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创作活动
SDD10N04

SDD10N04

  • 厂商:

    SIRECTIFIER

  • 封装:

  • 描述:

    SDD10N04 - Discrete Diodes - Sirectifier Semiconductors

  • 数据手册
  • 价格&库存
SDD10N04 数据手册
SDD10 Discrete Diodes Dimensions TO-220AB 3 Dim. A B C D E F G H J K M N Q R 1 2 1 2 3 SDD10N01 SDD10N02 SDD10N03 SDD10N04 SDD10N05 SDD10N06 SDD10N07 VRSM V 50 100 200 400 600 800 1000 VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Inches Min. Max. 0.500 0.550 0.580 0.630 0.390 0.420 0.139 0.161 0.230 0.270 0.100 0.125 0.045 0.065 0.110 0.230 0.025 0.040 0.100 BSC 0.170 0.190 0.045 0.055 0.014 0.022 0.090 0.110 Milimeter Min. Max. 12.70 13.97 14.73 16.00 9.91 10.66 3.54 4.08 5.85 6.85 2.54 3.18 1.15 1.65 2.79 5.84 0.64 1.01 2.54 BSC 4.32 4.82 1.14 1.39 0.35 0.56 2.29 2.79 Symbol IF(AV)M TC=100 C; 180 sine TVJ=45 C; IFSM TVJ=150oC; TVJ=45oC; It 2 o o o Test Conditions Maximum Ratings 10 Unit A t=10ms (50Hz), sine t=8.3ms (60Hz), sine t=10ms(50Hz), sine t=8.3ms(60Hz), sine t=10ms (50Hz), sine t=8.3ms (60Hz), sine t=10ms(50Hz), sine t=8.3ms(60Hz), sine 100 110 90 100 50 50 41 42 -40...+180 180 -40...+150 A TVJ=150oC; A2s TVJ TVJM Tstg Md Weight Symbol IR VF VTO rT RthJC TVJ=TVJM; VR=VRRM IF=45A; TVJ=25 C For power-loss calculations only TVJ=TVJM DC current o o C Mounting torque 0.4...0.6 4 Test Conditions Characteristic Values _ < 0.5 _ < 1.15 0.8 40 3.5 Nm g Unit mA V V m K/W
SDD10N04 价格&库存

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