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R NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 3DD13009NL 主要参数 IC VCEO PC(TO-220C) PC(TO-3PN(B)) MAIN CHARACTERISTICS 15A 350V 110W 130W 封装 Package 用途 节能灯 电子镇流器 高频开关电源 高频功率变换 一般功率放大电路 APPLICATIONS Energy-saving ligh Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier 产品特性 高耐压 高电流容量 高开关速度 高可靠性 环保（RoHS）产品 FEATURES High breakdown voltage High current capability High switching speed High reliability RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 3DD13009NL-O-C-N-B 3DD13009NL-O-AN-N-B 3DD13009NL-O-AB-N-B 印 记 否 否 否 无卤素 Halogen Free NO NO NO 封 装 包 装 Marking D13009NL D13009NL D13009NL Package TO-220C TO-3PN TO-3PB Packaging 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 版本：201008A 1/7 R 3DD13009NL ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符号 Symbol VCEO VEBO IC ICP IB IBP PC PC Tj Tstg 数值 Value 600 350 9 15 30 7 14 110 130 150 -55~+150 单位 Unit V V V A A A A W W ℃ ℃ 绝对最大额定值 集电极—发射极直流电压 集电极—发射极直流电压 发射极—基极直流电压 最大集电极直流电流 最大集电极脉冲电流 最大基极直流电流 最大基极脉冲电流 最大集电极耗散功率 最大集电极耗散功率 最高结温 贮存温度 Collector- Emitter Voltage（VBE=0） VCES Collector- Emitter Voltage（IB=0） Emitter-Base Voltage Collector Current（DC） Collector Current（pulse） Base Current（DC） Base Current（pulse） Total Dissipation (TO-220C) Total Dissipation (TO-3PN(B)) Junction Temperature Storage Temperature 注：pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%. 电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC 项 V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO Hfe(1) Hfe(2) VCE(sat) VBE(sat) tf ts fT 目 Parameter 测试条件 Tests conditions IC=10mA,IB=0 IC=1mA,IB=0 IE=1mA,IC=0 VCB=600V, IE=0 VCE=350V,IB=0 VEB=9V, IC=0 VCE =5V, VCE =5V, IC=8A, IC=8A, IC=5A IC=8A IB=1.6A IB=1.6A IC=5A,IB1=-IB2=1A 最小值 Value(min) 典型值 - 最大值 100 50 10 40 1.5 1.6 0.7 5 - Value(typ) Value(max) 单位 Unit V V V μA μA μA 350 600 9 8 8 4 V V μS μS MHz VCC=24V VCE=10V, IC=0.5A 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符号 Symbol Rth(j-c) Rth(j-c) 最小值 最大值 Value(min) Value(max) 单位 Unit ℃/W ℃/W 结到管壳的热阻 TO-220C Thermal Resistance Junction Case TO-220C 结到管壳的热阻 TO-3PN(B) Thermal Resistance Junction Case TO-3PN(B) - 1.14 0.96 版本：201008A 2/7 R 3DD13009NL ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 特征曲线 hFE – IC VBE（sat）- IC VBEsat hFE VCE(sat)- IC POWER DERATING FACTOR PC-TC VCEsat SOA IC(A) VCE (V) 版本：201008A 3/7 R 3DD13009NL 单位 Unit ：mm 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 版本：201008A 4/7 R 3DD13009NL 单位 Unit ：mm 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-3PN 版本：201008A 5/7 R 3DD13009NL 单位 Unit ：mm 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-3PB 版本：201008A 6/7 R 3DD13009NL NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 注意事项 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为 直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请 与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司 本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额 定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知。 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 传真: 86-432-64671533 CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel：86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 Fax: 86-432-64671533 附录（Appendix）：修订记录（Revision History） 日期 Date 2010-8-2 旧版本 Last Rev. 新版本 New Rev. 201008A 修订内容 Description of Changes 新版本 版本：201008A 7/7