GMA92

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA92 GMA93 ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Symbol 符號 VCEO VCBO VEBO Ic GMA92 -300 -300 -6.0 -500 GMA93 -200 -200 -6.0 -500 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mAdc Characteristic 特性參數 Collector-Emitter Voltage 集電極-射極電壓 Collector-Base Voltage 集電極-極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極基極電壓 Collector Current-Continuous 集極電流-連續 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Symbol 符號 PD Max 最大值 225 1.8 PD 300 2.4 RΘJA TJ,Tstg 417 Unit 單位 mW mW/℃ mW mW/℃ ℃/W Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃溫度爲 25℃ Derate above25℃超過 25℃遞減 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2) TA=25℃溫度爲 25℃ Derate above25℃超過 25℃遞減 Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 ■DEVICE 150℃, -55to+150℃ MARKING 打標 GMA92=2D;GMA93=2E 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA92 GMA93 CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic Symbol Min 特性參數 符號 最小值 ■ELECTRICAL Max 最大值 — — — __ — -100 -250 -250 — 300 — __ -0.5 -0.5 Unit 單位 Collector-Emitter Breakdown Voltage(3) 集電極-發射極擊穿電壓(Ic=-1.0mAdc,IB=0) Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓(Ic=-100μAdc,IE=0) Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓(IE=-10μAdc,Ic=0) Emitter Cutoff Current 發射截止電流 (VEB=-3.0Vdc,Ic=0) Collector Cutoff Current 集電極截止電流 (VCB=-200Vdc,IE=0) (VCB=-160Vdc,IE=0) DC Current Gain 直流電流增益 (Ic=-1.0mAdc,VCE=-10.0Vdc) (Ic=-10mAdc,VCE=-10.0Vdc) (Ic=-30mAdc,VCE=-10.0Vdc) Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 (Ic=-20mAdc, IB=-2.0mAdc) Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 (Ic=-20mAdc, IB=-2.0mAdc) Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益-帶寬乘積 (Ic=-10mAdc,VCE=-20Vdc,f=100MHz) Collector-Base Capacitance 輸出電容 (VCB=-20.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz) １．FR-5=1.0×0.75×0.062in. ２．Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. ３．Pulse Width