.1Ω,VCE=600V 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=75A,VCE=600V 8,0 8,0 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 7,0 7,0 6,0 6,0 5,0 5,0 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 4,0 4,0 3,0 3,0 2,0 2,0 1,0 1,0 0,0 0 Datasheet 25 50 75 IF [A] 100 125 150 0,0 9 0 2 4 6 RG [Ω] 8 10 12 V3.1 2018-03-06 FP75R12N2T4_B11 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) 1 150 ZthJC : Diode Tvj = 25°C Tvj = 150°C 135 120 105 IF [A] ZthJC [K/W] 90 0,1 75 60 45 30 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0412 0,255 0,226 0,0328 τi[s]: 0,00101 0,0207 0,0719 1,01 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 15 0 10 AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 100 1 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 ZthJC : IGBT 80 70 ZthJC [K/W] IC [A] 60 50 0,1 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0406 0,18 0,2502 0,0272 τi[s]: 0,00106 0,0204 0,061 0,786 10 0 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 4,0 0,01 0,001 10 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.1 2018-03-06 FP75R12N2T4_B11 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 50 10 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 45 ZthJC : Diode 40 35 1 ZthJC [K/W] IF [A] 30 25 20 0,1 15 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,13 0,45 0,532 0,048 τi[s]: 0,000959 0,0118 0,0431 0,609 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 0,01 0,001 VF [V] 0,01 0,1 t [s] 1 10 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 11 V3.1 2018-03-06 FP75R12N2T4_B11 Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines In fin e o n Datasheet 12 V3.1 2018-03-06 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2018-03-06 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2018InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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