SFH480

GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse • SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216 • SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43 • SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65 Anwendungen • Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • IR-Gerätefernsteuerungen • Sensorik • Lichtgitter Features • GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process • Anode is electrically connected to the case • High reliability • Matches all Si-Photodetectors • Hermetically sealed package • SFH 480: Same package as SFH 216 • SFH 481: Same package as BPX 43 • SFH 482: Same package as BPX 38, BPX 65 Applications • • • • Photointerrupters IR remote control of various equipmet Sensor technology Light-grille barrier 2001-10-01 1 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Typ Type SFH 480 SFH 480-2/3 SFH 481 SFH 481-1/2 SFH 481-2/3 SFH 482 SFH 482-1/2 SFH 482-2/3 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1087 Q62703-Q5195 Q62703-Q1088 Q62703-Q4752 Q62703-Q4753 Q62703-Q1089 Q62703-Q4771 Q62703-Q4754 Gehäuse Package 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: projection at package SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186 2001-10-01 2 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Grenzwerte (TC = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range SFH 480, SFH 482 Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range SFH 481 Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA Abstrahlwinkel Half angle SFH 480 SFH 481 SFH 482 Symbol Symbol λpeak Wert Value 880 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value – 40 … + 125 Einheit Unit °C Top; Tstg Top; Tstg – 40 … + 100 °C Tj VR IF IFSM Ptot RthJA RthJC 100 5 200 2.5 470 450 160 °C V mA A mW K/W K/W ∆λ 80 nm ϕ ϕ ϕ ±6 ± 15 ± 30 Grad deg. 2001-10-01 3 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Parameter Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 480 SFH 481 SFH 482 Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ιe from 10% to 90% and from 90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom, Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, Symbol Symbol Wert Value 0.16 0.4 × 0.4 Einheit Unit mm2 mm A L×B L×W H H H tr, tf 4.0 … 4.8 2.8 … 3.7 2.1 … 2.7 0.6/0.5 mm mm mm µs Co 25 pF VF VF IR 1.50 (≤ 1.8) 2.4 (< 3.0) 0.01 (≤ 1) V V µA Φe 12 mW TCI – 0.5 %/K IF = 100 mA IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCV TCλ –2 + 0.25 mV/K nm/K 2001-10-01 4 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of Radiant Intensity Ie in Axial Direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Symbol Symbol SFH 480-2 Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie max Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Bezeichnung Parameter SFH 480-3 Wert Value SFH 481 SFH 481-1 SFH 481-2 Einheit Unit > 40 – > 63 – ≥ 10 – 10 20 16 – mW/sr mW/sr Ie typ. Symbol Symbol 540 630 220 Wert Value 130 220 mW/sr Einheit Unit SFH 482 Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie max Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs 1) SFH 482-1 SFH 482-2 SFH 482-3 SFH 482-M E 78001) ≥ 3.15 – 3.15 6.3 5 10 8 – 1.6 ... 3.2 mW/sr – mW/sr Ie typ. – 40 65 80 – mW/sr Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation. 5 1) 2001-10-01 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Radiation Characteristics, SFH 480 Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 1.0 OHR01888 ϕ 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Radiation Characteristics, SFH 481 Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 1.0 OHR01889 ϕ 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Radiation Characteristics, SFH 482 Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 1.0 OHR01890 ϕ 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 2001-10-01 6 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Relative Spectral Emission Irel = f (λ) 100 Ι rel % 80 OHR00877 Radiant Intensity Ie = f (IF ) Ie 100 mA OHR00878 Single pulse, tp = 20 µs 10 2 Ι e (100mA) 10 1 Max. Permissible Forward Current SFH 481, IF = f (TA, TC) 240 OHR00946 Ιe Ι F mA 200 R thJC = 160 K/W 60 10 0 160 120 40 10 -1 80 20 10 -2 R thJA = 450 K/W 40 0 750 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T A, T C Forward Current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 µs 10 1 OHR01173 Permissible Pulse Handling Capability IF = f (τ), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter 10 4 OHR00948 Max. Permissible Forward Current SFH 480, SFH 482, IF = f (TA, TC) 240 OHR00396 ΙF A 0 Ι F mA 5 tp D= tp T T ΙF Ι F mA 200 10 D = 0.005 0.01 0.02 0.05 10 3 0.1 0.2 5 160 R thJC = 160 K/W 10 -1 120 R thJA = 450 K/W 80 10 -2 0.5 40 DC 10 -3 0 1 2 3 4 VF 5 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 s 10 0 tp 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 130 T A, T C 2001-10-01 7 SFH 480, SFH 481, SFH 482 Maßzeichnung Package Outlines SFH 480 Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 400) Chip position 2.7 (0.106) 2.54 (0.100) spacing Radiant Sensitive area 3) .04 ) (0 .035 1.1 .9 (0 0 ø0.45 (0.018) ø4.8 (0.189) ø4.6 (0.181) 5.3 (0.209) 5.0 (0.197) 14.5 (0.571) 12.5 (0.492) 7.4 (0.291) 6.6 (0.260) SFH 481 .04 (2.7 (0.106)) Chip position 3) ø4.8 (0.189) ø4.6 (0.181) ø0.45 (0.018) Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) (0 1.1 2.54 (0.100) spacing welded 5.3 (0.209) 5.0 (0.197) 14.5 (0.571) 12.5 (0.492) glass lens 6.4 (0.252) 5.6 (0.220) 0.9 (0 .03 5) ø5.6 (0.220) ø5.3 (0.209) GETY6091 SFH 482 ø0.45 (0.018) 0.9 (0 .0 1.1 Chip position ø4.8 (0.189) ø4.6 (0.181) 35 (0 (2.7 (0.106)) Radiant sensitive area .04 ) 5.5 (0.217) 5.0 (0.197) 3) ø5.6 (0.220) ø5.3 (0.209) GEOY6314 1. 0.9 1 (0 (0 .043 .03 ) 5) 14.5 (0.571) 12.5 (0.492) Cathode (SFH 402, BPX 65) Anode (SFH 482) ø5.3 (0.209) ø5.0 (0.197) ø5.6 (0.220) ø5.3 (0.209) GETY6013 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). 2001-10-01 8 2.54 (0.100) spacing 1.1 (0 .04 3) 1.1 (0 0.9 (0 .04 3) .03 5) 0.9 (0 .03 5) SFH 480, SFH 481, SFH 482 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg © All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1 may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered. 2001-10-01 9