A178AG-00

汕头华汕电子器件有限公司 PNP SILICON TRANSISTOR TIP42C 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A178AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1780×1780µm 2 焊位尺寸：B 极 360×498µm 2；E 极 364×502µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：TIP42C，HP42C █ 管芯示意图 █ 极限值（Ta=25℃） （封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散 Tc=25℃） （ ……………………… 65W PC——集电极功率耗散 Ta=25℃） （ ……………………… 2W VCBO——集电极—基极电压……………………………-100V VCEO——集电极—发射极电压…………………………-100V VEBO——发射极—基极电压………………………………-5V （ ……………………………………-6A IC——集电极电流 DC） IC——集电极电流(脉冲)…………………………………-10A IB——基极电流……………………………………………-2A █ 电参数（Ta=25℃） （封装形式：TO-220） 参数符号 BVCEO(sus) ICEO ICES IEBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 -100 -0.7 -400 -1 30 15 100 -1.5 -2.0 V mA µA mA 测 试 条 件 集电极—发射极维持电压* 集电极—发射极截止电流 集电极—发射极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益* 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极导通电压* 特征频率 * 3.0 V V MHz IC=-30mA，IB=0 VCE=-60V，IB=0 VCE=-100V，VEB=0, VEB=-5V，IC=0 VCE=-4V，IC=-0.3A VCE=-4V，IC=-3A IC=-6A，IB=-600mA VCE=-4V，IC=-6A VCE=-10V，IC=-0.5A， f=1MHz *脉冲测试：脉宽≤300µs，占空比≤2%。