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CH3D10065I
内绝缘型碳化硅二极管
产品特性
应用领域
反向耐压 650V
开关模式电源、AC/DC 变换器
零反向恢复电流
功率因数校正
工作频率高
电机驱动
开关特性不受温度影响
光伏逆变器、风力发电机
开关速度快
封装
正向压降正温度系数
产品优点
开关损耗极低
效率更高
系统对散热片的依赖低
产品型号
封装形式
并联器件中没有热崩溃
CH3D10065I
TO‐220‐2
打标
CH3D10065I
最大额定值(无特殊说明时TJ=25℃)
标识
参数
数值
单位
VRRM
反向重复峰值电压
650
V
VRSM
反向浪涌峰值电压
650
V
VDC
反向直流电压
650
V
32
IF
平均正向电流
正向重复峰值电流
IFSM
正向不重复峰值电流
Ptot
耗散功率
TJ
工作温度
Tstg
贮存温度
备注
TC=25℃
A
15
10
IFRM
测试条件
TC=135℃
Fig.3
TC=143℃
50
A
28
90
60
A
150
W
73.5
TC=25℃,tP=10ms,Half Sine Wave
TC=110℃,tP=10ms,Half Sine Wave
TC=25℃,tP=10ms,Half Sine Wave
TC=110℃,tP=10ms,Half Sine Wave
TC=25℃
TC=110℃
‐55 to
℃
+175
‐55 to
℃
+175
1
Fig.4
.
电特性
标识
参数
VF
正向压降
IR
反向电流
QC
总存储电荷
典型值
大值
1.45
1.6
1.61
1.8
1
60
12
220
单位
V
µA
39
nC
总电容
IF=10A, TJ=25℃
备注
Fig.1
IF=10A, TJ=175℃
VR=650V, TJ=25℃
Fig.2
VR=650V, TJ=175℃
VR=400V, IF=10A,
di/dt=500A/µs, TJ=25℃
VR=0V, TJ=25℃,f=1MHz
762
C
测试条件
pF
75
VR=200V, TJ=25℃,f=1MHz
Fig.5
VR=400V, TJ=25℃,f=1MHz
54
热特性
标识
RthJC
参数
结到壳热阻
典型值
单位
备注
2.03
℃/W
Fig.6
特征曲线
Fig. 1. 正向特性曲线
Fig. 2 反向特性曲
Fig. 3 不同负载下的电流
Fig. 4 耗散功率曲线
2
.
Fig. 5 电容—反向电压曲线
Fig. 6 结到壳热阻曲线
3
.
封装信息
POS
封装形式 TO‐220‐2
A
B
C
D
D1
D2
D3
E
E1
E2
F
G
H
L
M
N
P
Q
S
T
U
V
W
X
Y
Z
Inches
Min
Max
0.381
0.410
0.235
0.255
0.100
0.120
0.223
0.337
0.457‐0.490 typ.
0.277‐0.303 typ.
0.244‐0.252 typ.
0.590
0.615
0.302
0.326
0.227
0.251
0.143
0.153
1.105
1.147
0.500
0.550
0.025
0.036
0.045
0.055
0.195
0.205
0.165
0.185
0.048
0.054
3°
6°
3°
6°
3°
6°
0.094
0.110
0.014
0.025
3°
5.5°
0.385
0.410
0.130
0.150
Millimeters
Min
Max
9.677
10.414
5.969
6.477
2.540
3.048
5.664
8.560
11.60‐12.45 typ.
7.04‐7.70 typ.
6.22‐6.4 typ.
14.986
15.621
7.68
8.28
5.77
6.37
3.632
3.886
28.067
29.134
12.700
13.970
0.635
0.914
1.143
1.550
4.953
5.207
4.191
4.699
1.219
1.372
3°
6°
3°
6°
3°
6°
2.388
2.794
0.356
0.635
3°
5.5°
9.779
10.414
3.302
3.810
二极管模型
VfT=VT+I F×RT
VT=0.945‐1.27×10‐3×TJ
RT=0.082+1.71×10‐4×TJ+1.63×10‐6×TJ
2
Note: TJ =Diode Junction Temperature In DegreeCelsius, valid from ‐55℃ to 17 ℃.
4
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