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PDMB150A6

PDMB150A6

  • 厂商:

    NIEC

  • 封装:

  • 描述:

    PDMB150A6 - 150A 600V - Nihon Inter Electronics Corporation

  • 数据手册
  • 价格&库存
PDMB150A6 数据手册
IGBT ■回路図 CIRCUIT G2 E2 C2E1 E2 C1 150 A 600 V ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING PDMB150A6 PDMB150A6C PDMB150A6C (単位 Dimension:mm) PDMB150A6C E1 G1 ■最大定格 Maximum Ratings(TC=25℃) 項   目 Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コレクタ電流 Collector Current DC 1ms 記号 Symbol VCES VGES IC ICP PC Tj Tstg Viso PDMB150A6 2(20.4) 2(20.4) 定 格 値 Rated Value 600 ±20 150 300 560 −40∼+150 −40∼+125 2500 PDMB150A6C 3(30.6) 単位 Unit V V A W ℃ ℃ V (RMS) Nm ・ (kgf cm) ・ コレクタ損失 Collector Power Dissipation 接合温度 Junction Temperature Range 保存温度 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 (端子−ベース間,AC1分間) Isolation Voltage Terminal to Base, AC1min.) ( ベース取付部 Module Base to Heatsink 締付トルク Mounting Torque 端子部 Busbar to Terminal Ftor ■電気的特性 Electrical Characteristics(TC=25℃) 項   目 Characteristic コレクタ遮断電流 Collector-Emitter Cut-Off Current ゲート漏れ電流 Gate-Emitter Leakage Current コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートしきい値電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入力容量 Input Capacitance 上昇時間 Rise Time ターン・オン時間 スイッチング時間 Turn-On Time Switching Time 下降時間 Fall Time ターン・オフ時間 Turn-Off Time 記号 Symbol ICES IGES VCE sat) ( VGE th) ( Cies tr ton tf toff VCC=300V RL=2Ω RG=5.1Ω VGE=±15V 条   件 Test Conditions VCE=600V, VGE=0V VGE=±20V, VCE=0V IC=150A, VGE=15V VCE=5V, IC=150mA VCE=10V, VGE=0V, f=1MHz 最小 Min. ─ ─ ─ 4.0 ─ ─ ─ ─ ─ 標準 Typ. ─ ─ 2.1 ─ 15000 0.15 0.25 0.2 0.45 最大 Max. 2.0 500 2.6 8.0 ─ 0.3 0.4 μ s 0.35 0.7 単位 Unit mA nA V V pF I G B T モ ジ ュ ー ル ─ 388 ─ ■フリーホイーリングダイオードの特性 Free Wheeling Diode Ratings & Characteristics(TC=25℃) 項   目 Item 順電流 Forward Current 項   目 Characteristic 順電圧 Peak Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time DC 1ms 記号 Symbol IF IFM 記号 Symbol VF trr 条   件 Test Conditions IF=150A, VGE=0V IF=150A, VGE=−10V di/dt=150A/ s μ 定 格 値 Rated Value 150 300 最小 Min. ─ ─ 標準 Typ. 1.9 0.15 最大 Max. 2.4 0.25 単位 Unit A 単位 Unit V μ s ■熱的特性 Thermal Characteristics 項   目 Characteristic 熱抵抗 Thermal Impedance IGBT Diode 記号 Symbol Rth (j-c) 条   件 Test Conditions 接合部−ケース間 Junction to Case 最小 Min. ─ ─ 標準 Typ. ─ ─ 最大 Max. 0.22 0.45 単位 Unit ℃/W ─ 389 ─ ■定格・特性曲線 Fig. 1 Output Characteristics(Typical) Fig. 2 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage(Typical) Fig. 3 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage(Typical) Fig. 4 Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage(Typical) Fig. 5 Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage(Typical) Fig. 6 Collector Current vs. Switching Time(Typical) Fig. 7 Series Gate Impedance vs. Switching Time(Typical) Fig. 8 Forward Characteristics of Free Wheeling Diode(Typical) I G B T モ ジ ュ ー ル ─ 390 ─ Fig. 9 Reverse Recovery Capacitance (Typical) Fig. 10 Reverse Bias Safe Operating Area Fig. 11 Transient Thermal Impedance ─ 391 ─
PDMB150A6 价格&库存

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