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创作活动
NTR5103NT1G

NTR5103NT1G

  • 厂商:

    MURATA-PS(村田)

  • 封装:

    SOT-23

  • 描述:

    类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):260mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,240mA;

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NTR5103NT1G 数据手册
NTR5103N Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N−Channel, SOT−23 Features • • • • Low RDS(on) Small Footprint Surface Mount Package Trench Technology These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant www.onsemi.com V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) 60 V 3.0 W @ 4.5 V 310 mA 2.5 W @ 10 V Applications • • • • Low Side Load Switch Level Shift Circuits DC−DC Converter Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc. Simplified Schematic N−Channel 3 MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise stated) Rating Symbol Value Unit Drain−to−Source Voltage VDSS 60 V Gate−to−Source Voltage VGS ±30 V Drain Current (Note 1) Steady State t
NTR5103NT1G 价格&库存

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